Текст очень длинный, поэтому разбит на части. Часть 2 из 3.
предназначенных для использования в составе частей или компонентов турбин двигателей, т.е. с менее чем тремя неметаллическими частицами (введенными в процессе производства) крупнее 100 мкм в 10 частицах сплава; II.1.8.2. ниобиевых сплавов (Нб-Ал-Ь или Нб-Ь-Ал, Нб-Си-Ь или Нб-Ь-Си,Нб-Ти-Ь или Нб-Ь-Ти); II.1.8.3. титановых сплавов (Ти-Ал-Ь или Ти-Ь-Ал); II.1.8.4. алюминиевых сплавов (Ал-Мг-Ь или Ал-Ь-Мг, Ал-Зн-Ь или Ал-Ь-Зн, Ал-Фе-Ь или Ал-Ь-Фе); II.1.8.5. магниевых сплавов (Мг-Ал-Ь или Мг-Ь-Ал) Примечание Х служит показателем равенства содержания в сплаве одного или более составляющих элементов (примесей) II.1.9. Технология производства сплавленных материалов в виде неизмельченных гранул, стружки или тонких стержней, изготовляемых в контролируемой среде методом спиннингования, расплавления с вращением или экстракцией расплава, используемых при производстве порошка для металлических сплавов или вводимых гранул, указанных в пунктах I.1.8.-I.1.8.5. II.1.10. Технология производства магнитных материалов всех типов и любой формы II.1.10.1. Технология производства магнитных материалов с начальной относительной проницаемостью 120000 или более и толщиной 0,05 мм или менее II.1.10.2. Технология производства магнитострикционных сплавов: II.1.10.2.1. с магнитострикционным насыщением более 5*10-4; II.1.10.2.2. с коэффициентом магнитомеханического сцепления более 0,8 II.1.10.3. Технология производства магнитного сплава в виде аморфной стружки с составом минимум 75 % (по массе) железа, кобальта или никеля, магнитной индукцией насыщения не менее 1,6 Т, толщиной стружки не более 0,02 мм и удельным электрическим сопротивлением не менее 2*10-4 Ом/см нити, каучуки и изделия из них
II.2.1. Технология производства полимерных веществ II.2.1.1. Технология производства бисмалеимида II.2.1.2. Технология производства ароматических полиимидных о материалов с термостойкостью выше 723 К (450 С) II.2.1.3. Технология производства ароматических полихиноксалинов и материалов на их основе II.2.1.4. Технология производства ароматических полиэфиримидов, о имеющих температуру стеклования более 503 К (230 С) II.2.1.5. Технология производства ароматических полиамидов Примечание Технологии производства неплавких порошков для формообразования под давлением или подготовки форм из материалов, указанных в пунктах II.2.1.1., II.2.1.3., II.2.1.5., II.2.1.6., II.2.1.13., экспортному контролю не подлежат II.2.1.6. Технология производства изделий из нефторированных полимерных веществ, указанных в пунктах I.2.1.5.- I.2.1.10., I.2.1.13., в виде пленки, листа, ленты или полосы: II.2.1.6.1. при толщине свыше 0,254 мм; II.2.1.6.2. покрытых углеродом, графитом, металлами или магнитными веществами II.2.1.7. Технология производства термопластических жидкокристаллических сополимеров, имеющих температуру тепловой део формации более 523 К (250 С), измеренную при нагрузке 1,82 Н/кв.мм, и образованных сочетанием: пара-фенилена, пара-пара'-бифенилена или 2,6 нафталина; метила, третичного бутила или фенил-замещенного фенилена, бифенилена или нафталина с любой из следующих кислот: терефталевой кислотой; 6-гидрокси-2 нафтойной кислотой; 6-гидрокси-2 нафтойной кислотой; 4-гидроксибензойной кислотой II.2.1.8. Технология производства полиариленовых эфирных кетонов: II.2.1.8.1. полиэфироэфирокетона (ПЭЭК); II.2.1.8.2. полиэфирокетон-кетона (ПЭКК); II.2.1.8.3. полиэфирокетона (ПЭК); II.2.1.8.4. полиэфирокетон эфирокетон-кетона (ПЭКЭКК) II.2.1.9. Технология производства полиариленовых кетонов II.2.1.10. Технология производства полиариленовых сульфидов, где
ариленовая группа представляет собой бифенилен, трифенилен или их комбинации II.2.1.11. Технология производства полибифениленэфирсульфона II.2.1.12. Технология производства материалов-полуфабрикатов (т.е. полимерных или металлоорганических материалов специализированного назначения): II.2.1.12.1. полидиорганосиланов (для производства карбида кремния); II.2.1.12.2. полисилазанов (для производства нитрида кремния); II.2.1.12.3. поликарбосилазанов (для производства керамики с кремниевыми, углеродными или азотными компонентами) II.2.1.13. Технология производства полибензотиазолов или полибензоксозолов II.2.2. Технология производства фторсодержащих веществ II.2.2.1. Технология производства необработанных соединений фтора: II.2.2.1.1. сополимеров винилиденфторида, содержащих 75 % или более бета-кристаллической структуры, полученной без вытягивания; II.2.2.1.2. фтористых полиимидов, содержащих 30 % или более связанного фтора; II.2.2.1.3. фтористых фосфазеновых эластомеров, содержащих 30 % или более связанного фтора II.2.2.2. Технология производства фтористых эластомерных соединений, содержащих по крайней мере один дивинилэфирный мономер II.2.2.3. Технология производства уплотнений, прокладок, седел клапанов, трубчатых уплотнений или диафрагм из фторэластомеров, содержащих по крайней мере один виниловый мономер, специально предназначенных для авиационной и аэрокосмической техники, и указанных в пункте I.2.2.3. II.2.2.4. Технология производства пьезоэлектрических полимеров и сополимеров, изготовленных из фтористого винилидена в виде пленки или листа толщиной более 200 мкм II.2.3. Технология производства электропроводных полимерных материалов с удельной электрической проводимостью свыше 10 сименс/м или поверхностным сопротивлением менее 10 Ом/кв.м, выполненных на основе следующих полимеров: II.2.3.1. полианилина; II.2.3.2. полипиррола; II.2.3.3. политиофена; II.2.3.4. полифенилен-винилена; II.2.3.5. политиофинилен-винилена II.2.3.6. Технологии для нанесения, эксплуатации или восстановления (ремонта) материалов, указанных в пунктах I.2.3.- I.2.3.5. II.2.4. Технология производства ароматических полиамидных волокон II.2.5. Технология производства волокнистых или нитевидных материалов на основе: II.2.5.1. полиэфиримидов, указанных в пункте I.2.1.13. II.2.5.2. материалов, указанных в пунктах I.2.1.15.-I.2.1.19. II.2.6. Технология производства фторсилоксановых каучуков, рабоо тоспособных при температурах ниже 213 К (-60 С) и о выше 473 К (200 С) II.2.7. Технология производства герметиков на основе жидкого тиокола, работоспособных при температурах ниже 213 К о о (-60 С) и выше 423 К (150 С) II.2.8. Технология производства кремнийорганических герметиков, работоспособных при температурах ниже 213 К о о (-60 С) и выше 523 К (250 С) II.2.9. Технология производства органических полимерных фотоприемников для пространственно-временных модуляторов света II.2.10. Технология производства дипараксилилена (мономера Д-2)
II.3.1. Технологии производства материалов на керамической основе, некомпозиционных керамических материалов, материалов типа "композит" с керамической матрицей, а также их полуфабрикатов: II.3.1.1. основных материалов из простых или сложных боридов титана, имеющих металлические примеси (кроме специальных добавок) на уровне менее 5000 частиц на миллион, при среднем размере частицы, равном или меньшем 5 мкм (при этом не более 10 % частиц размером более 10 мкм); II.3.1.2. некомпозиционных керамических материалов в виде сырых полуфабрикатов (кроме абразивов) на основе боридов
титана с плотностью 98 % или более от теоретического значения II.3.1.3. Технологии для восстановления композиционных структур, слоистых структур или материалов, указанных в пунктах I.3.3.-I.3.3.2. II.3.2. Технология производства трехмерно-армированных углеродуглеродных материалов типа КИМФ с повышенной эрозионной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы о менее 3 мм/с при температуре 3773 К (3500 С) и выше и давлении 150 атм и выше II.3.3. Технология производства объемно-армированных углеродуглеродных материалов типа "ЗАРЯ", с повышенной эрозионной стойкостью, характеризующейся скоростью уноса массы о менее 0,05 мм/с при температуре 3773 К (3500 С) и выше и давлении 150 атм и выше II.3.4. Технология производства жаростойких углеродных материао лов на рабочие температуры более 2025 К (1750 С) с пределом прочности более 300 МПа (30 кгс/кв.мм) (для применения в углерод-углеродных материалах) и более 200 МПа (20 кгс/кв.мм) (для применения в углерод-керамических материалах) II.3.5. Технология производства теплоизоляционных термостабильных (десятки тысяч часов в диапазоне температур до 1025 о К (750 С) экологически чистых материалов типа КГ-3 на основе графита с плотностью 0,2 г/куб.см и коэффициентом теплопроводности 0,1 Вт/(м*К) II.3.6. Базовые материалы или некомпозиционные керамические материалы II.3.6.1. Технология производства базовых материалов с суммарными металлическими примесями (включая вносимые преднамеренно) менее чем 1000 частей на миллион для комплексных соединений и единичных карбидов, 5000 частей на миллион для комплексных соединений или единичных нитридов, средним размером частиц, равным или менее 5 мкм, и не более чем 10 % частиц с размерами более 10 мкм, содержащих пластинки с отношением длины к толщине, превышающим значение 5, короткие стержни (усы) с отношением длины к диаметру более 10 для диаметров стержней менее чем 2 мкм и длинные или рубленные волокна с диаметром меньшим 10 мкм, из следующих материалов: II.3.6.1.1. единичных или комплексных оксидов циркония и комплексных оксидов кремния или алюминия; II.3.6.1.2. единичных нитридов бора (с кубическими формами кристаллов); II.3.6.1.3. единичных или комплексных карбидов кремния или бора; II.3.6.1.4. единичных или комплексных нитридов кремния Примечание Для циркония представленные выше пределы размеров частиц соответствуют 1 мкм и 5 мкм соответственно II.3.6.2. Технология производства некомпозитных керамических материалов (кроме абразивов), указанных в пунктах II.3.6.1.- II.3.6.1.4. II.3.7. Технология производства пенопласта с микросферами для применения под водой на морских глубинах более 1000 м и с плотностью менее 561 кг/куб.м II.3.7.1. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения пенопласта с микросферами для применения под водой на морских глубинах более 1000 м и плотностью менее 561 кг/куб.м
II.4.1. Технология производства гидравлических жидкостей, содержащих в качестве основных составляющих любые из следующих веществ или материалов: II.4.1.1. синтетические углеводородные масла или кремний-углеводородные масла с точкой возгорания свыше 477 К о о (204 С), точкой застывания 239 К (-34 С) или ниже, коэффициентом вязкости 75 или более, о термостабильностью при 616 К (343 С); Примечание Указанные в пункте II.4.1.1. кремний-углеводородные масла содержат исключительно кремний, водород и углерод II.4.1.2. хлоро-фторуглероды с температурой самовоспламенения о свыше 977 К (704 С), точкой застывания 219 К о (-54 С), коэффициентом вязкости 80 или более и
о точкой кипения 473 К (200 С) или более Примечание Указанные в пункте II.4.1.2. хлоро-фторуглероды содержат исключительно хлор, фтор и углерод II.4.2. Технология производства смазочных материалов, содержащих в качестве основных составляющих следующие вещества и материалы: II.4.2.1. фениленовые или алкилфениленовые эфиры или тиоэфиры или их смеси, содержащие более двух эфирных или тиоэфирных функций или смесей; II.4.2.2. фторированные кремнийсодержащие жидкости, характеризуемые кинематической вязкостью менее 5000 кв.мм/с о (5000 сантистоксов) при температуре 298 К (25 С) II.4.3. Технология производства увлажняющих или флотирующих жидкостей с показателем чистоты более 99,8 %, содержащих менее 25 частиц размером 200 мкм или более на 100 мл и изготовленных по меньшей мере на 85 % из следующих веществ и материалов: II.4.3.1. дибромтетрафторэтана; II.4.3.2. полихлортрифторэтилена (только маслянистые и воскообразные модификации); II.4.3.3. полибромтрифторэтилена
II.5.1. Технология производства полианатоксинов II.5.2. Технология производства вакцины инактивированной, концентрированной, очищенной для профилактики венесуэльского энцефаломиелита на основе оригинального штамма СМ-27 II.5.3. Технология производства дивакцины инактивированной, культуральной, очищенной для профилактики восточного и западного энцефаломиелита лошадей II.5.4. Технология производства препаратов группы холинэстераз для определения фосфорорганических ОВ и информация по использованию препаратов II.5.5. Технология получения и использования иммуноглобулинов полигрупповых люминесцирующих риккетсиозных, позволяющих проводить индикацию риккетсий группы сыпного тифа, клещевой пятнистой лихорадки и ку-риккетсиоза при иммунофлуоресцентном анализе II.5.6. Диагностикум, технология получения и использования культурального, поливалентного диагностикума геморрагической лихорадки с почечным синдромом для непрямого метода иммунофлуоресценции II.5.7. Гибридомная технология получения иммунодиагностикума моноклонального люминесцирующего к вирусу клещевого энцефалита и информация об использовании диагностикума
II.6.1. Информация о синтезе и оценке физико-химических токсикологических характеристик нейротоксикантов особо высокой токсичности со средней летальной дозой менее 0,1 мг/кг в целях поиска нейротоксикантов высокой эффективности изделий электронной техники и оптики
II.7.1. Технология изготовления и нанесения радиопоглощающих покрытий типа ФП-1 и ФП-3 с коэффициентом отражения мео нее 15 % при температуре до 623 К (350 С) II.7.2. Технология производства многослойных структур кадмийртуть-теллур (КРТ) с использованием вакуумного синтеза II.7.3. Технологии производства материалов для оптических датчиков: II.7.3.1. Технология производства элементарного теллура (Те) чистотой, равной или более 99,9995 % II.7.3.2. Технология производства монокристаллов теллурида кадмия (ЦдТе) любой чистоты, включая эпитаксиальные пластины II.7.3.3. Технология производства заготовок оптических волокон, специально предназначенных для производства волокон с высоким двулучепреломлением, использующихся в оптоволоконных датчиках, указанных в пунктах I.12.2.4.3.- I.12.2.4.3.2. II.7.4. Технологии производства оптических материалов: II.7.4.1. Технология производства селенида цинка (ЗнСе) и сульфида цинка (ЗнС) в виде пластин-подложек, изготовляемых в процессе химического осаждения паров, объемом более 100 куб.см или диаметром более 80 мм при толщине, равной или более 20 мм II.7.4.2. Технологии производства слитков следующих электрооптических материалов: II.7.4.2.1.
арсенида титаната калия (КТА); II.7.4.2.2. смешанного селенида серебра и галлия (АгГаСе2); II.7.4.2.3. смешанного селенида таллия и мышьяка (Тл3АсСе3), также известного как ТАС II.7.4.3. Технология производства нелинейных оптических материалов, имеющих восприимчивость третьего порядка (3), равную или меньшую 1 Вт/кв.м, время отклика менее 1 мс II.7.4.4. Технология производства пластинчатых подложек карбида кремния или осажденных материалов бериллия/бериллия (Бе/Бе ) свыше 300 мм в диаметре или длины наибольшей оси II.7.4.5. Технологии производства материалов с малым оптическим поглощением: II.7.4.5.1. Технология производства сложных соединений фтора, содержащих ингредиенты с чистотой 99,999 % или более Примечание Пункт II.7.4.5.1. распространяется только на технологию производства фторидов циркония или алюминия и подобных соединений II.7.4.5.2. Технология производства объемных фторсодержащих стекол, указанных в пункте I.6.9.5.2. II.7.4.6. Технология производства стекол, содержащих расплавы кремния, стекол из фосфатов, фторфосфатов, фторида циркония (ЗрФ4) и фторида гафния (ХфФ4) с концентрацией гидроксильных ионов (ОН-) менее 5 промилле, интегральными уровнями чистоты металлов менее 1 промилле, высокой однородностью (вариацией показателя преломления менее 5*10-6) II.7.4.7. Технология производства синтетического алмазного материала с поглощением менее 10-5см на длине волны свыше 200 нм, но не более 14000 нм II.7.4.8. Технология производства оптоволоконных заготовок, изготовленных из объемных соединений фторидов, содержащих ингредиенты с чистотой 99,999 % или лучше, специально разработанных для производства фторидных волокон, указанных в пункте I.12.5.4. II.7.5. Технологии производства материалов для кристаллических основ лазеров: II.7.5.1. сапфира с имплантированным титаном; II.7.5.2. александрита II.7.6. Технологии производства материалов резистов и подложек, покрытых резистами: II.7.6.1. Технология производства позитивных резистов со спектральной чувствительностью, оптимизированной на излучение менее 370 нм II.7.6.2. Технология производства всех резистов, используемых для экспонирования электронными или ионными пучками, с чувствительностью не хуже 0,01 мкКл/кв.мм II.7.6.3. Технология производства всех резистов, используемых для экспонирования рентгеновскими лучами, с чувствительностью не хуже 2,5 мДж/кв.мм II.7.6.4. Технология производства всех резистов, оптимизированных под технологию формирования рисунка, включая силицированные резисты II.7.7. Технология производства металл-органических соединений алюминия, галлия или индия, имеющих чистоту (металлической основы) более 99,999 % II.7.8. Технология производства гидридов фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющих чистоту более 99,999 % даже после разбавления нейтральными газами Примечание Технология производства гидридов, содержащих 20 и более мольных процентов инертных газов или водорода, не подлежит экспортному контролю согласно пункту II.7.8. II.7.9. Технология производства заготовок стекла или любых других материалов, оптимизированных для производства оптических волокон, указанных в пункте I.12.5. II.7.10. Технология нанесения покрытий на оптические волокна, специально предназначенные для подводного применения
II.8.1. Технология производства сверхпроводящих композитных материалов длиной более 100 м или массой, превышающей 100 г: II.8.1.1. Технология производства многожильных сверхпроводящих композитных материалов, содержащих одну ниобиевую нить или более: II.8.1.1.1. уложенных в матрицу не из меди или не на основе медьсодержащего материала; II.8.1.1.2.
с площадью поперечного сечения менее 0,28*10-4кв.мм (6 мкм в диаметре в случае нитей круглого сечения) II.8.1.2. Технология производства сверхпроводящих композитных материалов не из ниобий-титана, состоящих из одной или более сверхпроводящих нитей: с критической температурой при нулевой магнитной ино дукции, превышающей 9,85 К (-263,31 С), но не ниже о 24 К (-249,16 С); с площадью поперечного сечения менее 0,28*10-4 кв.мм; которые остаются в состоянии сверхпроводимости при температуре 4,2 К о (-268,96 С), находясь в магнитном поле с магнитной индукцией 12 Т II.8.2. Информация о результатах исследований и разработок высокотемпературных сверхпроводников с критическим магнитным полем, с магнитной индукцией более 150 Т и критическим током более 1000 МА/кв.м при температуре 77 К о (-196 С) для техники магнитного ускорения объектов II.8.3. Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе формирующих линий с мощностью, превышающей 100 ТВт при энергии, превышающей 5 МДж II.8.4. Информация о конструкционных и технологических решениях в области создания импульсных источников электроэнергии на основе униполярных генераторов, предназначенных для медленного отбора мощности (более 1 с) с запасом энергии более 100 МДж и быстрого отбора мощности (менее 1 мс) с запасом энергии 1 МДж II.8.5. Конструкция и технология производства батарей Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства батарей с объемом 26 куб.см и меньше (например, стандартные угольные элементы), указанных в пунктах II.8.5.-II.8.5.3. II.8.5.1. Конструкция и технология производства первичных элементов и батарей с плотностью энергии выше 350 Вт*ч/кг, пригодных по техническим условиям для работы в диапазоне о температур от 243 К (-30 С) и ниже до 343 К о (70 С) и выше II.8.5.2. Конструкция и технология производства подзаряжаемых элементов и батарей с плотностью энергии свыше 150 Вт*ч/кг после 75 циклов заряда-разряда при токе разряда, равном С/5 ч (здесь С - номинальная емкость в А*ч), и при рабоо те в диапазоне температур от 253 К (-20 С) и ниже о до 333 К (60 С) и выше II.8.5.3. Конструкция и технология производства радиационностойких батарей на фотоэлектрических элементах с удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м при рабочей темо пературе 301 К (28 С) и вольфрамовом источнике, о нагретом до 2800 К (2527 С) и создающем энергетическую освещенность 1 кВт/кв.м, пригодных по техническим условиям для космического применения II.8.5.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования батарей, указанных в пунктах I.7.2.- I.7.2.3. II.8.6. Конструкция и технология производства накопителей энергии II.8.6.1. Конструкция и технология производства накопителей энергии с частотой повторения менее 10 Гц (одноразовых накопителей), имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не менее 250 Дж/кг и общую энергию не менее 25 кДж II.8.6.2. Конструкция и технология производства накопителей энергии с частотой повторения менее 10 Гц и больше (многоразовых накопителей), имеющих номинальное напряжение не менее 5 кВ, плотность энергии не менее 50 Дж/кг, общую энергию не менее 100 Дж и количество циклов заряда-разряда не менее 10000 II.8.6.3. Конструкция и технология производства схем или систем для накопления электромагнитной энергии, содержащих компоненты из сверхпроводящих материалов, специально спроектированных для работы при температурах ниже критической температуры с хотя бы одной из сверхпроводящих со-
ставляющих, имеющих рабочие резонансные частоты свыше 1 МГц, плотность запасаемой энергии не менее 1 МДж/куб.м и время разряда менее 1 мс II.8.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования накопителей энергии, указанных в пунктах I.7.3.-I.7.3.3. II.8.7. Конструкция и технология производства сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов, специально спроектированных на полный заряд или разряд менее чем за минуту, имеющих максимальную энергию в разряде, деленную на длительность разряда, свыше 500 кДж/мин, внутренний диаметр токопроводящих обмоток свыше 250 мм и номинальную магнитную индукцию свыше 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке больше 300 А/кв.мм Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов, специально спроектированных для медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии II.8.7.1. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования сверхпроводящих электромагнитов или соленоидов, указанных в пункте I.7.4. II.8.8. Конструкция и технология производства рентгеновских систем с короткоимпульсным разрядом, имеющих пиковую мощность, превышающую 500 МВт, выходное напряжение, превышающее 500 кВт, и ширину импульса менее 0,2 мкс II.8.8.1. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования рентгеновских систем с короткоимпульсным разрядом, указанных в пункте I.7.5. II.8.9. Информация о конструкторских решениях, технологиях, материалах, основных узлах и системах бортовых ядерных электроэнергоустановок, позволяющая осуществить непосредственное воспроизведение или способствующая ускорению реализации подобных проектов II.8.10. Информация о конструкционных и технологических решениях, позволяющих создать короткоимпульсные электронные и протонные ускорители с энергией более 8 МэВ и током в импульсе более 1 кА
II.9.1. Конструкция и технология производства антифрикционных подшипников или систем подшипников и их компонентов Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства шарикоподшипников с допусками, устанавливаемыми производителями в соответствии со стандартом ИСО 3290 класс 5 или хуже II.9.1.1. Конструкция и технология производства шариковых или роликовых подшипников (кроме конических роликовых подшипников), имеющих допуски, устанавливаемые производителем в соответствии со стандартом ИСО, имеющих любую из следующих характеристик: II.9.1.1.1. кольца, шарики или ролики из медно-никелевого сплава или бериллия; II.9.1.1.2. изготовленные для применения при рабочих температурах о выше 573 К (300 С) либо с применением специальных материалов или специальной тепловой обработки; II.9.1.1.3. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим этот элемент, который в соответствии со спецификацией изготовителя специально спроектирован для подшипников, работающих при скоростях, соответствующих значению КСВ более 2,3*106 II.9.1.2. Конструкция и технология производства других шариковых или роликовых подшипников (кроме конических роликовых подшипников), имеющих допуски, устанавливаемые производителем в соответствии со стандартом ИСО класс 2 или лучше (или национальными эквивалентами) II.9.1.3. Конструкция и технология производства конических роликовых подшипников, имеющих любую из следующих характеристик: II.9.1.3.1. с элементами смазки или компонентом, модифицирующим этот элемент, который в соответствии со спецификацией изготовителя специально спроектирован для подшипников, работающих при скоростях,
соответствующих значению КСВ более 2,3*106; II.9.1.3.2. изготовленные для применения при рабочих температурах о о ниже 219 К (-54 С) или выше 423 К (150 С) II.9.1.4. Конструкция и технология производства тонкостенных подшипников с газовой смазкой, изготовленных для применения о при рабочих температурах 561 К (288 С) или выше, и со способностью выдерживать единичную нагрузку, превышающую 1 МПа II.9.1.5. Конструкция и технология производства активных магнитных подшипниковых систем II.9.1.6. Конструкция и технология производства серийно изготавливаемых самоцентрирующихся или серийно изготавливаемых и устанавливаемых на шейку вала подшипников скольжения, изготовленных для использования при рабочих о температурах ниже 219 К (-54 С) или выше 423 К о (150 С) II.9.1.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования и производства подшипников, указанных в пунктах I.8.1.-I.8.1.6.
II.10.1. Производственные процессы металлообработки II.10.1.1. Технологии проектирования станков (инструмента), прессформ или зажимных приспособлений, специально спроектированных для следующих процессов: II.10.1.1.1. сверхпластичного деформирования; II.10.1.1.2. термодиффузионного сращивания; II.10.1.1.3. гидравлического прессования прямого действия II.10.1.2. Технические данные, включающие параметры или методы реализации процесса, перечисленные ниже и используемые для управления: II.10.1.2.1. сверхпластичным деформированием алюминиевых, титановых сплавов или суперсплавов, включая: подготовку поверхности; степень деформации; температуру; давление; Примечание К суперсплавам относятся сплавы на основе никеля, кобальта или железа, сохраняющие высокую прочность при о температурах свыше 922 К (649 С) в тяжелых условиях функционирования и окружающей среды II.10.1.2.2. термодиффузионным сращиванием суперсплавов или титановых сплавов, включая: подготовку поверхности; температуру; давление II.10.1.2.3. гидравлическим прессованием прямого действия алюминиевых или титановых сплавов, включая: давление; время цикла II.10.1.2.4. горячей изостатической деформацией титановых, алюминиевых сплавов и суперсплавов, включая: температуру; давление; время цикла II.10.2. Конструкция и технология производства гидравлических вытяжных формовочных машин и матриц для изготовления легких корпусных конструкций II.10.3. Конструкция и технология производства универсальных станков (без программного управления) для получения оптически качественных поверхностей: II.10.3.1. токарных станков, использующих единственную точку фрезерования и обладающих всеми нижеследующими характеристиками: точность положения суппорта меньше (лучше) чем 0,0005 мм на 300 мм перемещения; повторяемость двунаправленного положения суппорта меньше (лучше) чем 0,00025 мм на 300 мм перемещения; биение и эксцентриситет шпинделя меньше (лучше) чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания; угловая девиация движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по индикатору общего считывания на полном перемещении; перпендикулярность суппорта меньше (лучше) чем 0,001 мм на 300 мм перемещения; II.10.3.2. станков с летучей фрезой, имеющих биение и эксцентриситет меньше (лучше) чем 0,0004 мм по индикатору общего считывания и угловую девиацию движения суппорта (рыскание, тангаж и вращение вокруг продольной оси) меньше (лучше) чем 2 дуговые секунды по индикатору общего считывания на полном перемещении II.10.4. Конструкция и технология производства станков с ЧПУ или станков с ручным управлением, включая специально спроек-
тированные компоненты, элементы управления и приспособления для них, специально спроектированных для фрезерования, финишной обработки, полирования или хонингования закаленных (Рц= 40 или более) конических или цилиндрических шестерен в соответствии с пунктами 1.9.3.-I.9.3.2 II.10.5. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства и применения программно-управляемых станков, указанных в пунктах I.9.3.-I.9.3.2. II.10.6. Конструкция и технология производства оборудования, специально спроектированного для реализации процесса и управления процессом нанесения неорганических покрытий, защитных слоев и поверхностного модифицирования, а также специально спроектированных средств автоматизированного регулирования, установок, манипуляторов и компонентов управления II.10.6.1. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемым запоминающим устройством производственных установок для нанесения твердого покрытия из парообразных химических соединений, указанных в пункте I.9.4.1. II.10.6.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для нанесения покрытия из парообразных химических соединений, указанных в пункте I.9.4.1. II.10.6.3. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемым запоминающим устройством производственных установок для ионной имплантации, указанных в пункте I.9.4.2. II.10.6.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для ионной имплантации, указанных в пункте I.9.4.2. II.10.6.5. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемым запоминающим устройством электроннолучевых установок для нанесения покрытий методом физического осаждения паров, указанных в пункте I.9.4.3. II.10.6.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения электронно-лучевых установок для нанесения покрытий методом физического осаждения паров, указанных в пункте I.9.4.3. II.10.6.7. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемым запоминающим устройством производственных установок для плазменного напыления, указанных в пунктах I.9.4.4.-I.9.4.4.2. II.10.6.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для плазменного напыления, указанных в пунктах I.9.4.4.-I.9.4.4.2. II.10.6.9. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемым запоминающим устройством производственных установок для металлизации напылением, способных обеспечить плотность тока 0,1 мА/мм или более с производительностью напыления 15 мкм в час или более II.10.6.10. Программное обеспечение, специально созданное или модифицированное для разработки, производства или применения производственных установок металлизации напылением, указанных в пункте I.9.4.5. II.10.6.11. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемым запоминающим устройством производственных установок для катодно-дугового напыления, включающих систему электромагнитов для управления плотностью тока дуги на катоде II.10.6.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для катодно-дугового напыления, указанного в пункте I.9.4.6. II.10.6.13. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемым запоминающим устройством производственных установок для ионной металлизации, указанных в пункте I.9.4.7. Примечание Экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства стандартных производственных установок для покрытий, образуемых ионной металлизацией на режущем инструменте металлообрабатывающих станков II.10.6.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для ионной металлизации, указанных в пункте I.9.4.7. II.10.6.15. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемыми запоминающими устройствами производственных установок для сухого травления анизотропной плазмой, указанных в пунктах I.9.4.8.-I.9.4.8.2. II.10.6.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для сухого травления анизотропной плазмой, указанных в пунктах I.9.4.8.- I.9.4.8.2. II.10.6.17. Конструкция и технология производства снабженных программно-управляемыми запоминающими устройствами производственных установок для химического парофазового осаждения покрытий плазменной стимуляцией, указанных в пунктах I.9.4.9.-I.9.4.9.2. II.10.6.18. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения производственных установок для химического парофазового осаждения покрытий, указанных в пунктах I.9.4.9.-I.9.4.9.2. II.10.7. Процессы нанесения покрытий и модификации поверхности II.10.7.1. Технологии нанесения (твердых) покрытий из парообразных химических соединений Примечания:
1. Нанесение (твердого) покрытия из парообразных химических соединений - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композит, диэлектрик или керамика наносится на нагретое изделие. Газообразные продукты (пары, реактанты) разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена нагревом изделия, свечением плазменного разряда или лучом лазера 2. Нанесение (твердого) покрытия путем осаждения химических соединений из паровой фазы включает следующие процессы: беспорошковое нанесение покрытия прямым газовым потоком; пульсирующее химическое осаждение паров; управляемое термическое нанесение покрытий с ядерным дроблением, а также с применением мощного потока плазмы или реализация химического осаждения паров с ее участием 3. Порошковое нанесение означает погружение изделия в порошок из нескольких составляющих 4. Газообразные продукты (пары, реактанты), используемые в беспорошковом процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими как порошковая цементация, кроме того случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью порошка II.10.7.1.1. Технология нанесения алюминидов на внутренние поверхности изделий из суперсплавов II.10.7.1.2. Технологии нанесения силицидов на: II.10.7.1.2.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.1.2.2. углерод-углеродные композиционные материалы Примечание Стекла с малым коэффициентом расширения, указанные в пунктах II.10.7.1.2.1., II.10.7.1.3., II.10.7.1.4.1., II.10.7.2.1.10.1., II.10.7.2.2.1.1., II.10.7.2.3.1.1. II.10.7.2.3.3., II.10.7.6.6.2., II.10.7.6.7.1., II.10.7.6.8.1., определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения в 1*10-7К-1или о менее, измеренный при 293 К (20 С) II.10.7.1.3. Технология нанесения карбидов на керамики и стекла с малым коэффициентом расширения II.10.7.1.4. Технология нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.1.4.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.1.4.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.1.4.3. карбид, цементируемый вольфрамом; Примечание Карбид, цементируемый вольфрамом, указанный в пунктах II.10.7.1.4.3., II.10.7.1.5.2., II.10.7.1.7.1., II.10.7.2.1.7.3., II.10.7.2.1.9.1., II.10.7.2.1.10.4., II.10.7.2.2.1.4., II.10.7.2.3.1.4., II.10.7.6.8.4., II.10.7.6.16.1., II.10.7.6.17.1., II.10.7.7.3.2., II.10.7.7.4., не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама/(кобальт, никель), карбида титана/(кобальт, никель), хрома карбидоникель-хрома и хрома карбид/никеля II.10.7.1.4.4. молибден и его сплавы; II.10.7.1.4.5. бериллий и его сплавы; II.10.7.1.4.6. материалы окон датчиков Примечания: 1. Материалы окон датчиков, указанные в пунктах II.10.7.1.4.6., II.10.7.2.1.10.8., II.10.7.2.2.1.8., II.10.7.2.3.1.8., II.10.7.2.3.2., следующие: алюмин (окись алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, а также следующие галогениды металлов: иодистый калий, фтористый калий или материалы окон датчиков диаметром более 40 мм из бромистого таллия и хлоробромистого таллия.
2. Диэлектрические слоевые покрытия, упомянутые в пунктах II.10.7.1.4., II.10.7.2.1.10., II.10.7.2.2.1., II.10.7.2.3.1., II.10.7.6.8., определяются как многослойные изолирующие материалы, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных диапазонов длин волн. Диэлектрические слои определяются по количеству более четырех или по качеству как композит: диэлектрик/металл. II.10.7.1.5. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.1.5.1. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.1.5.2. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.1.5.3. карбиды кремния Примечание. Смеси, упомянутые в пунктах II.10.7.1.5., II.10.7.1.7., II.10.7.2.1.1.-II.10.7.2.1.9., II.10.7.3.1., II.10.7.3.2., II.10.7.4.1., II.10.7.4.2., II.10.7.4.7., II.10.7.5.3., II.10.7.5.4., II.10.7.6.1.- II.10.7.6.7., II.10.7.6.15.-II.10.7.6.17., включают инфильтрирующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и реализуются одним или несколькими процессами нанесения покрытий II.10.7.1.6. Технология нанесения тугоплавких металлов и их сплавов на керамики и металлические матричные композиты Примечание Тугоплавкие металлы, указанные в пунктах II.10.7.1.6., II.10.7.2.1.8., II.10.7.3.3.2., II.10.7.3.6., II.10.7.4.8.1., II.10.7.4.9.1., II.10.7.4.10.1., II.10.7.5.1., II.10.7.5.2., II.10.7.6.11.2., II.10.7.6.12.2., II.10.7.6.13.2., II.10.7.6.14.2., II.10.7.6.15., состоят из следующих металлов и их сплавов: ниобия (колумбия - в США), молибдена, вольфрама и тантала II.10.7.1.7. Технологии нанесения вольфрама и его смеси на: II.10.7.1.7.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.1.7.2. карбиды кремния II.10.7.2. Технологии нанесения покрытий методами физического осаждения паров термовыпариванием Примечания: 1. Физическое осаждение паров испарением (термовыпариванием) - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением, меньшим 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава (компаундами) покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации или участия в нанесении покрытия также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров тертермовыпариванием. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем для процессов этого типа.
2. Ионное плакирование - специальная модификация генерального процесса физического осаждения паров термовыпариванием, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательный заряд изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерения (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием. II.10.7.2.1. Технологии нанесения покрытий методом электронно-лучевого физического осаждения паров Примечание Электронно-лучевое физическое осаждение использует электронный луч для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие II.10.7.2.1.1. Технологии нанесения сплавов силицидов и их смесей на суперсплавы II.10.7.2.1.2. Технологии нанесения силицидов и их смеси на: II.10.7.2.1.2.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.2.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.2.3. углерод-углеродные композиционные материалы II.10.7.2.1.3. Технология нанесения сплавов алюминидов и их смесей на суперсплавы Примечание Термин "покрытие сплавами на основе алюминидов", упомянутый в пунктах II.10.7.2.1.3., II.10.7.2.4.2., II.10.7.4.6., включает единичное или многослойное нанесение покрытий, в котором на элемент или элементы осаждается покрытие прежде или в течение процесса алитирования, даже если на эти элементы были осаждены покрытия другим процессом. Это, однако, исключает многократное использование одношагового процесса порошкового алитирования для получения сплавов алюминидов II.10.7.2.1.4. Технологии нанесения МЦрАлЬ и их смесей на: II.10.7.2.1.4.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.4.2. коррозионно-стойкие стали Примечание МЦрАлЬ, указанный в пунктах II.10.7.2.1.4., II.10.7.2.4.3., II.10.7.4.1., II.10.7.6.4., соответствует сложному составу покрытия, где М эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а Х - эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01 % по весу в различных пропорциях и комбинациях, кроме: ЦоЦрАлЫ-покрытий, содержащих меньше 22 % по весу хрома, меньше 7 % по весу алюминия и меньше 2 % по весу иттрия; ЦоЦрАлЫ-покрытий, содержащих 22-24 % по весу хрома, 0,5-0,7 % по весу иттрия; НиЦрАлЫ-покрытий, содержащих 21-23 % по весу хрома, 10-12 % по весу алюминия и 0,9-1,1 % по весу иттрия II.10.7.2.1.5. Технологии нанесения модифицированного оксида циркония и смесей на его основе на: II.10.7.2.1.5.1. суперсплавы; II.10.7.2.1.5.2. коррозионно-стойкие стали II.10.7.2.1.6. Технология нанесения алюминидов и их смесей на суперсплавы II.10.7.2.1.7. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.2.1.7.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.1.7.2. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.7.3. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.7.4. карбид кремния II.10.7.2.1.8. Технологии нанесения тугоплавких металлов и их сплавов на: II.10.7.2.1.8.1. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.8.2. углерод-углеродные композиционные материалы II.10.7.2.1.9. Технологии нанесения вольфрама и его смеси на: II.10.7.2.1.9.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.9.2. карбид кремния II.10.7.2.1.10. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.1.10.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.1.10.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.1.10.3.
керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.1.10.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.1.10.5. карбид кремния; II.10.7.2.1.10.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.1.10.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.1.10.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.1.11. Технология нанесения боридов на титановые сплавы Примечание Титановые сплавы, указанные в пунктах II.10.7.2.1.11., II.10.7.2.1.12., II.10.7.3.3.1., II.10.7.3.4., II.10.7.3.5., II.10.7.4.3.2., II.10.7.4.4.2., II.10.7.4.5.2., II.10.7.4.6.2., II.10.7.4.8.2., II.10.7.4.9.2., II.10.7.4.10.2., II.10.7.7.2.1., II.10.7.7.3.1., определяются как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв в 900 МПа или о более, измеренным при 293 К (20 С) II.10.7.2.1.12. Технология нанесения нитридов на титановые сплавы II.10.7.2.2. Нанесение покрытий методом физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева (ионное покрытие) Примечание Физическое осаждение с терморезистором использует электрическое сопротивление в качестве источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия II.10.7.2.2.1. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.2.1.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.2.1.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.2.1.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.2.1.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.2.1.5. карбиды кремния; II.10.7.2.2.1.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.2.1.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.2.1.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.3. Нанесение покрытий методом физического осаждения паров с применением лазерного испарения Примечание Лазерное испарение использует импульсный или непрерывный лазерный луч для нагрева материала, который формирует покрытие II.10.7.2.3.1. Технологии нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.2.3.1.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.2.3.1.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.2.3.1.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.2.3.1.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.2.3.1.5. карбиды кремния; II.10.7.2.3.1.6. молибден и его сплавы; II.10.7.2.3.1.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.2.3.1.8. материалы окон датчиков II.10.7.2.3.2. Технология нанесения алмазоподобного углерода на материалы окон датчиков II.10.7.2.3.3. Технология нанесения силицидов на керамики и стекла с малым коэффициентом расширения II.10.7.2.4. Технологии нанесения покрытий методом физического осаждения паров с применением катодно-дугового разряда Примечание Процесс покрытия с применением катодной дуги использует расходуемый катод как материал, который формирует покрытие, и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером). Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть или коническим и расположенным по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения. Это определение не включает нанесение покрытий беспорядочной (произвольной) катодной дугой с фиксированным положением изделия II.10.7.2.4.1. Технология нанесения сплавов силицидов на суперсплавы II.10.7.2.4.2. Технология нанесения сплавов алюминидов на суперсплавы II.10.7.2.4.3. Технология нанесения МЦрАлЬ на суперсплавы II.10.7.2.4.4. Технологии нанесения боридов на: II.10.7.2.4.4.1. полимеры; Примечание Упомянутые в пунктах II.10.7.2.4.4.1., II.10.7.2.4.5.1., II.10.7.2.4.6.1. полимеры влючают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны II.10.7.2.4.4.2. органические матричные композиты II.10.7.2.4.5. Технологии нанесения карбидов на: II.10.7.2.4.5.1. полимеры; II.10.7.2.4.5.2. органические матричные композиты II.10.7.2.4.6. Технологии нанесения нитридов на: II.10.7.2.4.6.1. полимеры; II.10.7.2.4.6.2. органические матричные композиты II.10.7.3. Технологии нанесения покрытий методом цементации Примечания:
1. Технология для одношаговой порошковой цементации твердых профилей крыльев экспортному контролю не подлежит. 2. Порошковая цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из: металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); активатора (в большинстве случаев галогенидная соль); инертной пудры, наиболее часто оксида алюминия. Изделие и порошок содержатся внутри реторты (камеры), о которая нагревается от 1030 К (757 С) до 1375 К о (1102 С) на время, достаточное для нанесения покрытия II.10.7.3.1. Технологии нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.3.1.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.3.1.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.3.2. Технологии нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.3.2.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.3.2.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.3.3. Технологии нанесения силицидов на: II.10.7.3.3.1. титановые сплавы; II.10.7.3.3.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.3.4. Технология нанесения алюминидов на титановые сплавы II.10.7.3.5. Технология нанесения сплавов алюминидов на титановые сплавы II.10.7.3.6. Технология нанесения оксидов на тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.4. Технологии нанесения покрытий методом плазменного напыления Примечания: 1. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру и пруток (проволоку) из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть построено на напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой, реализуемой под водой 2. Низкое давление означает давление ниже атмосферного
3. Высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей о 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 К (20 С) и давлении 0,1 МПа II.10.7.4.1. Технология нанесения МГрАлЬ и их смесей на: II.10.7.4.1.1. суперсплавы; II.10.7.4.1.2. алюминиевые сплавы; Примечание Термин "алюминиевые сплавы", упомянутый в пунктах II.10.7.4.1.2., II.10.7.4.2.2., II.10.7.4.7., соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв в 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 К о (20 С) II.10.7.4.1.3. коррозионностойкие стали II.10.7.4.2. Технология нанесения модифицированного оксида циркония и его смесей на: II.10.7.4.2.1. суперсплавы; II.10.7.4.2.2. алюминиевые сплавы; II.10.7.4.2.3. коррозионностойкие стали Примечание Указанный в пунктах II.10.7.4.2., II.10.7.6.5. модифицированный оксид циркония соответствует добавкам оксидов других металлов (таких как кальций, магний, иттрий, гафний, редкоземельных оксидов и т.д.) в оксид циркония в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из оксида циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, экспортному контролю не подвергаются II.10.7.4.3. Технология нанесения эрозионностойкого никель-графита на: II.10.7.4.3.1. суперсплавы; II.10.7.4.3.2. титановые сплавы II.10.7.4.4. Технология нанесения эрозионностойкого никель-хром-алюминий-бетонита на: II.10.7.4.4.1. суперсплавы; II.10.7.4.4.2. титановые сплавы II.10.7.4.5. Технология нанесения эрозионностойкого алюминий-кремнийполиэфира на: II.10.7.4.5.1. суперсплавы; II.10.7.4.5.2. титановые сплавы II.10.7.4.6. Технология нанесения сплавов алюминидов на: II.10.7.4.6.1. суперсплавы; II.10.7.4.6.2. титановые сплавы II.10.7.4.7. Технологии нанесения силицидов и их смесей на алюминиевые сплавы II.10.7.4.8. Технология нанесения алюминидов на: II.10.7.4.8.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.8.2. титановые сплавы II.10.7.4.9. Технология нанесения силицидов на: II.10.7.4.9.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.9.2. титановые сплавы II.10.7.4.10. Технология нанесения карбидов на: II.10.7.4.10.1. тугоплавкие металлы и их сплавы; II.10.7.4.10.2. титановые сплавы II.10.7.5. Технологии нанесения покрытий методом осаждения суспензии Примечание Осаждение суспензии - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированными в жидкости, связываются с изделием напылением, погружением или окраской, с последующим воздушным или печным осушением, и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия II.10.7.5.1. Технология нанесения легкоплавких силицидов на тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.5.2. Технология нанесения легкоплавких алюминидов (кроме материалов для теплостойких элементов) на тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.5.3. Технология нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.5.3.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.5.3.2. керамические и металлические матричные композиты II.10.7.5.4. Технология нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.5.4.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.5.4.2. керамические и металлические матричные композиты II.10.7.6. Технология нанесения покрытий методом металлизации распылением Примечания:
1. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов достаточна для образования на поверхности мишени атомов материала покрытия с подходящим размещением их на изделии 2. Учитываются только триодная, магнетронная или реактивная металлизация распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также радиочастотное усиление напыления, используемое при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий
3. Низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 кэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия II.10.7.6.1. Технология нанесения сплавов силицидов и их смесей на суперсплавы II.10.7.6.2. Технология нанесения сплавов алюминидов и их смесей на: II.10.7.6.2.1. суперсплавы; II.10.7.6.2.2. титановые сплавы II.10.7.6.3. Технология нанесения покрытий на основе алюминидов, модифицированных благородными металлами, на суперсплавы Примечание Термин "покрытие на основе алюминидов с модификацией благородным металлом" включает многошаговое нанесение покрытий, при котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида II.10.7.6.4. Технология нанесения МЦрАлЬ и их смесей на суперсплавы II.10.7.6.5. Технология нанесения модифицированного оксида циркония и его смеси на суперсплавы II.10.7.6.6. Технология нанесения платины и ее смеси на: II.10.7.6.6.1. суперсплавы; II.10.7.6.6.2. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения II.10.7.6.7. Технология нанесения силицидов и их смесей на: II.10.7.6.7.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.6.7.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.7.3. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.6.8. Технология нанесения диэлектрических слоевых покрытий на: II.10.7.6.8.1. керамики и стекла с малым коэффициентом расширения; II.10.7.6.8.2. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.8.3. керамики и металлические матричные композиты; II.10.7.6.8.4. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.8.5. карбид кремния; II.10.7.6.8.6. молибден и его сплавы; II.10.7.6.8.7. бериллий и его сплавы; II.10.7.6.8.8. материалы окон датчиков II.10.7.6.9. Технология нанесения боридов на титановые сплавы II.10.7.6.10. Технология нанесения нитридов на титановые сплавы II.10.7.6.11. Технология нанесения оксидов на: II.10.7.6.11.1. титановые сплавы; II.10.7.6.11.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.12. Технология нанесения силицидов на: II.10.7.6.12.1. титановые сплавы; II.10.7.6.12.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.13. Технология нанесения алюминидов на: II.10.7.6.13.1. титановые сплавы; II.10.7.6.13.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.14. Технология нанесения карбидов на: II.10.7.6.14.1. титановые сплавы; II.10.7.6.14.2. тугоплавкие металлы и их сплавы II.10.7.6.15. Технология нанесения тугоплавких металлов и их смесей на: II.10.7.6.15.1. углерод-углеродные композиционные материалы; II.10.7.6.15.2. керамики и металлические матричные композиты II.10.7.6.16. Технология нанесения карбидов и их смесей на: II.10.7.6.16.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.16.2. карбид кремния II.10.7.6.17. Технология нанесения вольфрама и его смесей на: II.10.7.6.17.1. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.6.17.2. карбид кремния II.10.7.7. Технологии нанесения покрытий методом ионной имплантации Примечание Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, в котором материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и насыщается (имплантируется) на участок поверхности изделия. К этим процессам с ионным насыщением относятся и процессы, в которых ионное насыщение самопроизвольно выполняется с выпариванием электронным лучом или металлизацией распылением II.10.7.7.1. Технологии нанесения добавок хрома, тантала или ниобия (колумбия) на жаропрочные стали II.10.7.7.2. Технология нанесения боридов на: II.10.7.7.2.1. титановые сплавы; II.10.7.7.2.2. бериллий и его сплавы
II.10.7.7.3. Технология нанесения нитридов на: II.10.7.7.3.1. титановые сплавы; II.10.7.7.3.2. карбид, цементируемый вольфрамом; II.10.7.7.4. Технология нанесения карбидов на карбиды, цементируемые вольфрамом II.10.8. Конструкция и технология производства специально разработанного оборудования, инструментов или приспособлений для производства или измерения параметров лопаток газовых турбин, литых лопастей или краев кожухов II.10.8.1. Конструкция и технология производства автоматического измерительного оборудования, использующего немеханические методы измерения толщины стенок несущих профилей лопаток II.10.8.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения автоматического измерительного оборудования, указанного в пункте I.9.5.1. II.10.8.3. Конструкция и технология производства инструментов, фиксационного и измерительного оборудования для лазерного, водоструйного или электроэрозионного электротехнического сверления отверстий (полостей), указанных в пунктах I.9.5.2.-I.9.5.2.2. II.10.8.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения инструментов, фиксационного и измерительного оборудования для лазерного, водоструйного или электроэрозионного электротехнического сверления отверстий (полостей), указанных в пунктах I.9.5.2.-I.9.5.2.2. II.10.8.5. Конструкция и технология производства керамических стержней (ядер, сердечников) или патронов (вкладышей) II.10.8.6. Конструкция и технология производства керамических стержней (ядер, сердечников) производственного оборудования или инструментов II.10.8.7. Конструкция и технология производства керамических сердечников для выщелачивающего оборудования II.10.8.8. Конструкция и технология производства керамических патронов (оболочек) оборудования для изготовления восковых моделей II.10.8.9. Конструкция и технология производства керамических патронов (вкладышей, оболочек) оборудования для обжигания или выжигания (вжигания) II.10.9. Конструкция и технология производства систем для контроля в реальном масштабе времени, приборов (включая датчики) или оборудования с ЧПУ, специально разработанных для производства газотурбинных двигателей, технологически объединенных агрегатов или компонентов, указанных в пунктах I.11.8.1.-I.11.8.13. II.10.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения систем для контроля приборов или оборудования с ЧПУ, указанных в пункте I.9.6. II.10.11. Конструкция и технология производства оборудования, специально разработанного для производства и испытания (проверки) креплений лопаток газовых турбин, разработанных для функционирования при скоростях на концах лопаток, превышающих 335 м/с и специально разработанные приспособления или детали для них II.10.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства или применения оборудования для производства и испытаний креплений лопаток газовых турбин, указанных в пункте I.9.7. II.10.13. Конструкция и технология производства инструментов, штампов и зажимных приспособлений для соединения в твердом состоянии (термодиффузионным сращиванием) элементов газотурбинных двигателей из суперсплавов и титана II.10.14. Программное обеспечение для проектирования и производства инструментов, штампов и зажимных приспособлений, указанных в пункте I.9.8. II.10.15. Конструкция и технология производства инструментов (оснастки) для производства методом порошковой металлургии и гранульной технологии элементов роторов турбин двига-
телей, способных функционировать при напряжении на уровне 60 % или более предельной прочности на растяжение и о температуре металла 873 К (600 С) или более II.10.16. Программное обеспечение для проектирования, производства или применения инструментов (оснастки), указанных в пункте I.9.9. II.10.17. Конструкция и технология производства оборудования для разработки и производства накопителей на магнитных и оптических дисках II.10.17.1. Конструкция и технология производства оборудования, специально спроектированного для нанесения магнитного покрытия на жесткие (не гибкие) магнитные или магнитооптические носители, указанные в пункте I.16.9.5.1. Примечание Пункт II.10.17.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства оборудования общего назначения для напыления II.10.17.2. Конструкция и технология производства оборудования, снабженного программно-управляемым запоминающим устройством и специально спроектированного для обеспечения качества, сортировки по качеству, прогонов или тестирования жестких магнитных носителей, указанного в пункте II.16.9.5.2. II.10.17.3. Конструкция и технология производства оборудования, специально спроектированного для производства или юстировки головок или головок в сборке с диском, применительно к подлежащим экспортному контролю жестким магнитным и магнитооптическим накопителям, а также их электромеханических или оптических узлов, указанных в пунктах I.16.9.5.-I.16.9.5.2. II.10.18. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или использования оборудования для разработки и производства накопителей на магнитных и оптических дисках, указанных в пунктах I.9.10.-I.9.10.3.
II.11.1. Конструкция и технология производства оборудования для неразрушающего контроля, способного обнаруживать дефекты в трех измерениях, используя методы ультразвуковой или рентгеновской томографии, специально созданного для композитных материалов II.11.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения в оборудовании для неразрушающего контроля, указанного в пункте I.10.1. II.11.3. Конструкция и технология производства магнитометров, магнитных градиометров, эталонных магнитных градиометров и компенсационных систем и специально разработанных компонентов Примечание Экспортный контроль по пунктам II.11.3.-II.11.3.12. не распространяется на конструкцию и технологию производства специальных инструментов для биомагнитных измерений медицинской диагностики, если они не содержат датчиков, указанных в пунктах I.10.2.8.-I.10.2.8.4. II.11.3.1. Конструкция и технология производства магнитометров, использующих технологии сверхпроводимости с оптической накачкой или ядерной прецессией (протонной/Оверхаузера) и имеющих среднеквадратическое значение уровня шумов (чувствительность) менее (лучше) 0,05 нТ,деленные на корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.2. Конструкция и технология производства магнитометров с катушкой индуктивности, имеющих среднеквадратическое значение уровня шумов меньше (лучше): II.11.3.2.1. 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частоте менее 1 Гц; II.11.3.2.2. 1*10-3 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц-на частоте 1 Гц или более, но не более 10 Гц; II.11.3.2.3. 1*10-4 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц-на частоте более 10 Гц; II.11.3.3. Конструкция и технология производства волоконнооптических магнитометров со среднеквадратическим значением уровня шума (чувствительностью) менее (лучше) чем 1 нТ,
деленная на корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.4. Конструкция и технология производства магнитных градиометров, использующих наборы магнитометров, указанных в пунктах I.10.2.1., I.10.2.2. или I.10.2.3. II.11.3.5. Конструкция и технология производства волоконнооптических эталонных магнитных градиометров со среднеквадратическим значением уровня шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ, деленные на метр и корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.6. Конструкция и технология производства эталонных магнитных градиометров с использованием технологии, отличной от оптоволоконной, со среднеквадратическим значением уровня шума (чувствительностью) градиента магнитного поля менее (лучше) 0,015 нТ, деленные на метр и корень квадратный из частоты в Гц II.11.3.7. Конструкция и технология производства магнитокомпенсационных систем для магнитных датчиков, предназначенных для работы на подвижных платформах II.11.3.8. Конструкция и технология производства электромагнитных датчиков для измерения электромагнитного поля на частотах 1 кГц и менее, содержащих компоненты, хотя бы один из которых является сверхпроводником (включая устройства на эффекте Джозефсона или сверхпроводящие устройства квантовой интерференции (СКВИД), разработанных для функционирования при температурах ниже критической, и имеющих одну из следующих характеристик: II.11.3.8.1. включающие тонкопленочные СКВИД с минимальным характерным размером менее 2 мкм и соответствующими схемами соединения входа и выхода; II.11.3.8.2. разработанные для функционирования при максимальной скорости нарастания магнитного поля более 10 квантов магнитного потока в секунду; II.11.3.8.3. разработанные для функционирования без магнитного экрана в окружающем земном магнитном поле; II.11.3.8.4. имеющие температурный коэффициент менее 0,1 кванта магнитного потока на кельвин II.11.3.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства и использования магнитометров, градиометров, компенсационных систем и специально разработанных компонентов, указанных в пунктах I.10.2.- I.10.2.8.4. II.11.3.10. Специализированное программное обеспечение для магнитокомпенсационных систем для магнитных датчиков подвижных платформ (транспортных средств) II.11.3.11. Специализированное программное обеспечение для обнаружения магнитных аномалий на подвижных платформах (транспортных средствах) II.11.3.12. Технология производства феррозондовых магнитометров или систем феррозондовых магнитометров с уровнем шумов менее чем 0,05 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частотах менее 1 Гц (среднеквадратическое значение) или 1*10-3 нТ, деленные на корень квадратный из частоты в Гц - на частотах 1 Гц или более (среднеквадратическое значение) II.11.4. Конструкция и технология производства гравитометров II.11.4.1. Конструкция и технология производства гравитометров для наземного использования со статистической точностью менее (лучше) 1 * 10-7 м/с2 (10 мкГал) Примечание Экспортный контроль по пункту II.11.4.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства наземных гравитометров типа кварцевых элементов Уордена II.11.4.2. Конструкция и технология производства аппаратуры для настройки и калибровки наземных гравитометров со статистической погрешностью не хуже чем 7 * 10-6 м/с2 (0,7 мГал) II.11.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования, производства и использования наземных гравитометров и аппаратуры для их настройки и калибровки, указанных в пунктах I.10.3.-I.10.3.2. II.11.6.
Специально разработанное программное обеспечение для коррекции влияния движения гравитометров или гравитационных градиометров II.11.7. Конструкция и технология производства бортовых альтиметров, действующих на частотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц включительно, имеющих одну из следующих характеристик: II.11.7.1. управление мощностью; II.11.7.2. использующих амплитудную модуляцию с переменной фазой II.11.8. Программное обеспечение для проектирования или производства бортовых альтиметров, указанных в пунктах I.10.4.-I.10.4.2. II.11.9. Конструкция и технология производства гироскопов, имеющих характеристики, указанные в пункте I.10.5. II.11.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или производства гироскопов, имеющих характеристики, указанные в пункте I.10.5. II.11.11. Конструкция и технология производства инерциальных навигационных систем (платформенных и бесплатформенных) и инерциального оборудования, указанного в пунктах I.10.6. -I.10.6.2. II.11.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования или производства инерциальных навигационных систем и инерциального оборудования, указанного в пунктах I.10.6.-I.10.6.2. II.11.13. Конструкция и технология производства приемной аппаратуры и специально разработанных компонентов глобальной спутниковой навигационной системы, указанных в пунктах I.10.7.-I.10.7.2. II.11.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования и производства приемной аппаратуры и специально разработанных компонентов глобальной спутниковой системы, указанных в пунктах I.10.7.-I.10.7.2. II.11.15. Программное обеспечение для использования в любом инерциальном навигационном оборудовании и в системе определения курсового направления самолета в воздухе (кроме платформенной системы определения положения самолета в воздухе) Примечание Система определения положения курсового направления самолета в воздухе обычно отличается от инерциальной навигационной системы (ИНС) тем, что система определения углового (курсового) положения самолета в воздухе обеспечивает информацией о направлении и не обеспечивает информацией об ускорении, скорости и положении (координате), снимаемой с ИНС II.11.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для улучшения действующих характеристик или уменьшения навигационной ошибки инерциальных навигационных систем (платформенных и бесплатформенных) и инерциального оборудования для определения местоположения, наведения и управления до уровней, указанных в пункте I.10.6.1. II.11.17. Исходная программа для гибридных комплексных систем, которая улучшает действующие характеристики или уменьшает навигационную ошибку систем до 0,8 морской мили в час и менее, при комбинировании (сочетании) инерциальных данных с любыми из следующих навигационных данных: II.11.17.1. доплеровским определителем (радара) скорости; II.11.17.2. глобальной спутниковой навигационной системой определения местоположения; II.11.17.3. базой данных о местности II.11.18. Конструкция и технология производства систем подводного наблюдения II.11.18.1. Конструкция и технология производства телевизионных систем (включая камеру, осветительные приборы, оборудование мониторинга и передачи сигнала), имеющих предельное разрешение, ограниченное более чем 500 линиями при измерении его в воздушной среде, а также телесистем, специально спроектированных или модифицированных для дистанционного управления подводным судном II.11.18.2.
Конструкция и технология производства подводных телекамер, имеющих предельное разрешение более чем 700 линий при измерении разрешения в воздушной среде II.11.18.3. Конструкция и технология производства систем, специально спроектированных или модифицированных для дистанционного управления подводным судном, использующих способы минимизации эффектов обратного рассеяния, включая РЛС облучения в узком диапазоне или лазерные системы II.11.18.4. Конструкция и технология производства телевизионных камер, предназначенных для съемки объектов с низким уровнем освещенности, специально спроектированных или модифицированных для использования под водой и содержащих трубки с микроканальным усилителем изображения, указанные в пункте I.12.2.1.2.1., и имеющих более чем 150000 активных каналов на площади твердотельного приемника II.11.18.5. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем подводного наблюдения, указанных в пунктах I.10.9.-I.10.9.4. II.11.18.6. Конструкция и технология производства фотодиапозитивных камер, специально спроектированных или модифицированных для подводного применения, указанных в пункте I.10.9.5. II.11.18.7. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения фотодиапозитивных камер, указанных в пункте I.10.9.5. II.11.18.8. Конструкция и технология производства электронных систем наблюдения, специально спроектированных или модифицированных для подводного использования, способных хранить в цифровой форме более чем 50 экспонированных кадров II.11.18.9. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения электронных систем наблюдения, указанных в пункте I.10.9.6. II.11.19. Конструкция и технология производства систем подсветки, специально спроектированных или модифицированных для применения под водой: II.11.19.1. стробоскопических световых систем с энергией выхода более чем 300 Дж в одной вспышке; II.11.19.2. аргонодуговых световых систем, специально спроектированных для использования под водой на глубинах ниже 1000 м; II.11.19.3. программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем подсветки, указанных в пунктах I.10.10.-I.10.10.2. II.11.20. Конструкция и технология производства акустической аппаратуры, оборудования и систем II.11.20.1. Конструкция и технология производства морских акустических систем, аппаратуры или специально разработанных компонентов II.11.20.1.1. Конструкция и технология производства активных (передающих или приемопередающих) акустических систем оборудования или специально разработанных компонентов Примечание Экспортный контроль по пункту II.11.20.1.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства звуковых измерителей глубины вертикального действия без сканирования луча в пределах свыше +10о, имеющих ограниченное применение для измерения глубины или расстояния до погруженного или заглубленного объекта, а также косяков рыбы II.11.20.1.1.1. Конструкция и технология производства широкообзорных акустических систем морского картографирования, разработанных: II.11.20.1.1.1.1. для измерения при углах отклонения от вертикали более 10о и измерения глубин более 600 м от поверхности воды; II.11.20.1.1.1.2. для использования набора лучей, каждый из которых не шире 2о, или для обеспечения точности измерений лучше 0,5 % глубины воды, полученной усреднением отдельных измерений II.11.20.1.1.2.
Конструкция и технология производства акустических систем обнаружения или определения местоположения объекта, имеющих одну из следующих характеристик: II.11.20.1.1.2.1. рабочую частоту менее 10 кГц; II.11.20.1.1.2.2. уровень звукового давления свыше 224 дБ (1 мкПа на 1 м) для аппаратуры с рабочей частотой в диапазоне от 10 до 24 кГц; II.11.20.1.1.2.3. уровень звукового давления свыше 235 дБ (1 мкПа на 1 м) для аппаратуры с рабочей частотой в диапазоне от 24 до 30 кГц; II.11.20.1.1.2.4. формирование луча уже 1о по любой оси и рабочую частоту ниже 100 кГц; II.11.20.1.1.2.5. разработанные для нормального функционирования на глубинах свыше 1000 м и имеющих передатчик с одной из следующих характеристик: II.11.20.1.1.2.5.1. динамически подстраиваемый под давление; II.11.20.1.1.2.5.2. содержащий излучающий элемент, отличный от титаната цирконата; II.11.20.1.1.2.5.3. разработанный для измерения расстояний до объектов более 5120 м II.11.20.1.1.3. Конструкция и технология производства акустических прожекторов, включающих излучатели с пьезоэлектрическими, магнитострикционными, электрострикционными, электродинамическими или гидравлическими элементами, функционирующих независимо или в совокупности и имеющих одну из следующих характеристик: II.11.20.1.1.3.1. плотность мгновенно излучаемой акустической мощности, превышающую 0,01 мВт/(кв.мм * Гц) для приборов, действующих на частотах ниже 10 кГц; II.11.20.1.1.3.2. плотность непрерывно излучаемой акустической мощности, превышающую 0,001 мВт/(кв.мм * Гц) для приборов, действующих на частотах ниже 10 кГц; II.11.20.1.1.3.3. проектное предназначение для нормального функционирования на глубинах свыше 1000 м; II.11.20.1.1.3.4. способность подавления боковых лепестков более 22 дБ Примечание Экспортный контроль по пунктам II.11.20.1.1.3.- II.11.20.1.1.3.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства электронных источников с только вертикальным акустическим излучением или механических (например, воздушных или паровых ружей) или химических (например, взрывных) источников II.11.20.1.1.4. Конструкция и технология производства акустических систем, аппаратуры или специально разработанных компонентов для определения положения надводных или подводных судов, разработанных: II.11.20.1.1.4.1. для работы на дистанции свыше 1000 м с точностью позиционирования менее 10 м при измерении на расстоянии 1000 м; II.11.20.1.1.4.2. для работы на глубинах более 1000 м Примечание Пункты II.11.20.1.1.4.-II.11.20.1.1.4.2. включают конструкцию и технологию производства аппаратуры с использованием когерентной обработки сигналов между двумя или более маяками и гидрофонного устройства надводных и подводных судов, либо аппаратуры, обладающей способностью автокоррекции погрешности скорости распространения звука II.11.20.1.2. Конструкция и технология производства пассивных (принимающих в штатном режиме независимо от связи с активной аппаратурой) акустических систем, аппаратуры или специально разработанных компонентов II.11.20.1.2.1. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей) II.11.20.1.2.1.1. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), включающих гибкие датчики непрерывного действия или сборки датчиков дискретного действия с диаметром либо длиной менее 20 мм и расстоянием между элементами менее 20 мм II.11.20.1.2.1.2. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), имеющих любой из следующих чувствительных элементов: II.11.20.1.2.1.2.1. оптоволоконный; II.11.20.1.2.1.2.2. пьезоэлектрический полимерный; II.11.20.1.2.1.2.3.
пьезоэлектрический из гибкой керамики II.11.20.1.2.1.3. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), имеющих гидрозвуковую чувствительность лучше -180 дБ на любой глубине, без компенсации ускорения II.11.20.1.2.1.4. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), разработанных для глубин не более 35 м, с гидрозвуковой чувствительностью лучше -186 дБ и компенсацией ускорения II.11.20.1.2.1.5. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), разработанных для нормальной работы на глубинах более 35 м, с гидрозвуковой чувствительностью лучше -192 дБ и компенсацией ускорения II.11.20.1.2.1.6. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), разработанных для нормальной работы на глубинах свыше 100 м, с гидрозвуковой чувствительностью лучше -204 дБ II.11.20.1.2.1.7. Конструкция и технология производства гидрофонов (преобразователей), разработанных для работы на глубинах более 1000 м II.11.20.1.2.2. Конструкция и технология производства буксируемых акустических гидрофонных решеток: II.11.20.1.2.2.1. с расположением гидрофонов менее чем на 12,5 м в решетке; II.11.20.1.2.2.2. с расположением гидрофонной группы от 12,5 до 25 м, разработанной или способной быть модифицированной для работы на глубине более 25 м; II.11.20.1.2.2.3. с расположением гидрофонной группы на расстоянии 25 м или более, разработанной для работы на глубине свыше 100 м; II.11.20.1.2.2.4. разработанных или способных быть модифицированными для глубин более 35 м с головными датчиками, включенными в соединительный кабель решетки и имеющими точность лучше +0,5о, или датчиками, смонтированными снаружи соединительного кабеля решетки, обладающими способностью работать с вращением на 360о на глубине более 35 м; II.11.20.1.2.2.5. с неметаллическими усиливающими элементами или соединительным кабелем с продольным усилением кабеля; II.11.20.1.2.2.6. с диаметром гидрофонной решетки в собранном виде менее 40 мм; II.11.20.1.2.2.7. с уплотненным групповым сигналом гидрофона; II.11.20.1.2.2.8. с характеристиками гидрофона, определенными в пунктах I.10.11.1.2.1.-I.10.11.1.2.1.7. II.11.20.1.2.3. Конструкция и технология производства аппаратуры обработки сигналов, специально разработанной для акустических гидрофонных решеток, с любой из следующих характеристик: II.11.20.1.2.3.1. быстрым преобразованием Фурье или другими преобразованиями данных по 1024 или более точкам менее чем за 20 мс без возможности программирования пользователем; II.11.20.1.2.3.2. обработкой во временной или частотной области и корреляцией, включая спектральный анализ, цифровую фильтрацию и формирование луча с использованием быстрого преобразования Фурье или других преобразований или процессов с возможностью программирования пользователем II.11.20.2. Специально разработанное программное обеспечение для формирования акустического луча, обработки в реальном масштабе времени акустических данных при пассивном приеме с использованием шланговых гидрофонных решеток II.11.20.3. Программное обеспечение для обработки в реальном масштабе времени акустических данных для пассивного приема с использованием шланговых гидрофонных решеток II.11.20.4. Конструкция и технология производства наземных геофонов, обладающих способностью к преобразованию в морские системы, оборудования или специально разработанных компонентов, указанных в пунктах I.10.11.1.2.1.- I.10.11.1.2.1.7. II.11.20.5. Конструкция и технология производства аппаратуры на лагах для корреляционного измерения горизонтальной
составляющей скорости относительно морского дна на расстояниях между носителем и дном свыше 500 м
II.12.1. Конструкция и технологии производства изолированных от атмосферы двигательных систем, специально спроектированных для применения под водой II.12.1.1. Конструкция и технология производства, ремонта и восстановления чистоты поверхности изолированных от атмосферы двигательных систем с двигателями циклов Брайтона, Стирлинга или Ренкина, имеющих любую из следующих составляющих: II.12.1.1.1. химические скрубберы или абсорберы, специально спроектированные для удаления двуокиси углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; II.12.1.1.2. системы, специально спроектированные для применения моноатомного газа; II.12.1.1.3. приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой с частотами ниже 10 кГц, или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; II.12.1.1.4. системы, специально спроектированные для прессования продуктов реакции, реформации топлива или хранения продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или более II.12.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем, указанных в пунктах I.11.1.1.- I.11.1.1.4. II.12.1.3. Конструкция и технологии производства, ремонта и восстановления чистоты поверхности дизельных двигателей (для изолированных от атмосферы двигательных систем), имеющих все следующие составляющие: II.12.1.3.1. химические скрубберы или абсорберы, специально спроектированные для удаления двуокиси углерода, моноокиси углерода и частиц из рециркулируемого выхлопа двигателя; II.12.1.3.2. системы, специально спроектированные для применения моноатомного газа; II.12.1.3.3. приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой с частотами ниже 10 кГц или специально смонтированные для смягчения хлопка выброса; II.12.1.3.4. специально спроектированные выхлопные системы с задержкой выброса продуктов сгорания II.12.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения дизельных двигателей, указанных в пунктах I.11.1.2.-I.11.1.2.4. II.12.1.5. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности топливных отсеков для изолированных от атмосферы двигательных систем с выходной мощностью, превышающей 2 кВт, имеющих какую-либо из следующих характеристик: II.12.1.5.1. приборы или глушители, специально спроектированные для снижения шума под водой с частотами ниже 10 кГц, или специально смонтированные приборы для смягчения хлопка выброса; II.12.1.5.2. системы, специально спроектированные для прессования продуктов реакции или для реформации топлива, хранения продуктов реакции или выхлопа продуктов реакции при противодавлении в 100 кПа или более II.12.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования и производства топливных отсеков, указанных в пунктах I.11.1.3.- I.11.1.3.2. II.12.1.7. Конструкция и технология производства подъемных вентиляторов с уровнем мощности более 400 кВт, специально спроектированных для судов с поверхностным эффектом, указанных в пунктах I.13.1.6. или I.13.1.7. II.12.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения подъемных вентиляторов, указанных в пункте I.11.2. II.12.1.9. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности систем движи-
телей с водяным винтом или передачи мощности, специально спроектированных для судов с поверхностным эффектом (с полностью изменяемой или неизменяемой поверхностной конфигурацией), для судов с гидрокрыльями и на небольшом подводном крыле, указанных в пунктах I.13.1.6.- I.13.1.9.: II.12.1.9.1. суперкавитационных, супервентиляторных, частично погруженных или опускаемых (проникающих через поверхность) движителей с уровнем мощности более 7,5 МВт; II.12.1.9.2. соосных гребных винтов противоположного вращения с уровнем передаваемой мощности более 15 МВт; II.12.1.9.3. систем, служащих для выравнивания потока, набегающего на движитель; II.12.1.9.4. легковесного, высокого качества (значение К-фактора превышает 300) редуктора; II.12.1.9.5. систем передачи мощности трансмиссионным валом, включающих компоненты из композиционных материалов и способных осуществлять передачу мощности, большую 1 МВт II.12.1.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем, указанных в пунктах I.11.3.-I.11.3.5. II.12.1.11. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности движителей с водяным винтом, системы получения и передачи энергии для применения на судах: II.12.1.11.1. гребных винтов регулируемого шага и сборки ступицы с уровнем передачи мощности более 30 МВт; II.12.1.11.2. электрических двигателей с водяным внутренним охлаждением и выходной мощностью выше 2,5 МВт; II.12.1.11.3. магнитогидродинамических движителей с выходной мощностью более 0,1 МВт с применением сверхпроводимости; II.12.1.11.4. систем передачи мощности трансмиссионным валом, включающих компоненты из композиционных материалов и способных осуществлять передачу мощности, большую 2 МВт; II.12.1.11.5. систем вентиляторных (или на базе вентиляторных) винтов с уровнем передаваемой мощности более 2,5 МВт II.12.1.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения движителей, указанных в пунктах I.11.4.- I.11.4.5 II.12.1.13. Конструкция, технологии производства и капитального ремонта систем снижения шума для применения на судах водоизмещением 1000 тонн или более: II.12.1.13.1. систем снижения шума, уменьшающих уровень шума частотой ниже 500 Гц и состоящих из компаундных акустических сборок для акустической изоляции дизельных двигателей, дизель-генераторных установок, газовых турбин, газотурбинных генераторных установок, двигательных установок или редукторов, специально спроектированных для звуковой или вибрационной изоляции, имеющих усредненную массу свыше 30 % от массы всего монтируемого оборудования; II.12.1.13.2. активных систем снижения шума или его погашения, или подшипников на магнитном подвесе, специально спроектированных для мощных трансмиссионных систем, и включающих электронные системы управления, способные активно снижать вибрации оборудования генерацией антишумовых или антивибрационных сигналов непосредственно у источника шума II.12.1.14. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем снижения шума, указанных в пунктах I.11.5.-I.11.5.2. II.12.1.15. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности систем движения на струйном двигателе с уровнем выходной мощности, превышающим 2,5 МВт, использующих отклоняющееся сопло и технику регулирования потока лопаткой (лопастью) с целью увеличения эффективности движителя или снижения генери-
руемых движителем и распространяемых под водой шумов II.12.1.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения в системах движения на струйном двигателе, указанных в пункте I.11.6. II.12.1.17. Специфическое программное обеспечение, специально созданное или модифицированное для разработки, производства, текущего ремонта, капитального ремонта или восстановления чистоты поверхности (ремашинизации) винтов, специально спроектированных для снижения их шума под водой II.12.1.18. Технология производства, текущего ремонта, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности (ремашинизации) винтов, специально спроектированных для снижения их шума под водой II.12.2. Конструкция и технология производства, ремонта и восстановления морских газотурбинных двигателей с эксплуатационной мощностью 13,795 кВт или более и удельным расходом топлива менее 0,243 кг/(кВт*ч), и специально разработанных агрегатов и компонентов для таких двигателей II.12.3. Программное обеспечение, необходимое для проектирования и производства морских газотурбинных двигателей, указанных в пункте I.11.7. II.12.4. Программное обеспечение, необходимое для работы полностью автономных электронно-цифровых контроллеров для двигательных систем, указанных в пункте I.11.7. II.12.5. Конструкция и технология производства специально разработанных агрегатов и компонентов газотурбинных двигателей II.12.5.1. Конструкция и технология производства многокупольных камер сгорания, работающих при средних температурах на о выходе из камеры свыше 1643 К (1370 С), или камер сгорания, содержащих термически разделенные теплозащитные элементы, неметаллические теплозащитные элементы или неметаллические корпуса II.12.5.2. Конструкция и технология производства компонентов, изготовленных из органических композиционных материалов для о температур применения свыше 588 К (315 С) или из металлических матричных композиционных, керамических матричных, интерметаллических усиленных материалов, в том числе из материалов, указанных в пунктах I.3.3.- I.3.3.2. II.12.5.3. Конструкция и технология производства неохлаждаемых турбинных лопаток, лопастей, верхних частей венцов или других компонентов, спроектированных для работы в газоо вом потоке с температурой в 1323 К (1050 С) или выше II.12.5.4. Конструкция и технология производства охлаждаемых турбинных лопаток, лопастей, верхних частей венцов иных, кроме указанных в пунктах I.11.8.1. и I.11.8.2., работающих без тепловой защиты при температуре газа в о 1643 К (1370 С) или выше II.12.5.5. Технология производства и крепления турбинных лопаток из композитов, способных выдерживать более чем 2000 кВт при скоростях потока свыше 0,55 М II.12.5.6. Конструкция и технология производства комбинаций лопасти с профилем крыла - диском турбины, с использованием метода соединения элементов в твердом состоянии II.12.5.7. Конструкция и технология производства высокоресурсных вращающихся компонентов газотурбинного двигателя, использующих материалы, изготовленные методом порошковой металлургии II.12.5.8. Конструкция и технология производства системы автономного электронно-цифрового контроллера для газотурбинных двигателей и двигателей комбинированного цикла, относящегося к ней диагностического оборудования, датчиков и специально спроектированных элементов II.12.5.9. Конструкция и технология производства систем управления геометрией газового потока и систем управления в целом для: II.12.5.9.1 газогенераторных турбин; II.12.5.9.2. вентиляторных или мощных турбин Примечание
По пунктам II.12.5.9.-II.12.5.9.2. экспортный контроль не распространяется на конструкцию и технологию производства систем управления газового потока, осуществляемого с целью реверса тяги II.12.5.10. Конструкция и технология производства систем управления зазором между венцом и лопатками ротора, использующих технологию активной компенсации зазора турбинным кожухом II.12.5.11. Конструкция и технология производства газовых подшипников для сборок ротора газотурбинного двигателя; II.12.5.12. Конструкция и технология производства пустотелых лопаток с широкой хордой без межпролетного крепления II.12.6. Программное обеспечение, необходимое для проектирования или производства специально разработанных агрегатов и компонентов газотурбинных двигателей, указанных в пунктах I.11.8.-I.11.8.13. II.12.7. Программное обеспечение в коде источника, объектном или машинном коде, требуемое для применения в активных компенсационных системах для управления зазором между венцом и лопатками ротора, указанных в пункте I.11.8.11. Примечание По пункту II.12.7. экспортный контроль не распространяется на программное обеспечение, вложенное в не подлежащее контролю оборудование или требуемое для технического обслуживания, связанного с калибровкой или ремонтом или модернизацией системы управления с активной компенсацией зазора II.12.8. Технология производства компонентов газотурбинных двигателей с применением лазерного, водоструйного или электроэрозионного электротехнического методов сверления отверстий (полостей): II.12.8.1. глубиной, более чем в 4 раза большей их диаметра, диаметром меньше 0,76 мм и углами наклона, равными или менее 25 о; II.12.8.2. глубиной, более чем в 5 раз большей их диаметра, диаметром меньше 0,4 мм и углами наклона более 25 о Примечание Применительно к пункту II.12.8. угол наклона измеряется от поверхности, обдуваемой потоком, тангенциально в точке, где ось отверстия пересекается с этой поверхностью II.12.9. Конструкция и технология производства вертолетных систем передачи мощности или систем передачи мощности на заваленный несущий винт или заваленное крыло воздушного летательного аппарата: II.12.9.1. способных снизить операционное время на смазку на 30 мин и более; II.12.9.2. имеющих на входе соотношение мощности и веса 8,87 кВт/кг и более II.12.10. Конструкция и технология производства поршневого дизельного двигателя наземных систем станции с силовой установкой, имеющей объем бокса 1,2 куб.м или меньше, полную выходную мощность более чем 750 кВт, плотность мощности более чем 700 кВт/куб.м объема бокса Примечание Объем бокса определяется как производная трех значений перпендикуляров, измеренных следующим образом: длина: длина коленчатого вала от переднего фланца до лицевой плоскости маховика; ширина: максимальное значение из следующих измерений: внешнего расстояния от одной крайней крышки клапана до другой крайней крышки; расстояния между краями головок цилиндров; диаметра кожуха маховика; высота: наибольшее из следующих измерений: расстояния от оси коленчатого вала до верхней плоскости клапанной крышки (или головки цилиндра) плюс удвоенная длина хода поршня; диаметра кожуха маховика. II.12.11. Конструкция и технология производства специально спроектированных компонентов, предназначенных для дизельных двигателей с высокой выходной мощностью Примечание Дизельные двигатели с высокой выходной мощностью - это двигатели с номинальным значением эффективного давления торможения 1,8 МПа или более при скорости вращения 2300 об/мин, обеспечивающие скорости вращения 2300 об/мин или более II.12.11.1.
Конструкция и технология производства систем двигателя, имеющего гильзы цилиндров, поршни, головки цилиндров, один или более других компонентов (включая выхлопные отверстия, турбонаддув, направляющие клапанов, сборки клапана или изолированные топливные инжекторы), изготовленные из керамических материалов II.12.11.2. Конструкция и технология производства систем турбонаддува с одноступенчатыми компрессорами, имеющих соотношение давлений (степень сжатия) 4:1 или выше, расход топлива в диапазоне от 30 до 130 кг/мин и способность изменять сечение потока внутри компрессора или секций турбины II.12.11.3. Конструкция и технология производства систем топливной инжекции со специально спроектированной многотопливной (т.е. дизельным или обычным топливом) способностью к изменению вязкости топлива в диапазоне от дизельного топо лива (2,5 сантистокса при 310,8 К (37,8 С)) до о бензина (0,5 сантистокса при 310,8 К (37,8 С)), имеющих инжектируемое количество больше чем 230 куб.м на один впрыск в один цилиндр и детали специально спроектированного электронного управления для регулятора переключения и автоматического измерения характеристик в зависимости от определенного значения момента вращения применением адаптивных датчиков II.12.12. Конструкция и технология производства дизельных двигателей с высокой выходной мощностью с твердыми, газофазными или жидкопленочными (или их комбинациями) смазками стенок цилиндров, позволяющими выдерживать температуры, о превышающие 723 К (450 С), измеряемые на стенке цилиндра в верхней предельной точке касания поршневого кольца
II.13.1 Оптика II.13.1.1. Конструкция и технология производства оптических зеркал (отражателей) II.13.1.1.1. Конструкция и технология разработки или производства деформируемых зеркал с непрерывными либо многоэлементными поверхностями и специальными компонентами, способными динамически менять расположение элементов поверхности с частотой свыше 100 Гц II.13.1.1.2. Конструкция и технология производства сверхлегких монолитных зеркал со средней эквивалентной плотностью менее 30 кг/кв.м и суммарной массой более 10 кг II.13.1.1.3. Конструкция и технология производства сверхлегких составных или пенных зеркальных структур со средней эквивалентной плотностью менее 30 кг/кв.м и суммарной массой более 2 кг II.13.1.1.4. Конструкция и технология производства зеркал диаметром или с длиной большей оси более 100 мм и с управлением лучом в полосе частот более 100 Гц II.13.1.1.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства зеркал, указанных в пунктах I.12.1.1.1.-I.12.1.4. II.13.1.2. Конструкция и технология производства оптических компонентов из селенида цинка (ЗнСе) или сульфида цинка (ЗнС) с передачей в диапазоне длин волн свыше 3000 нм, но не более 25000 нм, имеющих одну из следующих характеристик: II.13.1.2.1. объем более 100 куб.см; II.13.1.2.2. диаметр или длина большей оси более 80 мм и толщина(глубина) 20 мм и более II.13.1.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оптических компонентов из селенида цинка (ЗнСе) или сульфида цинка (ЗнС), указанных в пунктах I.12.1.2.-I.12.1.2.2. II.13.1.3. Технологии производства компонентов оптических систем для космических применений II.13.1.3.1. Технология производства сверхлегких оптических элементов с эквивалентной плотностью менее чем 20 % по сравнению с твердотельными пластинами той же апертуры и толщины II.13.1.3.2. Технология производства подложек с поверхностным покрытием (однослойным, многослойным, металлическим или
диэлектрическим, проводящим, полупроводящим или изолирующим) или подложек с защитными пленками II.13.1.3.3. Технология производства сегментов или узлов зеркал для установки в космосе в оптические системы с общей апертурой, эквивалентной или большей 1 м II.13.1.3.4. Технология производства компонентов оптических систем, изготовленных из композиционных материалов с коэффициентом линейного теплового расширения равным, или меньшим 5*10-6 в направлении любой координаты II.13.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства компонентов оптических систем для космического применения, указанных в пунктах I.12.1.3.-I.12.1.3.4. II.13.1.5. Технология производства оптических фильтров II.13.1.5.1. Технология производства оптических фильтров для длин волн более 250 нм, включающих многослойные оптические покрытия и имеющих полосу пропускания до половинной интенсивности до 1 нм включительно и пиковую передачу 90 % и более, или полосу пропускания до 0,1 нм включительно и пиковую передачу 50 % и более Примечание Экспортный контроль по пункту II.13.1.5.1. не распространяется на технологию производства оптических фильтров с постоянным воздушным зазором или фильтров типа Лио II.13.1.5.2. Технология производства оптических фильтров для длин волн более 250 нм, имеющих настраиваемость в спектральном диапазоне 500 нм и более, мгновенную полосу пропускания 1,25 нм или менее, установку в течение 0,1 мс с точностью 1 нм или лучше в пределах перестраиваемого спектрального диапазона, однопиковый коэффициент пропускания 91 % или более II.13.1.5.3. Технология производства оптических переключателей на конденсаторах (фильтрах) с полем обзора 30о или шире и временем отклика равным или менее 1 нс II.13.1.5.4. Технология производства оптических фильтров с шириной полосы пропускания равной или меньшей 10 нм, полем обзора более 10о и разрешением свыше 0,75 пар линий на мм II.13.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оптических фильтров, указанных в пунктах I.12.1.4.-I.12.1.4.3. и II.13.1.5.4. II.13.1.7. Конструкция и технология производства аппаратуры оптического контроля II.13.1.7.1. Конструкция и технология производства аппаратуры, специально разработанной для обеспечения качества поверхности или ориентации оптических компонентов, указанных в пунктах I.12.1.3.1. или I.12.1.3.3. II.13.1.7.2. Программное обеспечение, специально созданное для проектирования или производства аппаратуры, специально разработанной для обеспечения расчета поверхности или ориентации оптических компонентов, указанных в пункте I.12.1.5.1. II.13.1.7.3. Конструкция и технология производства аппаратуры, имеющей управление, слежение, стабилизацию или подстройку резонатора с полосой частот равной или более 100 Гц и погрешностью 10 мкрад или менее II.13.1.7.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры, указанной в пункте I.12.1.5.2. II.13.1.7.5. Конструкция и технология производства кардановых подвесов с максимальным углом поворота 5о, шириной полосы частот более 100 Гц, обладающих любой из следующих характеристик: II.13.1.7.5.1. диаметр или длина большей оси более 0,15 м, но не более 1 м, чувствительность к угловым ускорениям более 2 рад/с2, погрешность углового наведения 200 мкрад или менее; II.13.1.7.5.2. специально разработанных для юстировки фазированных решеток или фазированных систем сегментных зеркал, состоящих из зеркал с диаметром сегмента или его большей полуоси 1 м или более, обладающих
чувствительностью к угловым ускорениям более 0,5 рад/с2 и погрешностью углового наведения 200 мкрад или менее II.13.1.7.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства кардановых подвесов, указанных в пунктах I.12.1.5.3.-I.12.1.5.3.2. II.13.1.8. Конструкция и технология производства аппаратуры для измерения абсолютного значения отражательной способности с погрешностью +0,1 % или менее II.13.1.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры для измерения абсолютного значения отражательной способности с погрешностью +0,1 % или менее II.13.1.10. Технология обработки и покрытия оптических поверхностей с общими потерями (поглощение и рассеяние) менее чем 5*10-3 и диаметром или длиной большей оси 500 мм и более, требуемая для достижения однородности оптических покрытий 99,5 % или лучше II.13.1.11. Технология производства серийно выпускаемых оптических компонентов с суммарной поверхностью более 10 кв.м в год, или разовой продукции с площадью более 1 кв.м и средне-квадратической погрешностью обработки 1/10 длины волны на заданной длине волны II.13.1.12. Методы одноточечного вращения алмазов с получением конечной среднеквадратической точности обработки поверхности лучше чем 10 нм на неплоских поверхностях площадью более 0,5 кв.м II.13.2. Конструкция и технология производства оптических датчиков II.13.2.1. Конструкция и технология производства оптических детекторов Примечание Экспортный контроль по пунктам II.13.2.1.- II.13.2.1.4. не распространяется на конструкцию и технологию производства германиевых или кремниевых фотодиодов II.13.2.1.1. Конструкция и технология производства оптических детекторов для использования в космосе в виде единичного элемента, линейки в фокальной плоскости или двух двумерных элементов, имеющих: II.13.2.1.1.1. групповой отклик на длине волны короче 300 нм и отклик менее 0,1 % относительно пикового отклика на длине волны свыше 400 нм; II.13.2.1.1.2. пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше 900 нм, но не более 1200 нм, и постоянную времени отклика 95 нс или менее; II.13.2.1.1.3. пиковый отклик в диапазоне длин волн более 1200 нм, но не свыше 30000 нм II.13.2.1.2. Конструкция и технология производства электронно-оптических усилителей яркости и специальных компонентов II.13.2.1.2.1. Конструкция и технология производства электронно-оптических усилителей яркости, имеющих пиковый отклик в диапазоне длин волн свыше 400 нм, но не более 1050 нм, микроканальный анод для электронного усилителя изображения с шагом отверстий (расстояние между центрами) менее 25 мкм и фотокатоды С-20, С-25, многощелевой фотокатод или фотокатоды из ГаАс или ГаИнАс; II.13.2.1.2.2. Конструкция и технология производства специально разработанных компонентов для электронно-оптических усилителей яркости: II.13.2.1.2.2.1. оптоволоконных инверторов; II.13.2.1.2.2.2. микроканальных анодов, имеющих 15000 или более ламп с тлеющим разрядом на плате и шаг отверстий (расстояние между центрами) менее 25 мкм; II.13.2.1.2.2.3. фотокатодов из ГаАс или ГаИнАс II.13.2.1.3. Конструкция и технология производства неэквидистантных линейных или двумерных матриц в фокальной плоскости с одной из следующих характеристик: II.13.2.1.3.1. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в пределах диапазона волн свыше 900 нм, но не более 1050 нм, и постоянной времени отклика менее 0,5 нс; II.13.2.1.3.2. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в пределах диапазона волн свыше 1050 нм, но не более 1200 нм, и постоянной времени 95 нс или меньше; II.13.2.1.3.3. имеющих отдельные элементы с пиковым откликом в пределах диапазона волн свыше 1200 нм, но не более 30000 нм II.13.2.1.4. Конструкция и технология производства одиночных или многоэлементных полупроводниковых фотодиодов или фототранзисторов вне фокальной плоскости с пиковым откликом на длине волны более 1200 нм и постоянной времени отклика 0,5 нс или менее, не предназначенных для космических применений Примечания:
1. Пункты II.13.2.1.3.-II.13.2.1.4. включают конструкцию производства матриц фотопроводимости и солнечных батарей
2. Экспортный контроль по пункту II.13.2.1.3. не распространяется на конструкцию и технологию производства кремниевых матриц в фокальной плоскости, многоэлементных (не более 16 элементов) фотопроводящих элементов в оболочке или пироэлектрических детекторов, использующих любой из следующих материалов: сульфид свинца; сульфат триглицерина и его разновидности; титанат циркония-лантана-свинца и его разновидности; танталат лития; фторид поливиниллидена и его разновидности; ниобат бария-стронция и его варианты; селенид свинца II.13.2.2. Конструкция и технология производства многоспектральных формирователей изображений для применений в дистанционном зондировании, имеющих любую из следующих характеристик: II.13.2.2.1. мгновенное поле обзора менее 200 мкрад; II.13.2.2.2. специально сконструированных для работы в диапазоне длин волн свыше 400 нм, но не более 30000 нм, обеспечивающих данные изображения на выходе в цифровом формате с использованием детекторов, отличных от кремниевых и предназначенных для космического применения или для воздушного базирования II.13.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для использования многоспектральных формирователей изображений, указанных в пунктах I.12.2.2.-I.12.2.2.2. II.13.2.4. Конструкция и технология производства аппаратуры формирования изображений непосредственного наблюдения в видимом или инфракрасном диапазоне, включающей одно из следующих устройств: II.13.2.4.1. электронно-оптические преобразователи для усиления яркости изображения, указанные в пункте I.12.2.1.2.1.; II.13.2.4.2. матрицы в фокальной плоскости, указанные в пунктах I.12.2.1.3.-I.12.2.1.3.3. Примечание Экспортный контроль по пункту II.13.2.4.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства следующей аппаратуры с фотокатодами, отличными от фотокатодов на ГаАс или ГаИнАс: промышленных или гражданских датчиков охраны, систем учета или контроля дорожного или производственного движения; медицинской аппаратуры; промышленной аппаратуры для контроля, анализа или сортировки материалов; детекторов пламени для промышленных печей; аппаратуры, специально разработанной для промышленного использования II.13.2.5. Конструкция и технология производства специализированных компонентов для оптических датчиков: II.13.2.5.1. космического применения с криогенным охлаждением; II.13.2.5.2. некосмического применения с криогенным охлаждением: II.13.2.5.2.1. замкнутого цикла со средним временем наработки на отказ или средним временем между отказами свыше 2500 ч; II.13.2.5.2.2. саморегулирующихся охладителей Джоуля-Томсона с диаметром отверстия менее 8 мм; II.13.2.5.3. оптоволоконных датчиков: II.13.2.5.3.1. специально изготовленных композиционно или структурно, или модифицированных путем покрытия, с чувствительностью к акустическим, термическим, инерционным, электромагнитным или ядерным эффектам; II.13.2.5.3.2. модифицированных структурно для достижения длины биений менее чем 50 мм (наибольшее двулучепреломление) II.13.3. Конструкция и технология производства камер II.13.3.1. Конструкция и технология производства инструментальных камер II.13.3.1.1. Конструкция и технология производства высокоскоростных записывающих кинокамер с любым форматом пленки от 8 мм до 16мм включительно, в которых пленка движется в процессе записи и в которых запись может производиться со скоростью свыше 13150 кадров в секунду Примечание Экспортный контроль по пункту II.13.3.1.1. не распространяется на конструкцию и технологию производства кинокамер для гражданских целей II.13.3.1.2. Конструкция и технология производства механических высо-
коскоростных камер, в которых пленка не движется, способных вести запись со скоростью свыше 106 кадров в секунду для пленки шириной 35 мм, или для пропорционально более высоких скоростей, более узкой пленки, или для пропорционально меньших скоростей более широкой пленки II.13.3.1.3. Конструкция и технология производства механических или электронных камер-фотохронографов со скоростью записи свыше 10 мм/мкс II.13.3.1.4. Конструкция и технология производства электронных кадровых камер со скоростью свыше 106 кадров в секунду II.13.3.1.5. Конструкция и технология производства электронных камер, имеющих скорость электронного затвора (скорость стробирования) менее 1 мкс на полный кадр и время считывания, позволяющих получать более чем 125 полных кадров в секунду II.13.3.2. Конструкция и технология производства камер для получения видеоизображений Примечание Экспортный контроль по пункту II.13.3.2. не распространяется на конструкцию и технологию производства телевизионных и видеокамер для телевидения II.13.3.2.1. Конструкция и технология производства видеокамер, включающих твердотельные чувствительные элементы, имеющие одну из следующих характеристик: II.13.3.2.1.1. более 4*106 активных пикселей на твердотельную матрицу для монохромной (черно-белой) камеры; II.13.3.2.1.2. более 4*106 активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер с тремя твердотельными матрицами; II.13.3.2.1.3. более 12*106 активных пикселей на твердотельную матрицу для цветных камер с одной твердотельной матрицей II.13.3.2.2. Конструкция и технология производства сканирующих камер и систем сканирующих камер, включающих линейную решетку детекторов с более чем 8192 элементами на решетке, и с механическим сканированием в одном направлении II.13.3.2.3. Конструкция и технология производства камер для получения видеоизображения, включающих преобразователь для усиления яркости изображения, указанный в пункте I.12.2.1.2.1. II.13.3.2.4. Конструкция и технология производства камер для получения видеоизображения, включающих матрицы в фокальной плоскости, указанные в пунктах I.12.2.1.3.- I.12.2.1.3.3. II.13.4. Конструкция и технология производства лазеров, компонентов, оптического оборудования для них II.13.4.1. Конструкция и технология производства газовых лазеров II.13.4.1.1. Конструкция и технология производства эксимерных лазеров, имеющих одну из следующих характеристик: II.13.4.1.1.1. длину волны выходного излучения, не превышающую 150 нм, выходную энергию более 50 мДж на импульс или среднюю, или непрерывную мощность более 1 Вт; II.13.4.1.1.2. длину волны выходного излучения более 150 нм, но не превышающую 190 нм, выходную энергию на импульс, превышающую 1,5 Дж, или среднюю, или непрерывную мощность, превышающую 120 Вт; II.13.4.1.1.3. длину волны выходного излучения, превышающую 190 нм, но не более 360 нм, выходную энергию на импульс, превышающую 10 Дж, или среднюю, или непрерывную выходную мощность, превышающую 500 Вт; II.13.4.1.1.4. длину волны выходного излучения, превышающую 369 нм, выходную энергию на импульс, превышающую 1,5 Дж, или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 30 Вт II.13.4.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства эксимерных лазеров, указанных в пунктах I.12.4.1.1.-I.12.4.1.1.4. II.13.4.1.3. Конструкция и технология производства лазеров на парах металлов: II.13.4.1.3.1. конструкция и технология производства медных (Цу) лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью более 20 Вт; II.13.4.1.3.2. конструкция и технология производства золотых (Ау)
лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью более 5 Вт; II.13.4.1.3.3. конструкция и технология производства натриевых (На) лазеров с выходной мощностью более 5 Вт; II.13.4.1.3.4. конструкция и технология производства бариевых (Ба) лазеров со средней или непрерывной выходной мощностью более 2 Вт II.13.4.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на парах металлов, указанных в пунктах I.12.4.1.2.-I.12.4.1.2.4. II.13.4.1.5. Конструкция и технология производства лазеров на моноокиси углерода (СО) с: II.13.4.1.5.1. выходной энергией более 2 Дж на импульс и импульсной пиковой мощностью более 5 кВт; II.13.4.1.5.2. средней или непрерывной выходной мощностью более 5 кВт II.13.4.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на основе моноокиси углерода, указанных в пунктах I.12.4.1.3.- I.12.4.1.3.2. II.13.4.1.7. Конструкция и технология производства лазеров на двуокиси углерода (СО2) с: II.13.4.1.7.1. непрерывной выходной мощностью более 10 кВт; II.13.4.1.7.2. импульсным излучением с длительностью импульса более 10 мкс, средней выходной мощностью свыше 10 кВт или импульсной пиковой мощностью более 100 кВт; II.13.4.1.7.3. импульсным излучением с длительностью импульса, равным или менее 10 мкс, энергией импульса более 5 Дж, импульсной пиковой мощностью свыше 2,5 кВт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 2,5 кВт II.13.4.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на двуокиси углерода, указанных в пунктах I.12.4.1.4.-I.12.4.1.4.3. II.13.4.1.9. Конструкция и технология производства химических лазеров: II.13.4.1.9.1. водородно-фторовых (Н ) лазеров; II.13.4.1.9.2. дейтерий-фторовых ( ) лазеров; II.13.4.1.9.3. переходных лазеров: II.13.4.1.9.3.1. кислородно-иодовых лазеров (О2-I); II.13.4.1.9.3.2. дейтерий-фторовых-двуокись углеродных ( -СО2) лазеров II.13.4.1.10. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства химических лазеров, на которые наложены ограничения пунктами I.12.4.1.5.- I.12.4.1.5.3.2. II.13.4.1.11. Конструкция и технология производства газоразрядных и ионных лазеров (на ионах криптона или аргона), имеющих: II.13.4.1.11.1. выходную энергию более 1,5 Дж на импульс и импульсную пиковую мощность более 50 Вт;
11.13.4.1.11.2. среднюю или непрерывную мощность более 50 Вт II.13.4.1.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства газоразрядных и ионных лазеров, указанных в пунктах I.12.4.1.6.-I.12.4.1.6.2. II.13.4.1.13. Конструкция и технология производства других газовых лазеров за исключением азотных лазеров с: II.13.4.1.13.1. длиной волны выходного излучения не более 150 нм, выходной энергией на импульс свыше 50 мДж, импульсной пиковой мощностью более 1 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 1 Вт; II.13.4.1.13.2. длиной волны выходного излучения более 150 нм, но не более 800 нм, выходной энергией более 1,5 Дж на импульс, импульсной пиковой мощностью более 30 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 30 Вт; II.13.4.1.13.3. длиной волны выходного излучения более 800 нм, но не более 1400 нм, выходной энергией на импульс более 0,25 Дж, импульсной пиковой мощностью более 10 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 10 Вт; II.13.4.1.13.4. длиной волны выходного излучения свыше 1400 нм и средней или непрерывной мощностью более 1 Вт II.13.4.1.14. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства газовых лазеров, указанных в пунктах I.12.4.1.-I.12.4.1.7.4. II.13.4.2. Конструкция и технология производства полупроводниковых лазеров II.13.4.2.1. Конструкция и технология производства отдельных полупроводниковых одномодовых лазеров с поперечной модой, имеющих среднюю выходную мощность свыше 100 мВт или длину волны более 1050 нм II.13.4.2.2. Конструкция и технология производства отдельных полупроводниковых многомодовых лазеров с поперечными модами или массивов лазеров с: II.13.4.2.2.1. выходной энергией более 500 мкДж на импульс и импульсной пиковой мощностью свыше 10 Вт; II.13.4.2.2.2. средней или непрерывной выходной мощностью свыше 10 Вт; II.13.4.2.2.3. длиной волны более 1050 нм II.13.4.2.3. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства полупроводниковых лазеров, указанных в пунктах I.12.4.2.1.-I.12.4.2.2.3. II.13.4.3. Конструкция и технология производства твердотельных лазеров II.13.4.3.1. Конструкция и технология производства перестраиваемых твердотельных лазеров, имеющих следующие характеристики: II.13.4.3.1.1. длину волны излучения менее 600 нм, выходную энергию более 50 мДж на импульс, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт; II.13.4.3.1.2. длину волны 600 нм или более, но не более 1400 нм, выходную энергию более 1 Дж в импульсе, импульсную пиковую мощность свыше 20 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность свыше 20 Вт; II.13.4.3.1.3. длину волны выходного излучения более 1400 нм, выходную энергию свыше 50 мДж на импульс, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт Примечание Пункт II.13.4.3.1. включает конструкцию и технологию производства титаново-сапфировых (Ти:Ал2О3), тулий-ЫАГ, тулий-ЫСГГ - александрит (Цр:БеАл2О4) лазеров и лазеров с окрашенным центром II.13.4.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства перестраиваемых твердотельных лазеров, указанных в пунктах I.12.4.3.1.- I.12.4.3.1.3. II.13.4.3.3. Конструкция и технология производства неперестраиваемых лазеров Примечание Пункты II.13.4.3.3.-II.13.4.3.3.7.4. включают конструкцию и технологию производства твердотельных лазеров на атомных переходах II.13.4.3.3.1. Конструкция и технология производства рубиновых лазеров
с выходной энергией более 20 Дж в импульсе II.13.4.3.3.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства рубиновых лазеров с выходной энергией более 20 Дж в импульсе II.13.4.3.3.3. Конструкция и технология производства лазеров на неодимовом стекле: II.13.4.3.3.3.1. лазеров с модуляцией добротности, имеющих выходную энергию свыше 20 Дж, но не более 50 Дж в импульсе, среднюю выходную мощность более 10 Вт или выходную энергию свыше 50 Дж в импульсе; II.13.4.3.3.3.2. лазеров без модуляции добротности, имеющих выходную энергию свыше 50 Дж, но не более 100 Дж в импульсе, среднюю выходную мощность более 20 Вт или выходную энергию более 100 Дж в импульсе II.13.4.3.3.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на неодимовом стекле, указанных в пунктах I.12.4.3.2.2.- I.12.4.3.2.2.2. II.13.4.3.3.5. Конструкция и технология производства лазеров с растворенным неодимом с длиной волны более 1000 нм, но не свыше 1100 нм: II.13.4.3.3.5.1. лазеров с модуляцией добротности, импульсным возбуждением и синхронизацией мод с длительностью импульса менее 1 нс, имеющих пиковую мощность более 5 ГВт, среднюю выходную мощность более 10 Вт или импульсную энергию более 0,1 Дж; II.13.4.3.3.5.2. лазеров с модуляцией добротности и синхронизацией мод с длительностью импульса равной или большей 1 нс: II.13.4.3.3.5.2.1. одномодовым излучением, имеющим пиковую мощность более 100 МВт, среднюю выходную мощность более 20 Вт или импульсную энергию свыше 2 Дж; II.13.4.3.3.5.2.2. многомодовым излучением, имеющим пиковую мощность более 200 МВт, среднюю выходную мощность более 50 Вт или импульсную энергию более 2 Дж II.13.4.3.3.5.3. лазеров с импульсным возбуждением без модуляции добротности, имеющих: II.13.4.3.3.5.3.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью более 500 кВт или средней выходной мощностью более 150 Вт; II.13.4.3.3.5.3.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью более 1 МВт или средней мощностью свыше 500 Вт II.13.4.3.3.5.4. лазеров непрерывного возбуждения, имеющих: II.13.4.3.3.5.4.1. одномодовое излучение с пиковой мощностью более 500 кВт или средней, или непрерывной мощностью свыше 150 Вт; II.13.4.3.3.5.4.2. многомодовое излучение с пиковой мощностью более 1 МВт или средней, или непрерывной мощностью свыше 500 Вт II.13.4.3.3.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров с растворенным неодимом, указанных в пунктах I.12.4.3.2.3.- I.12.4.3.2.3.4.2. II.13.4.3.3.7. Конструкция и технология производства других неперестраиваемых лазеров, имеющих: II.13.4.3.3.7.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт; II.13.4.3.3.7.2 длину волны не менее 150 нм, но не более 800 нм, выходную энергию более 1,5 Дж на импульс, импульсную пиковую мощность более 30 Вт или среднюю, или непрерывную мощность более 30 Вт; II.13.4.3.3.7.3. длину волны более 800 нм, но не более 1400 нм: II.13.4.3.3.7.3.1. лазеров с модуляцией добротности с выходной энергией более 0,5 Дж в импульсе, импульсной пиковой мощностью более 50 Вт или средней выходной мощностью, превышающей 10 Вт для одномодовых лазеров и 30 Вт для многомодовых лазеров; II.13.4.3.3.7.3.2. лазеров без модуляции добротности с выходной энергией более 2 Дж в импульсе, импульсной пиковой мощностью свыше 50 Вт или средней, или непрерывной выходной мощностью более 50 Вт; II.13.4.3.3.7.4. длиной волны более 1400 нм, выходной энергией более
100 мДж в импульсе, импульсной пиковой мощностью свыше 1 Вт или средней, или непрерывной мощностью более 1 Вт II.13.4.3.3.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства неперестраиваемых лазеров, указанных в пунктах I.12.4.3.2.4.- I.12.4.3.2.4.4. II.13.4.4. Конструкция и технология производства лазеров на красителях и других жидкостях, имеющих: II.13.4.4.1. длину волны менее 150 нм, выходную энергию более 50 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт; II.13.4.4.2. длину волны 150 нм или более, но не свыше 800 нм, выходную энергию более 1,5 Дж в импульсе, импульсную пиковую мощность свыше 20 Вт, или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 20 Вт, или имеющие генератор одиночной продольной моды со средней выходной мощностью более 1 Вт и частотой повторения более 1 кГц при длительности импульса менее 100 нс; II.13.4.4.3. длину волны более 800 нм, но не свыше 1400 нм, выходную энергию более 500 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 10 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 10 Вт; II.13.4.4.4. длину волны более 1400 нм, выходную энергию более 100 мДж в импульсе, импульсную пиковую мощность более 1 Вт или среднюю, или непрерывную выходную мощность более 1 Вт II.13.4.5. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на красителях и других жидкостях, указанных в пунктах I.12.4.4.- I.12.4.4.4. II.13.4.6. Конструкция и технология производства лазеров на свободных электронах II.13.4.7. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства лазеров на свободных электронах II.13.4.8. Конструкция и технология производства компонентов для лазеров II.13.4.8.1. Конструкция и технология производства зеркал, охлаждаемых либо активным охлаждением, либо трубчатой охладительной системой II.13.4.8.2. Конструкция и технология производства оптических зеркал или прозрачных, или частично прозрачных оптических, или электрооптических компонентов для использования в лазерах, подлежащих экспортному контролю II.13.4.9. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства компонентов лазеров, указанных в пунктах I.12.4.6.-I.12.4.6.2. II.13.4.10. Конструкция и технология производства оптического оборудования II.13.4.10.1. Конструкция и технология производства оборудования динамического измерения фазы волнового фронта с более 50 позициями на волновом фронте луча с: II.13.4.10.1.1. частотой кадра равной или более 100 Гц и фазовой дискриминацией 5 % и более длины волны луча; II.13.4.10.1.2. частотой кадра равной или более 1000 Гц и фазовой дискриминацией 20 % и более длины волны луча II.13.4.10.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оборудования для динамического измерения фазы волнового фронта, указанного в пунктах I.12.4.7.1.-I.12.4.7.1.2. II.13.4.10.3. Конструкция и технология производства оборудования лазерной диагностики со способностью измерения ошибок управления луча лазера сверхвысокой мощности с точностью, равной или менее 10 мкрад II.13.4.10.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оборудования лазерной диагностики, указанного в пункте I.12.4.7.2. II.13.4.10.5. Конструкция и технология производства оптической аппаратуры, узлов и компонентов для системы лазера сверхвысокой мощности с фазированным сложением лучей с точностью 1/10 длины волны или 0,1 мкм (в зависимости от
того, что меньше) II.13.4.10.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства аппаратуры, узлов и компонентов, указанных в пункте I.12.4.7.3. II.13.4.10.7. Конструкция и технология производства защищенных объективов для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности II.13.4.10.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства защищенных объективов для использования с системами лазеров сверхвысокой мощности II.13.4.11. Конструкция и технология производства специально разработанного или модифицированного оборудования, включая инструменты, красители, контрольно-измерительные приборы и другие специальные компоненты и вспомогательные элементы: II.13.4.11.1. для производства или осмотра: II.13.4.11.1.1. магнитных систем лазеров на свободных электронах; II.13.4.11.1.2. фотоинжекторов лазеров на свободных электронах; II.13.4.11.2. для юстировки в пределах требуемой погрешности продольного магнитного поля лазеров на свободных электронах II.13.4.12. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства специально разработанного или модифицированного оборудования, указанного в пунктах I.12.4.8.-I.12.4.8.2. II.13.4.13. Технология производства или методы использования специализированных диагностических инструментов или мишеней в испытательных установках для испытаний лазеров сверхвысокой мощности либо испытаний или оценки стойкости материалов, облучаемых излучением таких лазеров II.13.5. Конструкция и технология производства оптоволоконных кабелей связи, оптических волокон и специально разработанных компонентов и вспомогательного оборудования: II.13.5.1. Технология производства оптических волокон или кабелей длиной свыше 50 м: II.13.5.1.1. разработанных для функционирования в одномодовом режиме; II.13.5.1.2. способных выдерживать напряжение (механическое) 2*109 Н/кв.м или более в контрольном тесте II.13.5.2. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оптических волокон или кабелей, указанных в пунктах I.12.5.1.-I.12.5.1.2. II.13.5.3. Конструкция и технология производства компонентов и вспомогательного оборудования, специально разработанных для оптических волокон или кабелей, указанных в пункте I.12.5.1., за исключением соединителей для использования с оптическими волокнами или кабелями, имеющими потери соединения 0,5 дБ или более II.13.5.4. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства компонентов и вспомогательного оборудования, указанного в пункте I.12.5.2. II.13.5.5. Конструкция и технология производства оптоволоконных кабелей и вспомогательного оборудования, разработанных для использования под водой (для оптоволоконных соединителей и измерителей излучения экспортный контроль осуществляется в соответствии с пунктами I.13.2.1.3. и I.13.2.3.) II.13.5.6. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства оптоволоконных кабелей и вспомогательного оборудования, указанных в пункте I.12.5.3. II.13.5.7. Конструкция и технология производства кабеля из волокон на основе соединений фтора или оптических волокон с поглощением менее 4 дБ/км в диапазоне длин волн более 1000 нм, но не более 3000 нм II.13.5.8. Программное обеспечение, специально разработанное для проектирования или производства кабеля из волокон на основе соединений фтора, указанного в пункте I.12.5.4. для них оборудование
II.14.1. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности подводных аппаратов или надводных судов II.14.1.1. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности пилотируемых человеком, управляемых по проводам подводных аппаратов, спроектированных для операций на глубинах, превышающих 1000 м II.14.1.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения подводных аппаратов, указанных в пункте I.13.1.1. II.14.1.3. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности пилотируемых человеком, неуправляемых по проводам подводных аппаратов: II.14.1.3.1. спроектированных для автономного плавания и имеющих характеристику по подъемной силе 10 % или более их собственного веса (веса в воздухе) или 15 кН или более; II.14.1.3.2. спроектированных для плавания на глубинах, превышающих 1000 м; II.14.1.3.3. спроектированных для экипажа из 4 и более человек, предназначенных для автономного плавания в течение 10 часов и более, имеющих радиус действия 25 морских миль или более и длину 21 м или менее Примечания:
1. При автономном плавании аппарат полностью погружается без шнорхеля, все системы функционируют и обеспечивают плавание при минимальной скорости, при которой погружение может безопасно управляться (с учетом необходимой динамики по глубине погружения) с использованием только глубинных рулей, без участия надводных судов поддержки или базы (береговой или корабля-матки), аппарат имеет двигательную систему для движения в погруженном или надводном состоянии 2. Подъемная сила задается для полезной нагрузки без учета массы экипажа
3. Радиус действия равен половине максимального расстояния, которое аппарат может преодолеть в погруженном состоянии II.14.1.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения подводных аппаратов, указанных в пунктах I.13.1.2.1.-I.13.1.2.3. II.14.1.5. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности непилотируемых человеком, управляемых по проводам подводных аппаратов, спроектированных для плавания на глубинах, превышающих 1000 м, предназначенных для самоходного маневра, используя двигатели и ускорители, указанные в пункте I.13.2.1.2. или имеющих оптоволоконные линии обмена данными II.14.1.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения подводных аппаратов, указанных в пунктах I.13.1.3.-I.13.1.3.2. II.14.1.7. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности непилотируемых человеком, неуправляемых по проводам подводных аппаратов: II.14.1.7.1. спроектированных для решения задачи достижения (прокладки курса) любого географического ориентира без участия человека в реальном масштабе времени; II.14.1.7.2. имеющих канал передачи акустических данных или команд; II.14.1.7.3. имеющих оптоволоконную линию передачи данных или линию передачи команд, превышающую по длине 1000 м II.14.1.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения непилотируемых человеком, неуправляемых по проводам подводных аппаратов, указанных в пунктах I.13.1.4.-I.13.1.4.3. II.14.1.9. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности океанских систем спасения с подъемной силой, превышающей 5 МН для спасения объектов с глубин, превышающих 250 м, имеющих одну из следующих характеристик: II.14.1.9.1. системы динамического управления положением, способные стабилизироваться в пределах (внутри) 20 м относительно заданной точки, фиксируемой навигационной системой; II.14.1.9.2. системы придонной навигации и навигационной интеграции для глубин, превышающих 1000 м, с точностью обеспечения положения в пределах (внутри) 10 м относительно заданной точки II.14.1.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения океанских систем спасения имеющих характеристики, указанные в пунктах I.13.1.5.- I.13.1.5.2. II.14.1.11. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности судов с поверхностным эффектом (с полностью изменяемой поверхностной конфигурацией), обладающих максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 30 узлов при высоте волны 1,25 м (Морская статья 3) или более, амортизирующим давлением свыше 3830 Па и соотношением водоизмещения незагруженного и полнозагруженного судна менее чем 0,7 II.14.1.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения судов, указанных в пункте I.13.1.6. II.14.1.13. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности судов с поверхностным эффектом (с неизменяемой поверхностной конфигурацией) с максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 40 узлов при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более II.14.1.14. Программное обеспечение, специально разработанное или
модифицированное для проектирования, производства или применения судов, указанных в пункте I.13.1.7. II.14.1.15. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности судов с гидрокрылом и активными системами для автоматического управления крылом с максимальной проектной скоростью при полной загрузке 40 узлов или более и высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более II.14.1.16. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения судов, указанных в пункте I.13.1.8. II.14.1.17. Конструкция и технологии производства, капитального ремонта и восстановления чистоты поверхности судов на небольшом подводном крыле с: II.14.1.17.1. водоизмещением при полной загрузке, превышающим 500 т, с максимальной проектной скоростью, превышающей при полной загрузке 35 узлов при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более; II.14.1.17.2. водоизмещением при полной загрузке, превышающим 1500 т, с максимальной проектной скоростью при полной загрузке, превышающей 25 узлов при высоте волны 4 м (Морская статья 6) или более II.14.1.18. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения судов, указанных в пунктах I.13.1.9.- I.13.1.9.2. II.14.2. Конструкция и технология производства систем и оборудования для транспортных средств II.14.2.1. Конструкция и технология производства следующих систем или оборудования, специально спроектированных или модифицированных для подводных судов, спроектированных для плавания на глубинах, превышающих 1000 м: II.14.2.1.1. помещений под давлением или корпусов под давлением с максимальным внутренним диаметром камеры, превышающим 1,5 м; II.14.2.1.2. электродвигателей постоянного тока или тяговых двигателей; II.14.2.1.3. кабельных разъемов и соединителей, в том числе использующих оптоволокно и имеющих силовые элементы из синтетических материалов II.14.2.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем и оборудования, указанных в пунктах I.13.2.1.-I.13.2.1.3. II.14.2.3. Конструкция и технологии производства систем, специально спроектированных или модифицированных для автоматического управления движением подводных судов, указанных в пунктах I.13.1.-I.13.1.5.2., использующих навигационные данные и имеющих закрытые с обратной связью сервоконтролирующие средства: II.14.2.3.1. способных управлять движением судна в пределах (внутри) 10 м относительно заданной точки водяного столба; II.14.2.3.2. позволяющих поддерживать положение судна в пределах (внутри) 10 м относительно заданной точки водяного столба; II.14.2.3.3. позволяющих поддерживать положение судна в пределах (внутри) 10 м при следовании на морском аппарате-матке или на тросе (кабеле) под ним II.14.2.4. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем, указанных в пунктах I.13.2.2.- I.13.2.2.3. II.14.2.5. Конструкция и технология производства оптоволоконных корпусных разъемов или соединителей, специально спроектированных для применения под водой II.14.2.6. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения оптоволоконных корпусных разъемов или соединителей, специально спроектированных для применения под водой II.14.2.7. Конструкция и технология производства кромок, корпусов, уплотнений и выдвижных элементов, имеющих следующие характеристики: II.14.2.7.1.
спроектированных для внешних давлений в 3830 Па или более, функционирующих при высоте волны 1,25 м (Морская статья 3) или более и специально спроектированных для судов с поверхностным эффектом (полностью изменяемой поверхностной конфигурацией), указанных в пункте I.13.1.6. II.14.2.7.2. спроектированных для давлений в 6224 Па или более, функционирующих при высоте волны 3,25 м (Морская статья 5) или более и специально спроектированных для судов с поверхностным эффектом (с неизменяемой поверхностной конфигурацией), указанных в пункте I.13.1.7. II.14.2.8. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения кромок, корпусов, уплотнений и выдвижных элементов с характеристиками, указанными в пунктах I.13.2.4.-I.13.2.4.2. II.14.2.9. Конструкция и технология производства полностью погружаемых подкавитационных или суперкавитационных гидрокрыльев для судов, указанных в пункте I.13.1.8. II.14.2.10. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения гидрокрыльев, указанных в пункте I.13.2.5. II.14.2.11. Конструкция и технология производства активных систем компенсации движения морской среды, специально спроектированных или модифицированных для обеспечения автоматического управления лодками или судами, указанными в пунктах I.13.1.6.-I.13.1.9. II.14.2.12. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения систем, указанных в пункте I.13.2.6. II.14.3. Конструкция и технология систем управления летательных аппаратов II.14.3.1. Исходная программа для интегрирования (объединения) авиационной электроники и программы полета, которая сочетает данные датчиков и использует научную базу экспертных систем II.14.3.2. Исходная программа для разработки: II.14.3.2.1. системы организации работы цифровой полетной системы для полета по оптимизированной траектории; II.14.3.2.2. интегрального двигателя и системы управления полетом; II.14.3.2.3. системы управления по проводам и по сигнальным огням; II.14.3.2.4. отказоустойчивой и самоперестраиваемой активной системы управления полетом; II.14.3.2.5. бортового автоматического оборудования ориентации; II.14.3.2.6. систем воздушных данных, основанных на данных о поверхностных помехах; II.14.3.2.7. дисплея с растровым типом головки и объемного дисплея, имеющего три измерения II.14.3.3. Технология производства бортового автоматически управляемого оборудования, работающего на частотах свыше 5 МГц II.14.3.4. Технология создания системы данных, основанной только на информации о профиле поверхности, т.е. системы, полученной обычным зондированием II.14.3.5. Технология производства дисплеев объемного изображения (в трех измерениях) с растровым типом головки II.14.3.6. Методы создания активных систем управления полетом II.14.3.6.1. Конструкция схемы связи множества движущихся микроэлектронных элементов (в бортовых компьютерах), позволяющей реализовать управление в реальном масштабе времени II.14.3.6.2. Методы учета (компенсации) в алгоритме управления погрешностей определения местоположения датчика или аэродинамической нагрузки на корпус (планер) летательного аппарата, вызванных возмущениями внешней среды II.14.3.6.3. Методы электронного управления избыточными данными или системами резервирования для определения ошибки, определения допустимого отклонения ошибки, локализации ошибки и ее реконфигурации Примечание Экспортному контролю не подлежат методы проектирования физической избыточности II.14.3.6.4.
Методы создания системы управления полетом при воздействии сил и моментов управления, которая позволяет осуществлять перестройку своей структуры для обеспечения управления в реальном масштабе времени автономным летательным аппаратом II.14.3.6.5. Методы объединения цифрового управления полетом, навигационных данных и данных управления двигателем в цифровую систему управления полетом для оптимизации траектории полета, исключая методы для самолетных средств, предназначенные для ненаправленного радиомаяка сверхвысокой частоты, дальномерной аппаратуры, системы слепой посадки, захода на посадку II.14.3.6.6. Методы разработки цифровой системы управления полетом или программы организации работы многодатчиковых управляющих систем, объединяющих научные экспертные системы II.14.3.7. Методы разработки систем управления вертолетом II.14.3.7.1. Методы разработки многокоординатных средств управления по проводам или сигнальным огням, которые объединяют функции по крайней мере двух из нижеследующих элементов в один управляющий элемент: коллективное управление; вращательное управление; управление рысканием II.14.3.7.2. Методы разработки систем управления моментом вращения и скручивающим усилием при вращательном движении II.14.3.7.3. Методы разработки вращающихся лопастей с переменной геометрией аэродинамического профиля для использования в системах управления лопастью
II.15.1. Конструкция и технология производства гидроканалов, имеющих шумовой фон менее 100 дБ (эталон - 1 мкПа, 1 Гц) в частотном диапазоне от 0 до 500 Гц, спроектированных для измерения акустических полей, генерируемых гидропотоком около моделей системы движителя II.15.2. Программное обеспечение, специально разработанное или модифицированное для проектирования, производства или применения гидроканалов, указанных в пункте I.14.1. II.15.3. Конструкция и технология производства измерительно-информационных систем, работающих в реальном масштабе времени, инструментов (включая датчики) или автоматических накопителей данных, специально разработанных для использования в следующих аэродинамических трубах или установках: II.15.3.1. в установках для моделирования набегающего потока с числами Маха, превышающими 5, включая тепловые, плазменнодуговые и ударные аэродинамические трубы, а также аэродинамические трубы с газовым поршнем и газовые пушки; II.15.3.2. в аэродинамических трубах или установках, отличных от двумерных, способных моделировать обтекание потоками при числах Рейнольдса свыше 25*106 II.15.4. Программное обеспечение, необходимое для проектирования, производства и применения измерительно-информационных систем, указанных в пунктах I.14.2.-I.14.2.2. II.15.5. Конструкция и технология производства датчиков, специально разработанных для непосредственного измерения поверхностного трения на стенке в потоке с температурой о торможения свыше 833 К (560 С) II.15.6. Программное обеспечение, необходимое для проектирования, производства и применения датчиков для непосредственного измерения поверхностного трения на стенке в о потоке с температурой торможения свыше 833 К (560 С), указанных в пункте I.14.3. II.15.7. Программное обеспечение, необходимое для задействования полностью автономного электронно-цифрового контроллера для аэрокосмических испытательных установок или воздуходувных установок для испытания двигателей II.15.8. Программное обеспечение для моделирования двух- или трехвязкого внутридвигательного течения потока в аэродинамических трубах или для обработки данных летных испытаний, позволяющих детально моделировать внутридвигательный поток II.15.9.