Текст очень длинный, поэтому разбит на части. Часть 3 из 7.
5. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на осуществляемом под водой напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой.
Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного; б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа.
6. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия.
7. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия.
Особые примечания: а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением, которые применяются для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий; б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия.
8. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или металлизации распылением.
Техническая терминология, используемая в таблице технических приемов осаждения покрытий
Подразумевается, что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий, используется при необходимости. 1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в таблице: 1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне: 1.1.1. Состав раствора для ванны: 1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений; 1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек 1.1.2. Время обработки в ванне; 1.1.3. Температура в ванне; 1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов 1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы; 1.3. Параметры циклов горячей обработки: 1.3.1. Атмосферные параметры: 1.3.1.1. Состав атмосферы; 1.3.1.2. Атмосферное давление 1.3.2. Температура для горячей обработки; 1.3.3. Продолжительность горячей обработки 1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки: 1.4.1. Параметры пескоструйной очистки: 1.4.1.1. Состав песка; 1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка; 1.4.1.3. Скорость подачи песка 1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности 1.5. Технические параметры защитного покрытия: 1.5.1. Материал защитного покрытия; 1.5.2. Размещение защитного покрытия 2. Терминология, используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в таблице: 2.1. Атмосферные параметры: 2.1.1. Состав атмосферы; 2.1.2. Атмосферное давление 2.2. Временные параметры; 2.3. Температурные параметры; 2.4. Параметры слоя; 2.5. Коэффициент параметров преломления 3. Терминология, используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым песчаником: 3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки: 3.1.1. Состав дроби; 3.1.2. Размер дроби; 3.1.3. Скорость подачи дроби 3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником; 3.3. Параметры цикла горячей обработки: 3.3.1. Атмосферные параметры: 3.3.1.1. Состав атмосферы; 3.3.1.2. Атмосферное давление 3.3.2. Температурно - временные циклы 3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия на подложку 4. Терминология, используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек, указанных в таблице: 4.1. Критерии статического выборочного контроля; 4.2. Микроскопические критерии для: 4.2.1. Усиления; 4.2.2. Равномерности толщины покрытия; 4.2.3. Целостности покрытия; 4.2.4. Состава покрытия; 4.2.5. Сцепления покрытия и подложки; 4.2.6. Микроструктурной однородности 4.3. Критерии для оценки оптических свойств: 4.3.1. Отражательная способность; 4.3.2. Прозрачность; 4.3.3. Поглощение; 4.3.4. Рассеяние 5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице: 5.1. Для химического осаждения паров: 5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия; 5.1.2. Состав несущего газа; 5.1.3. Температура подложки; 5.1.4. Температурно - временные циклы и циклы давления; 5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа 5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров: 5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия; 5.2.2. Температура подложки; 5.2.3. Состав химически активного газа; 5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала; 5.2.5. Температурно - временные циклы и циклы давления; 5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа; 5.2.7. Параметры лазера: 5.2.7.1. Длина волны; 5.2.7.2. Плотность мощности; 5.2.7.3. Длительность импульса; 5.2.7.4. Периодичность импульсов; 5.2.7.5. Источник; 5.2.7.6. Ориентация подложки 5.3. Для цементации с предварительной обмазкой: 5.3.1. Состав обмазки и формулировка; 5.3.2. Состав несущего газа; 5.3.3. Температурно - временные циклы и циклы давления 5.4. Для плазменного напыления: 5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения; 5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа; 5.5.3. Температура подложки; 5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки; 5.4.5. Дистанция напыления; 5.4.6. Угол напыления; 5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока; 5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки 5.5. Для металлизации распылением: 5.5.1. Состав и структура мишени; 5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени; 5.5.3. Состав химически активного газа; 5.5.4. Высокочастотное подмагничивание; 5.5.5. Температурно - временные циклы и циклы давления; 5.5.6. Мощность триода; 5.5.7. Изменение дозировки 5.6. Для ионной имплантации: 5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка; 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.6.4. Температурно - временные циклы и циклы давления 5.7. Для ионного гальванического покрытия: 5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка; 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.7.4. Температурно - временные циклы и циклы давления; 5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость испарения; 5.7.6. Температура подложки; 5.7.7. Параметры наклона подложки
------------------------------------------------------------------ N | Наименование |Код товар - позиции | |ной номен - | |клатуры | |внешнеэко - | |номической | |деятель - | |ности -------------+----------------------------------------+----------- | Категория 3. Электроника | | | 3.1. |Системы, оборудование и компоненты | | Примечания. 1. Контрольный статус | |оборудования и компонентов, указанных в | |пункте 3.1, других, нежели те, которые | |указаны в пунктах 3.1.1.1.3 - | |3.1.1.1.10 или в пункте 3.1.1.1.12, | |которые специально разработаны или | |имеют те же самые функциональные | |характеристики, как и другое | |оборудование, определяется по | |контрольному статусу другого | |оборудования. | | 2. Контрольный статус интегральных | |схем, указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - | |3.1.1.1.9 или в пункте 3.1.1.1.12, | |программы которых не могут быть | |изменены, или разработанных для | |выполнения конкретных функций для | |другого оборудования, определяется по | |контрольному статусу другого | |оборудования. | | | | Особое примечание. В тех случаях, | |когда изготовитель или заявитель не | |может определить контрольный статус | |другого оборудования, этот статус | |определяется контрольным статусом | |интегральных схем, указанных в пунктах | |3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте | |3.1.1.1.12; если интегральная схема | |является кремниевой микросхемой | |микроЭВМ или микросхемой | |микроконтроллера, указанных в пункте | |3.1.1.1.3, и имеет длину слова операнда | |8 бит или менее, то ее контрольный | |статус должен определяться в | |соответствии с пунктом 3.1.1.1.3. | | | 3.1.1. |Электронные компоненты, такие как: | | | 3.1.1.1. |Нижеперечисленные интегральные | |микросхемы общего назначения: | | Примечания. 1. Контрольный статус | |готовых пластин или полуфабрикатов для | |их изготовления, на которых | |воспроизведена конкретная функция, | |оценивается по параметрам, указанным в | |пункте 3.1.1.1. | | 2. Понятие "интегральные схемы" | |включает следующие типы: | |твердотельные интегральные схемы; | |гибридные интегральные схемы; | |многокристальные интегральные схемы; | |пленочные интегральные схемы, включая | |интегральные схемы типа "кремний на | |сапфире"; | |оптические интегральные схемы. | | | 3.1.1.1.1. |Интегральные схемы, спроектированные | 8542 |или определяемые как радиационно | |стойкие, чтобы выдержать следующее: | |а) общую дозу 5 x 10E3 рад (кремний) | |или выше; или | |б) предел мощности дозы 5 x 10E6 рад | |(кремний)/с или выше; | | |
3.1.1.1.2. |Интегральные схемы электрически | 8542 |программируемых постоянных запоминающих | |устройств (ЭППЗУ), программируемые с | |ультрафиолетовым стиранием, и | |статических запоминающих устройств с | |произвольной выборкой (СЗУПВ), а также | |интегральные схемы, указанные в пунктах | |3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте | |3.1.1.1.12, имеющие любую из следующих | |характеристик: | |а) работоспособные при температуре | |окружающей среды выше 398 K | |(+125 град. C); | |б) работоспособные при температуре | |окружающей среды ниже 218 K | |(-55 град. C); или | |в) работоспособные за пределами | |диапазона температур окружающей среды | |от 218 K (-55 град. C) до 398 K | |(+125 град. C) | | Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не | |распространяется на интегральные схемы | |для гражданских автомобилей и | |железнодорожных локомотивов; | | | 3.1.1.1.3. |Микропроцессорные микросхемы, | |микрокомпьютерные микросхемы и | |микросхемы микроконтроллеров, имеющие | |любую из следующих характеристик: | | Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 | |включает процессоры цифровых сигналов, | |цифровые матричные процессоры и | |цифровые сопроцессоры. | | | 3.1.1.1.3.1. |Совокупную теоретическую | 854213550; |производительность (СТП) 260 млн. | 854213690; |теоретических операций в секунду | 854214300; |(Мтопс) или более и | 854214440; |арифметико - логическое устройство с | 854219550; |длиной выборки 32 бита или более; | 854219680; | | 854240100 | | 3.1.1.1.3.2. |Изготовленные на полупроводниковых | 854213550; |соединениях и работающие на тактовой | 854213690; |частоте, превышающей 40 МГц; или | 854214300; | | 854214440; | | 854219550; | | 854219680; | | 854240100 | | 3.1.1.1.3.3. |Более чем одну шину данных или команд, | 854213550; |или порт последовательной связи для | 854213690; |внешнего межсоединения в параллельный | 854214300; |процессор со скоростью передачи, | 854214440; |превышающей 2,5 Мбит/с | 854219550; | | 854219680; | | 854240100 | | 3.1.1.1.4. |Интегральные схемы памяти, | 854213550; |изготовленные на полупроводниковых | 854213670; |соединениях; | 854213690; | | 854214300; | | 854214420; | | 854214440; | | 854219550; | | 854219620; | | 854219680; | | 854240100 | | 3.1.1.1.5. |Интегральные схемы для аналого - | 854230650; |цифровых и цифро - аналоговых | 854230950; |преобразователей, такие как: | 854240900 |а) аналого - цифровые преобразователи, | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) разрешающую способность 8 бит или | |более, но меньше 12 бит с общим | |временем преобразования до максимальной | |разрешающей способности менее 10 нс; | |2) разрешающую способность 12 бит с | |общим временем преобразования до | |максимальной разрешающей способности | |менее 200 нс; или | |3) разрешающую способность более 12 бит | |с общим временем преобразования до | |максимальной разрешающей способности | |менее 2 мкс; | |б) цифро - аналоговые преобразователи с | |разрешающей способностью 12 бит и более | |и временем выхода на установившийся | |режим менее 10 нс; | | | 3.1.1.1.6. |Электронно - оптические и оптические | 8542 |интегральные схемы для обработки | |сигналов, имеющие одновременно все | |перечисленные составляющие: | |а) один внутренний лазерный диод или | |более; | |б) один внутренний светочувствительный | |элемент или более; и | |в) оптические волноводы; | | |
3.1.1.1.7. |Программируемые пользователем матрицы | 854213740; |логических ключей на полевых | 854214650 |транзисторах, имеющие любую из | |следующих характеристик: | |а) эквивалентное количество годных | |вентилей более 30000 (в пересчете на | |двухвходовые); или | |б) типовое время задержки основного | |логического элемента менее 0,4 нс; | | | 3.1.1.1.8. |Программируемые пользователем | 854213740; |логические матрицы полевых | 854214650; |транзисторов, имеющие хотя бы одну из | 854219740 |следующих характеристик: | |а) эквивалентное количество годных | |вентилей более 30000 (в пересчете на | |двухвходовые); или | |б) частоту переключения, превышающую | |133 МГц; | | | 3.1.1.1.9. |Интегральные схемы для нейронных сетей; | 8542 | | 3.1.1.1.10. |Заказные интегральные схемы, у которых | 854213720; |функция неизвестна либо производителю | 854214600; |неизвестно, распространяется ли | 854219720; |контрольный статус на аппаратуру, в | 854230; |которой будут использоваться данные | 854240 |интегральные схемы, имеющие любую из | |следующих характеристик: | |а) свыше 208 выводов; | |б) типовое время задержки основного | |логического элемента менее 0,35 нс; или | |в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц; | | | 3.1.1.1.11. |Цифровые интегральные схемы, | 8542 |отличающиеся от указанных в пунктах | |3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и 3.1.1.1.12, | |созданные на основе какого-либо | |полупроводникового соединения и имеющие | |любую из следующих характеристик: | |а) эквивалентное количество годных | |вентилей более 300 (в пересчете на | |двухвходовые); или | |б) частоту переключения, превышающую | |1,2 ГГц; | | | 3.1.1.1.12. |Процессоры быстрого преобразования | 854213550; |Фурье, имеющие любую из следующих | 854213610; |характеристик: | 854213630; |а) расчетное время выполнения | 854213650; |комплексного 1024-точечного быстрого | 854213670; |преобразования Фурье менее 1 мс; | 854213690; |б) расчетное время выполнения | 854214300; |комплексного N-точечного сложного | 854214420; |быстрого преобразования Фурье, | 854214440; |отличного от 1024-точечного, менее, чем | 854219550; |Nlog2N/10240 мс, где N - число точек; | 854219620; |или | 854219680; |в) производительность алгоритма | 854240100 |"бабочка" более 5,12 МГц | | | 3.1.1.2. |Компоненты микроволнового или | |миллиметрового диапазона, такие как: | | | 3.1.1.2.1. |Нижеперечисленные электронные вакуумные | |лампы и катоды: | | Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 не | |контролируются лампы, разработанные или | |спроектированные для работы в | |стандартном диапазоне частот | |гражданских телекоммуникаций, с | |частотами, не превышающими 31 ГГц. | | | 3.1.1.2.1.1. |Лампы бегущей волны импульсного или | 854079000 |непрерывного действия, такие как: | |а) работающие на частотах, превышающих | |31 ГГц; | |б) имеющие элемент подогрева катода со | |временем от включения до выхода лампы | |на предельную радиочастотную мощность | |менее 3 с; | |в) лампы с сопряженными резонаторами | |или их модификации с мгновенной шириной | |полосы частот более 7% или пиком | |мощности, превышающим 2,5 кВт; | |г) спиральные лампы или их модификации, | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) мгновенную ширину полосы более одной | |октавы и произведение средней мощности | |(выраженной в кВт) на рабочую частоту | |(выраженную в ГГц) более 0,5; | |2) мгновенную ширину полосы в одну | |октаву или менее и произведение средней | |мощности (выраженной в кВт) на рабочую | |частоту (выраженную в ГГц) более 1; или | |3) годные для применения в космосе; | | |
3.1.1.2.1.2. |СВЧ-приборы - усилители магнетронного | 854071000 |типа с коэффициентом усиления более | |17 дБ; | | | 3.1.1.2.1.3. |Импрегнированные катоды, разработанные | 854099000 |для электронных ламп, имеющие любую из | |следующих характеристик: | |а) время выхода на уровень эмиссии | |менее 3 с; или | |б) плотность тока при непрерывной | |эмиссии и штатных условиях | |функционирования, превышающую | |5 А/кв. см | | | 3.1.1.2.2. |Микроволновые интегральные схемы или | 854230; |модули, содержащие твердотельные | 854240; |интегральные схемы, работающие на | 854250000 |частотах свыше 3 ГГц | | Примечание. По пункту 3.1.1.2.2 не | |контролируются схемы или модули | |оборудования, спроектированного для | |работы в стандартном диапазоне частот | |гражданской телекоммуникации, не | |превышающем 31 ГГц; | | | 3.1.1.2.3. |Микроволновые транзисторы, | 854121; |предназначенные для работы на частотах, | 854129 |превышающих 31 ГГц; | | | 3.1.1.2.4. |Микроволновые твердотельные усилители, | 854389900 |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |а) работающие на частотах свыше | |10,5 ГГц и имеющие мгновенную ширину | |полосы частот более пол-октавы; | |б) работающие на частотах свыше 31 ГГц; | | | 3.1.1.2.5. |Фильтры с электронной или магнитной | 854389900 |настройкой, содержащие более пяти | |настраиваемых резонаторов, | |обеспечивающих настройку в полосе | |частот с соотношением максимальной и | |минимальной частот 1,5:1 (fmax / fmin) | |менее чем за 10 мкс, имеющие любую из | |следующих составляющих: | |а) полосовые фильтры, имеющие полосу | |пропускания частоты более 0,5% от | |резонансной частоты; или | |б) заградительные фильтры, имеющие | |полосу подавления частоты менее 0,5% | |от резонансной частоты; | | | 3.1.1.2.6. |Микроволновые сборки, способные | 854250000 |работать на частотах, превышающих | |31 ГГц; | | | 3.1.1.2.7. |Смесители и преобразователи, | 854389900 |разработанные для расширения частотного | |диапазона аппаратуры, указанной в | |пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.5 или 3.1.2.6; | | | 3.1.1.2.8. |Микроволновые усилители мощности СВЧ, | 854389900 |содержащие лампы, контролируемые по | |пункту 3.1.1.2, и имеющие все следующие | |характеристики: | |а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; | |б) среднюю плотность выходной мощности, | |превышающую 80 Вт/кг; и | |в) объем менее 400 куб. см | | Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не | |контролируется аппаратура, | |разработанная или пригодная для работы | |на стандартных частотах гражданских | |телекоммуникаций. | | | 3.1.1.3. |Приборы на акустических волнах и | |специально спроектированные для них | |компоненты, такие как: | | |
3.1.1.3.1. |Приборы на поверхностных акустических | 854160000 |волнах и на акустических волнах в | |тонкой подложке (т.е. приборы для | |обработки сигналов, использующие | |упругие волны в материале), имеющие | |любую из следующих характеристик: | |а) несущую частоту более 2,5 ГГц; или | |б) несущую частоту более 1 ГГц, но не | |превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) частотное подавление боковых | |лепестков диаграммы направленности | |более 55 дБ; | |2) произведение максимального времени | |задержки (в мкс) на ширину полосы | |частот (в МГц) более 100; | |3) ширину полосы частот более 250 МГц; | |или | |4) задержку рассеяния, превышающую | |10 мкс; или | |в) несущую частоту от 1 ГГц и менее и | |дополнительно имеющие любую из | |следующих характеристик: | |1) произведение максимального времени | |задержки (в мкс) на ширину полосы | |частот (в МГц) более 100; | |2) задержку рассеяния, превышающую | |10 мкс; или | |3) частотное подавление боковых | |лепестков диаграммы направленности | |более 55 дБ и ширину полосы частот, | |превышающую 50 МГц; | | | 3.1.1.3.2. |Приборы на объемных акустических волнах | 854160000 |(т.е. приборы для обработки сигналов, | |использующие упругие волны в | |материале), обеспечивающие | |непосредственную обработку сигналов на | |частотах свыше 1 ГГц; | | | 3.1.1.3.3. |Акустооптические приборы обработки | 854160000 |сигналов, использующие взаимодействие | |между акустическими волнами (объемными | |или поверхностными) и световыми | |волнами, что позволяет непосредственно | |обрабатывать сигналы или изображения, | |включая анализ спектра, корреляцию или | |свертку | | | 3.1.1.4. |Электронные приборы и схемы, содержащие | 8540; |компоненты, изготовленные из | 8541; |сверхпроводящих материалов, специально | 8542; |спроектированные для работы при | 8543 |температурах ниже критической | |температуры хотя бы одной из | |сверхпроводящих составляющих, имеющие | |хотя бы один из следующих признаков: | |а) электромагнитное усиление: | |1) на частотах, равных или ниже 31 ГГц, | |с уровнем шумов ниже 0,5 дБ; или | |2) на частотах свыше 31 ГГц; | |б) токовые переключатели для цифровых | |схем, использующие сверхпроводящие | |вентили, у которых произведение времени | |задержки на вентиль (в секундах) на | |рассеяние мощности на вентиль (в | |ваттах) ниже 10E-14 Дж; или | |в) селекцию частоты на всех частотах с | |использованием резонансных контуров с | |добротностью, превышающей 10000 | | | 3.1.1.5. |Нижеперечисленные накопители энергии: | | |
3.1.1.5.1. |Батареи и батареи на фотоэлектрических | 8506; |элементах, такие как: | 8507; |а) первичные элементы и батареи с | 854140910 |плотностью энергии свыше 480 Вт. ч / кг | |и пригодные по техническим условиям для | |работы в диапазоне температур от 243 K | |(-30 град. C) и ниже до 343 K | |(70 град. C) и выше | | Техническое примечание. Плотность | |энергии определяется путем умножения | |средней мощности в ваттах (произведение | |среднего напряжения в вольтах на | |средний ток в амперах) на длительность | |цикла разряда в часах, при котором | |напряжение на разомкнутых клеммах | |падает до 75% от номинала, и деления | |полученного произведения на общую массу | |элемента (или батареи) в кг; | |б) подзаряжаемые элементы и батареи с | |плотностью энергии свыше 150 Вт. ч / кг | |после 75 циклов заряда - разряда при | |токе разряда, равном С/5 ч (С - | |номинальная емкость в ампер - часах), | |при работе в диапазоне температур от | |253 K (-20 град. C) и ниже до 333 K | |(60 град. C) и выше; | |в) батареи, по техническим условиям | |годные для применения в космосе, и | |радиационно стойкие батареи на | |фотоэлектрических элементах с удельной | |мощностью свыше 160 Вт/кв. м при | |рабочей температуре 301 K (28 град. C) | |и вольфрамовом источнике, нагретом до | |2800 K (2527 град. C) и создающем | |энергетическую освещенность 1 кВт/кв. м | | Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 не | |контролируются батареи объемом | |27 куб. см и меньше (например, | |стандартные угольные элементы или | |батареи типа R14). | | | 3.1.1.5.2. |Накопители большой энергии, такие как: | 8506; | | 8507; | | 8532 |а) накопители с частотой повторения | |менее 10 Гц (одноразовые накопители), | |имеющие все следующие характеристики: | |1) номинальное напряжение 5 кВ или | |более; | |2) плотность энергии 250 Дж/кг или | |более; и | |3) общую энергию 25 кДж или более; | |б) накопители с частотой повторения | |10 Гц и более (многоразовые | |накопители), имеющие все следующие | |характеристики: | |1) номинальное напряжение не менее | |5 кВ; | |2) плотность энергии не менее 50 Дж/кг; | |3) общую энергию не менее 100 Дж; и | |4) количество циклов заряда - разряда | |не менее 10000; | | | 3.1.1.5.3. |Сверхпроводящие электромагниты и | 850519900 |соленоиды, специально спроектированные | |на полный заряд или разряд менее чем за | |одну секунду, имеющие все | |нижеперечисленные характеристики: | |а) энергию, выделяемую при разряде, | |превышающую 10 кДж за первую секунду; | |б) внутренний диаметр токопроводящих | |обмоток более 250 мм; и | |в) номинальную магнитную индукцию свыше | |8 Т или суммарную плотность тока в | |обмотке больше 300 А/кв. мм | | Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не | |контролируются сверхпроводящие | |электромагниты или соленоиды, | |специально спроектированные для | |медицинской аппаратуры | |магниторезонансной томографии. | | | 3.1.1.6. |Вращающиеся преобразователи абсолютного | 903180310 |углового положения вала в код, имеющие | |любую из следующих характеристик: | |а) разрешение лучше 1/265000 от полного | |диапазона (18 бит); или | |б) точность лучше +/- 2,5 угл. с | | | 3.1.2. |Нижеперечисленная электронная | |аппаратура общего назначения: | | | 3.1.2.1. |Записывающая аппаратура и специально | |разработанная измерительная магнитная | |лента для нее, такие как: | | |
3.1.2.1.1. |Накопители на магнитной ленте для | 852039900; |аналоговой аппаратуры, включая | 852090900; |аппаратуру с возможностью записи | 852110300; |цифровых сигналов (например, | 852110800 |использующие модуль цифровой записи | |высокой плотности), имеющие любую из | |следующих характеристик: | |а) полосу частот, превышающую 4 МГц на | |электронный канал или дорожку; | |б) полосу частот, превышающую 2 МГц на | |электронный канал или дорожку, при | |числе дорожек более 42; или | |в) ошибку рассогласования (основную) | |временной шкалы, измеренную по | |методикам соответствующих руководящих | |материалов Межведомственного совета по | |радиопромышленности (IRIG) или | |Ассоциации электронной промышленности | |(EIA), менее +/- 0,1 мкс | | Примечание. Аналоговые | |видеомагнитофоны, специально | |разработанные для гражданского | |применения, не рассматриваются как | |записывающая аппаратура; | | | 3.1.2.1.2. |Цифровые видеомагнитофоны, имеющие | 852110; |максимальную пропускную способность | 852190000 |цифрового интерфейса свыше 180 Мбит/с; | | Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не | |контролируются цифровые | |видеомагнитофоны, специально | |спроектированные для телевизионной | |записи, использующие стандартный формат | |сигнала или рекомендуемый Международным | |консультативным комитетом по радиосвязи | |(МККР) либо Международной | |электротехнической комиссией (МЭК) для | |гражданского телевидения; | | | 3.1.2.1.3. |Накопители на магнитной ленте для | 852110 |цифровой аппаратуры, использующие | |принципы спирального сканирования или | |принципы фиксированной головки и | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |а) максимальную пропускную способность | |цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; | |или | |б) годные для применения в космосе | | Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не | |контролируются аналоговые накопители на | |магнитной ленте, оснащенные | |электронными блоками для преобразования | |в цифровую запись высокой плотности и | |предназначенные для записи только | |цифровых данных. | | | 3.1.2.1.4. |Аппаратура с максимальной пропускной | 852190000 |способностью цифрового интерфейса свыше | |175 Мбит/с, спроектированная в целях | |переделки цифровых видеомагнитофонов | |для использования их как устройств | |записи данных цифровой аппаратуры; | | | 3.1.2.1.5. |Приборы для преобразования сигналов в | 854389900 |цифровую форму и записи переходных | |процессов, имеющие все следующие | |характеристики: | |а) скорость преобразования в цифровую | |форму не менее 200 млн. проб в секунду | |и разрешение 10 или более проб в | |секунду; и | |б) пропускную способность не менее | |2 Гбит/с | | Техническое примечание. Для таких | |приборов с архитектурой на параллельной | |шине пропускная способность есть | |произведение наибольшего объема слов на | |количество бит в слове. Пропускная | |способность - это наивысшая скорость | |передачи данных аппаратуры, с которой | |информация поступает в запоминающее | |устройство без потерь при сохранении | |скорости выборки и аналого - цифрового | |преобразования. | | | 3.1.2.2. |Электронные сборки синтезаторов | 854320000 |частоты, имеющие время переключения с | |одной заданной частоты на другую менее | |1 мс; | | |
3.1.2.3. |Анализаторы сигналов: | 903083900; |а) способные анализировать частоты, | 903089920 |превышающие 31 ГГц; | |б) динамические анализаторы сигналов с | |полосой пропускания в реальном времени, | |превышающей 25,6 кГц | | Примечание. По подпункту "б" пункта | |3.1.2.3 не контролируются динамические | |анализаторы сигналов, использующие | |только фильтры с полосой пропускания | |фиксированных долей. | | | | Техническое примечание. Фильтры с | |полосой пропускания фиксированных долей | |известны также как октавные или | |дробно - октавные фильтры. | | | 3.1.2.4. |Генераторы сигналов синтезированных | 854320000 |частот, формирующие выходные частоты с | |управлением по параметрам точности, | |кратковременной и долговременной | |стабильности на основе или с помощью | |внутренней эталонной частоты, имеющие | |любую из следующих характеристик: | |а) максимальную синтезируемую частоту | |более 31 ГГц; | |б) время переключения с одной заданной | |частоты на другую менее 1 мс; или | |в) фазовый шум одной боковой полосы | |лучше - (126 + 20 lgF - 20 lgf) в | |единицах дБ x с/Гц, где F - смещение | |рабочей частоты в Гц, а f - рабочая | |частота в МГц | | Примечание. По пункту 3.1.2.4 не | |контролируется аппаратура, в которой | |выходная частота создается либо путем | |сложения или вычитания частот с двух | |или более кварцевых генераторов, либо | |путем сложения или вычитания с | |последующим умножением результирующей | |частоты; | | | 3.1.2.5. |Сетевые анализаторы с максимальной | 903040900 |рабочей частотой, превышающей 40 ГГц; | | | 3.1.2.6. |Микроволновые приемники - тестеры, | 852790990 |имеющие все следующие характеристики: | |а) максимальную рабочую частоту, | |превышающую 40 ГГц; и | |б) способные одновременно измерять | |амплитуду и фазу; | | | 3.1.2.7. |Атомные эталоны частоты, имеющие любую | 854320000 |из следующих характеристик: | |а) долговременную стабильность | |(старение) менее (лучше) 10E-11 в | |месяц; или | |б) годные для применения в космосе | | Примечание. По подпункту "а" пункта | |3.1.2.7 не контролируются рубидиевые | |стандарты, не предназначенные для | |космического применения. | | | 3.2. |Испытательное, контрольное и | |производственное оборудование | | | 3.2.1. |Нижеперечисленное оборудование для | |производства полупроводниковых приборов | |или материалов и специально | |разработанные компоненты и оснастка для | |них: | | | 3.2.1.1. |Установки, управляемые встроенной | |программой, предназначенные для | |эпитаксиального выращивания, такие | |как: | | | 3.2.1.1.1. |Установки, способные выдерживать | 847989650 |толщину слоя с отклонением не более | |+/- 2,5% на протяжении 75 мм или более; | | | 3.2.1.1.2. |Установки химического осаждения паров | 841989200 |металлорганических соединений, | |специально разработанные для | |выращивания кристаллов сложных | |полупроводников с помощью химических | |реакций между материалами, которые | |контролируются по пункту 3.3.3 или | |3.3.4; | | | 3.2.1.1.3. |Молекулярно - лучевые установки | 847989700; |эпитаксиального выращивания, | 854389700 |использующие газовые источники | | |
3.2.1.2. |Установки, управляемые встроенной | 854311000 |программой, специально предназначенные | |для ионной имплантации, имеющие любую | |из следующих характеристик: | |а) ускоряющее напряжение свыше 200 кэВ; | |б) специально спроектированные и | |оптимизированные для работы с | |ускоряющими напряжениями ниже 10 кэВ; | |в) обладающие способностью | |непосредственной записи; или | |г) пригодные для высокоэнергетической | |имплантации кислорода в нагретую | |подложку полупроводникового материала; | | | 3.2.1.3. |Установки сухого травления анизотропной | 845691000; |плазмой, управляемые встроенной | 845699900 |программой: | |а) с покассетной обработкой пластин и | |загрузкой через загрузочные шлюзы, | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) магнитную защиту; или | |2) электронный циклотронный резонанс | |б) специально спроектированные для | |оборудования, контролируемого по пункту | |3.2.1.5, и имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) магнитную защиту; или | |2) электронный циклотронный резонанс; | | | 3.2.1.4. |Установки химического парофазового | 841989200; |осаждения и плазменной стимуляции, | 841989300 |управляемые встроенной программой: | |а) с покассетной обработкой пластин и | |загрузкой через загрузочные шлюзы, | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) магнитную защиту; или | |2) электронный циклотронный резонанс | |б) специально спроектированные для | |оборудования, контролируемого по пункту | |3.2.1.5, имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) магнитную защиту; или | |2) электронный циклотронный резонанс; | | | 3.2.1.5. |Управляемые встроенной программой | 845610000; |автоматически загружаемые многокамерные | 845691000; |системы с центральной загрузкой | 845699900; |пластин, имеющие все следующие | 845699300; |составляющие: | 847950000 |а) интерфейсы для загрузки и выгрузки | |пластин, к которым присоединяется более | |двух единиц оборудования для обработки | |полупроводников; и | |б) предназначенные для интегрированной | |системы последовательной | |многопозиционной обработки пластин в | |вакуумной среде | | Примечание. По пункту 3.2.1.5 не | |контролируются автоматические | |робототехнические системы загрузки | |пластин, не предназначенные для работы | |в вакууме. | | | 3.2.1.6. |Установки литографии, управляемые | |встроенной программой, такие как: | | | 3.2.1.6.1. |Установки многократного совмещения и | 900922900 |экспонирования для обработки пластин | |методом фотооптической или | |рентгеновской литографии, имеющие любую | |из следующих составляющих: | |а) источник света с длиной волны короче | |400 нм; или | |б) способность воспроизводить рисунок с | |минимальным размером разрешения от | |0,7 мкм и менее | | Примечание. Минимальный размер | |разрешения (МРР) рассчитывается по | |следующей формуле: | | | | (экспозиция источника освещения с | | длиной волны в мкм) x (К фактор) | |МРР = _________________________________~| | цифровая апертура | | | |где К фактор = 0,7; | | | 3.2.1.6.2. |Установки, специально спроектированные | 845610000; |для производства шаблонов или обработки | 845699 |полупроводниковых приборов с | |использованием отклоняемого | |фокусируемого электронного луча, пучка | |ионов или лазерного луча, имеющие любую | |из следующих характеристик: | |а) размер пятна менее 0,2 мкм; | |б) способность производить рисунок с | |минимальными разрешенными проектными | |нормами менее 1 мкм; или | |в) точность совмещения лучше | |+/- 0,20 мкм (3 сигма) | | |
3.2.1.7. |Шаблоны или промежуточные фотошаблоны, | |разработанные для интегральных схем, | |контролируемых по пункту 3.1.1; | | | 3.2.1.8. |Многослойные шаблоны с фазосдвигающим | 901090000 |слоем | | | 3.2.2. |Аппаратура испытаний, управляемая | |встроенной программой, специально | |спроектированная для испытания готовых | |или находящихся в разной степени | |изготовления полупроводниковых | |приборов, и специально спроектированные | |компоненты и приспособления для нее: | | | 3.2.2.1. |Для измерения S-параметров | 903180390 |транзисторных приборов на частотах | |свыше 31 ГГц; | | | 3.2.2.2. |Для испытаний интегральных схем, | 903180390 |способная выполнять функциональное | |тестирование (по таблицам истинности) с | |частотой тестирования строк более | |60 МГц | | Примечание. По пункту 3.2.2.2 не | |контролируется аппаратура испытаний, | |специально спроектированная для | |испытаний: | |а) электронных сборок или класса | |электронных сборок для бытовой или | |игровой электронной аппаратуры; | |б) неконтролируемых электронных | |компонентов, электронных сборок или | |интегральных схем; | | | 3.2.2.3. |Для испытаний микроволновых | 903180390 |интегральных схем на частотах, | |превышающих 3 ГГц | | Примечание. По пункту 3.2.2.3 не | |контролируется аппаратура испытаний, | |специально спроектированная для | |испытания микроволновых интегральных | |микросхем для оборудования, | |предназначенного или пригодного по | |техническим условиям для работы в | |стандартном гражданском диапазоне на | |частотах, не превышающих 31 ГГц. | | | 3.2.2.4. |Электронно - лучевые системы, | 903180390 |спроектированные для работы на уровне | |3 кэВ или менее, или лазерные лучевые | |системы для бесконтактного зондирования | |запитанных полупроводниковых приборов, | |имеющие все следующие составляющие: | |а) стробоскопический режим либо с | |затенением луча, либо с детекторным | |стробированием; и | |б) электронный спектрометр для замера | |напряжений менее 0,5 В | | Примечание. По пункту 3.2.2.4 не | |контролируются сканирующие электронные | |микроскопы, кроме тех, которые | |специально спроектированы и оснащены | |для бесконтактного зондирования | |запитанных полупроводниковых приборов. | | | 3.3. |Материалы | | | 3.3.1. |Гетероэпитаксиальные материалы, | |состоящие из подложки с несколькими | |последовательно наращенными | |эпитаксиальными слоями, имеющими любую | |из следующих составляющих: | | | 3.3.1.1. |Кремний; | 381800100; | | 381800900 3.3.1.2. |Германий; или | 381800900 | | 3.3.1.3. |Соединения III/V на основе галлия или | 381800900 |индия | | Техническое примечание. Соединения | |III/V - это поликристаллические или | |двухэлементные или сложные | |монокристаллические продукты, состоящие | |из элементов групп IIIA и VA | |периодической системы Менделеева (по | |отечественной классификации это | |группы A3 и B5) (арсенид галлия, | |алюмоарсенид галлия, фосфид индия | |и т.п.) | | | 3.3.2. |Материалы резистов и подложки, покрытые | |контролируемыми резистами, такие как: | | | 3.3.2.1. |Позитивные резисты, предназначенные для | 382490900 |полупроводниковой литографии, | |специально приспособленные | |(оптимизированные) для использования на | |спектральную чувствительность менее | |370 нм; | | | 3.3.2.2. |Все резисты, предназначенные для | 382490900 |использования при экспонировании | |электронными или ионными пучками, с | |чувствительностью 0,01 мкКл/кв. мм или | |лучше; | | | 3.3.2.3. |Все резисты, предназначенные для | 382490900 |использования при экспонировании | |рентгеновскими лучами, с | |чувствительностью 2,5 мДж/кв. мм или | |лучше; | | |
3.3.2.4. |Все резисты, оптимизированные под | 382490900 |технологии формирования рисунка, | |включая силицированные резисты | | Техническое примечание. Методы | |силицирования - это процессы, | |включающие оксидирование поверхности | |резиста, для повышения качества мокрого | |и сухого проявления. | | | 3.3.3. |Органо - неорганические компаунды, | |такие как: | | | 3.3.3.1. |Органо - металлические соединения на | 293100800 |основе алюминия, галлия или индия с | |чистотой металлической основы свыше | |99,999%; | | | 3.3.3.2. |Органо - мышьяковистые, органо - | 293100800 |сурьмянистые и органо - фосфорные | |соединения с чистотой органической | |элементной основы свыше 99,999% | | Примечание. По пункту 3.3.3 | |контролируются только соединения, чей | |металлический, частично металлический | |или неметаллический элемент | |непосредственно связан с углеродом в | |органической части молекулы. | | | 3.3.4. |Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, | 284800000; |имеющие чистоту свыше 99,999% даже | 285000100 |после растворения в инертных газах или | |водороде | | Примечание. По пункту 3.3.4 не | |контролируются гидриды, содержащие 20% | |и более молей инертных газов или | |водорода. | | | 3.4. |Программное обеспечение | | | 3.4.1. |Программное обеспечение, специально | |созданное для разработки или | |производства оборудования, | |контролируемого по пунктам 3.1.1.2 - | |3.1.2.7 или по пункту 3.2 | | | 3.4.2. |Программное обеспечение, специально | |созданное для применения в | |оборудовании, управляемом встроенной | |программой и контролируемом по | |пункту 3.2 | | | 3.4.3. |Программное обеспечение систем | |автоматизированного проектирования | |(САПР), предназначенное для | |полупроводниковых приборов или | |интегральных схем, имеющее любую из | |следующих составляющих: | | | 3.4.3.1. |Правила проектирования или правила | |проверки (верификации) схем; | | | 3.4.3.2. |Моделирование схем по их физической | |топологии; или | | | 3.4.3.3. |Имитаторы литографических процессов для | |проектирования. | | Техническое примечание. Имитатор | |литографических процессов - это пакет | |программного обеспечения, используемый | |на этапе проектирования для определения | |последовательности операций литографии, | |травления и осаждения в целях | |воплощения маскирующих шаблонов в | |конкретные топологические рисунки | |проводников, диэлектриков или | |полупроводникового материала. | | | | Примечание. По пункту 3.4.3 не | |контролируется программное обеспечение, | |специально созданное для описания | |принципиальных схем, логического | |моделирования, раскладки и | |маршрутизации (трассировки), проверки | |топологии или размножения шаблонов. | | | | Особое примечание. Библиотеки, | |проектные атрибуты или сопутствующие | |данные для проектирования | |полупроводниковых приборов или | |интегральных схем рассматриваются как | |технология. | | | 3.5. |Технология | | |
3.5.1. |Технологии, в соответствии с общим | |технологическим примечанием | |предназначенные для разработки или | |производства оборудования или | |материалов, контролируемых по пунктам | |3.1, 3.2 или 3.5 | | Примечание. По пункту 3.5.1 не | |контролируются технологии разработки | |или производства: | |а) микроволновых транзисторов, | |работающих на частотах ниже 31 ГГц; | |б) интегральных схем, контролируемых по | |пунктам 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих | |оба нижеперечисленных признака: | |1) использующие проектные нормы 1 мкм | |или выше; и | |2) не содержащие многослойных структур. | | | | Особое примечание. Термин | |"многослойные структуры" в подпункте 2 | |пункта "б" примечания не включает | |приборы, содержащие максимум два | |металлических слоя и два слоя | |поликремния. | | | 3.5.2. |Прочие технологии для разработки или | |производства: | |а) вакуумных микроэлектронных приборов; | |б) полупроводниковых приборов на | |гетероструктурах, таких как | |транзисторы с высокой подвижностью | |электронов, биполярных транзисторов на | |гетероструктуре, приборов с квантовыми | |ямами или приборов на сверхрешетках; | |в) сверхпроводящих электронных | |приборов; | |г) подложек пленок алмаза для | |электронных компонентов | | | | Категория 4. Вычислительная техника | | | | Примечания. 1. ЭВМ, сопутствующее | |оборудование или программное | |обеспечение, задействованные в | |телекоммуникациях или локальных | |вычислительных сетях, должны быть также | |проанализированы на соответствие | |характеристикам, указанным в части 1 | |категории 5 (Телекоммуникации). | | | | Особые примечания. а) Устройства | |управления, которые непосредственно | |связывают шины или каналы центральных | |процессоров, оперативную память или | |контроллеры накопителей на магнитных | |дисках, не входят в понятие | |телекоммуникационной аппаратуры, | |рассматриваемой в части 1 категории 5 | |(Телекоммуникации). | |б) Для определения контрольного статуса | |программного обеспечения, которое | |специально создано для коммутации | |пакетов, следует использовать | |пункт 5.4.1. | | | | 2. ЭВМ, сопутствующее оборудование | |или программное обеспечение, | |выполняющие функции криптографии, | |криптоанализа, сертифицируемой | |многоуровневой защиты информации или | |сертифицируемые функции изоляции | |пользователей либо ограничивающие | |электромагнитную совместимость (ЭМС), | |должны быть также проанализированы на | |соответствие характеристикам, указанным | |в части 2 категории 5 (Защита | |информации). | | | 4.1. |Системы, оборудование и компоненты | | | 4.1.1. |Нижеперечисленные ЭВМ и сопутствующее | |оборудование, а также электронные | |сборки и специально разработанные для | |них компоненты: | | | 4.1.1.1. |Специально созданные для достижения | 8471 |любой из следующих характеристик: | |а) по техническим условиям пригодные | |для работы при температуре внешней | |среды ниже 228 K (-45 град. C) или выше | |358 K (85 град. C) | | Примечание. По пункту 4.1.1.1 не | |контролируются ЭВМ, специально | |созданные для гражданских автомобилей | |или железнодорожных локомотивов; | |б) радиационно стойкие, превышающие | |любое из следующих требований: | |1) поглощенная доза 5 x 10E3 рад | |(кремний); | |2) мощность дозы на сбой 5 x 10E6 рад | |(кремний)/с; или | |3) сбой от высокоэнергетической частицы | |10E-7 ошибок/бит/день; | | | 4.1.1.2. |Имеющие характеристики или | 8471 |функциональные особенности, | |превосходящие пределы, указанные в | |части 2 категории 5 (Защита информации) | | |
4.1.2. |Гибридные ЭВМ, электронные сборки и | 847110 |специально разработанные для них | |компоненты: | |а) имеющие в своем составе цифровые | |ЭВМ, которые контролируются по пункту | |4.1.3; | |б) имеющие в своем составе | |аналого - цифровые преобразователи, | |обладающие всеми следующими | |характеристиками: | |1) 32 каналами или более; и | |2) разрешающей способностью 14 бит | |(плюс знаковый разряд) или выше со | |скоростью 200000 преобразований/с или | |выше | | | 4.1.3. |Цифровые ЭВМ, электронные сборки и | |сопутствующее оборудование, а также | |специально разработанные для них | |компоненты, такие как: | | Примечания. 1. Пункт 4.1.3 | |включает: | |а) векторные процессоры; | |б) матричные процессоры; | |в) цифровые центральные процессоры; | |г) логические процессоры; | |д) оборудование для улучшения качества | |изображения; | |е) оборудование для обработки сигналов. | | 2. Контрольный статус цифровых ЭВМ | |или сопутствующего оборудования, | |описанных в пункте 4.1.3, определяется | |контрольным статусом другого | |оборудования или других систем в том | |случае, если: | |а) цифровые ЭВМ или сопутствующее | |оборудование необходимы для работы | |другого оборудования или других систем; | |б) цифровые ЭВМ или сопутствующее | |оборудование не являются основным | |элементом другого оборудования или | |других систем; и | |в) технология для цифровых ЭВМ и | |сопутствующего оборудования подпадает | |под действие пункта 4.5. | | | | Особые примечания. 1. Контрольный | |статус оборудования обработки сигналов | |или улучшения качества изображения, | |специально спроектированного для | |другого оборудования с функциями, | |ограниченными функциональным | |назначением другого оборудования, | |определяется контрольным статусом | |другого оборудования, даже если первое | |соответствует критерию основного | |элемента. | | 2. Для определения контрольного | |статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего | |оборудования для телекоммуникационной | |аппаратуры см. часть 1 категории 5 | |(Телекоммуникации). | | | 4.1.3.1. |Спроектированные или модифицированные | 8471 |для обеспечения отказоустойчивости | (кроме | | 847110) | Примечание. Применительно к пункту | |4.1.3.1 цифровые ЭВМ и сопутствующее | |оборудование не считаются | |спроектированными или модифицированными | |для обеспечения отказоустойчивости, | |если в них используется любое из | |следующего: | |а) алгоритмы обнаружения или | |исправления ошибок, хранимые в | |оперативной памяти; | |б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ такая, | |что если активный центральный процессор | |отказывает, ждущий, но отслеживающий | |центральный процессор может продолжить | |функционирование системы; | |в) взаимосвязь двух центральных | |процессоров посредством каналов | |передачи данных или с применением общей | |памяти, чтобы обеспечить одному | |центральному процессору возможность | |выполнять другую работу, пока не | |откажет второй центральный процессор, | |тогда первый центральный процессор | |принимает его работу на себя, чтобы | |продолжить функционирование системы; | |или | |г) синхронизация двух центральных | |процессоров, объединенных посредством | |программного обеспечения так, что один | |центральный процессор распознает, когда | |отказывает другой центральный | |процессор, и восстанавливает задачи | |отказавшего устройства; | | | 4.1.3.2. |Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную | 8471 |теоретическую производительность (СТП) | (кроме |свыше 710 Мтопс; | 847110) | |
4.1.3.3. |Электронные сборки, специально | 8471 |спроектированные или модифицированные | (кроме |для повышения производительности путем | 847110) |объединения вычислительных элементов | |таким образом, чтобы совокупная | |теоретическая производительность | |объединенных сборок превышала пределы, | |указанные в пункте 4.1.3.2 | | Примечания. 1. Пункт 4.1.3.3 | |распространяется только на электронные | |сборки и программируемые взаимосвязи, | |не превышающие пределы, указанные в | |пункте 4.1.3.2, при поставке в виде | |необъединенных электронных сборок. Он | |не применим к электронным сборкам, | |конструкция которых пригодна только для | |использования в качестве сопутствующего | |оборудования, контролируемого по | |пунктам 4.1.3.4, 4.1.3.5 или 4.1.3.6. | | 2. По пункту 4.1.3.3 не | |контролируются электронные сборки, | |специально спроектированные для | |продукции или целого семейства | |продукции, максимальная конфигурация | |которых не превышает пределы, указанные | |в пункте 4.1.3.2. | | | 4.1.3.4. |Графические акселераторы или | 847330100 |графические сопроцессоры, превышающие | |скорость исчисления трехмерных | |векторов, равную 3000000; | | | 4.1.3.5. |Оборудование, выполняющее | 854389900 |аналого - цифровые преобразования, | |превосходящее пределы, указанные в | |пункте 3.1.1.1.5; | | | 4.1.3.6. |Оборудование, содержащее терминальный | 847190000 |интерфейс, превосходящий пределы, | |указанные в пункте 5.1.1.2.3 | | Примечание. Применительно к пункту | |4.1.3.6 оборудование терминального | |интерфейса включает интерфейсы | |локальных вычислительных сетей и другие | |коммуникационные интерфейсы. Интерфейсы | |локальных вычислительных сетей | |оцениваются как контроллеры доступа к | |сети. | | | 4.1.3.7. |Аппаратура, специально разработанная | 847190000 |для обеспечения экстернальной | |интерконнекции цифровых компьютеров или | |сопутствующего оборудования, которые в | |коммуникациях имеют скорость передачи | |данных свыше 80 Мбайт/с | | Примечание. По пункту 4.1.3.7 не | |контролируется внешняя интерконнекция | |оборудования (например, видимый план, | |шины) или пассивное интерконнекторное | |оборудование. | | | 4.1.4. |Нижеперечисленные ЭВМ, специально | 8471 |спроектированное сопутствующее | |оборудование, электронные сборки и | |компоненты для них: | | | 4.1.4.1. |ЭВМ с систолической матрицей; | | | 4.1.4.2. |Нейронные ЭВМ; | | | 4.1.4.3. |Оптические ЭВМ | | | 4.2. |Испытательное, контрольное и | |производственное оборудование - нет | | | 4.3. |Материалы - нет | | | 4.4. |Программное обеспечение | | Примечание. Контрольный статус | |программного обеспечения для | |разработки, производства или | |использования оборудования, указанного | |в других категориях, определяется по | |описанию соответствующей категории. В | |данной категории дается контрольный | |статус программного обеспечения для | |оборудования этой категории. | | | 4.4.1. |Программное обеспечение, специально | |спроектированное или модифицированное | |для разработки, производства или | |использования оборудования или | |программного обеспечения, | |контролируемых по пунктам 4.1, 4.2, 4.3 | |или 4.4 | | | 4.4.2. |Программное обеспечение, специально | |спроектированное или модифицированное | |для поддержки технологии, | |контролируемой по пункту 4.5 | | | 4.4.3. |Специальное программное обеспечение, | |такое как: | | | 4.4.3.1. |Программное обеспечение операционных | |систем, инструментарий разработки | |программного обеспечения и компиляторы, | |специально разработанные для | |оборудования многопоточной обработки | |данных в исходных кодах; | | |
4.4.3.2. |Экспертные системы или программное | |обеспечение для механизмов логического | |вывода экспертных систем, обладающие | |одновременно следующими признаками: | |а) правилами, зависящими от времени; и | |б) примитивами для работы с временными | |характеристиками правил и факторов; | | | 4.4.3.3. |Программное обеспечение, имеющее | |характеристики или выполняющее функции, | |которые превосходят пределы, указанные | |в части 2 категории 5 (Защита | |информации); | | | 4.4.3.4. |Операционные системы, специально | |разработанные для оборудования | |обработки в реальном масштабе времени, | |гарантирующие время обработки полного | |прерывания менее 20 мкс | | | 4.5. |Технология | | | 4.5.1. |Технологии, в соответствии с общим | |технологическим примечанием | |предназначенные для разработки, | |производства или использования | |оборудования или программного | |обеспечения, контролируемых по пункту | |4.1 или 4.4 | ------------------------------------------------------------------
Техническое примечание (по вычислению совокупной теоретической производительности)
Используемые сокращения:
ВЭ - вычислительный элемент (обычно арифметическое логическое устройство); ПЗ - плавающая запятая; ФЗ - фиксированная запятая; t - время решения; XOR - исключающее ИЛИ; ЦП - центральный процессор; ТП - теоретическая производительность (одного вычислительного элемента); СТП - совокупная теоретическая производительность (всех вычислительных элементов); R - эффективная скорость вычислений; ДС - длина слова (число битов); L - корректировка длины слова (бита); АЛУ - арифметическое и логическое устройство; x - знак умножения. Время решения "t" выражается в микросекундах, ТП или СТП выражается в миллионах теоретических операций в секунду, ДС выражается в битах.
Основной метод вычисления СТП
СТП - это мера вычислительной производительности в миллионах теоретических операций в секунду. При вычислении совокупной теоретической производительности конфигурации вычислительных элементов (ВЭ) необходимо выполнить три следующих этапа: 1. Определить эффективную скорость вычислений для каждого вычислительного элемента (ВЭ). 2. Произвести корректировку на длину слова (L) для этой скорости (R), что даст в результате теоретическую производительность (ТП) для каждого вычислительного элемента (ВЭ). 3. Объединить ТП и получить суммарную СТП для данной конфигурации, если имеется больше одного вычислительного элемента. Подробное описание этих процедур приведено ниже.
Примечания: 1. Для объединенных в подсистемы вычислительных элементов, имеющих и общую память, и память каждой подсистемы, вычисление СТП производится в два этапа: сначала ВЭ с общей памятью объединяются в группы, затем с использованием предложенного метода вычисляется СТП групп для всех ВЭ, не имеющих общей памяти.
2. Вычислительные элементы, скорость действия которых ограничена скоростью работы устройства ввода - вывода данных и периферийных функциональных блоков (например, дисковода, контроллеров системы передачи и дисплея), не объединяются при вычислении СТП.
В приведенной ниже таблице демонстрируется метод расчета эффективной скорости вычислений R для каждого вычислительного элемента:
Этап 1: Эффективная скорость вычислений (R)
------------------------------------------------------------------ Для вычислительных | Эффективная скорость элементов, реализующих: | вычислений --------------------------------+--------------------------------- только ФЗ |1/[3 x (время сложения ФЗ)] | |если операции сложения нет, |то через умножение: |1/(время умножения ФЗ) (Rфз) |если нет ни операции сложения, |ни операции умножения, то Rфз |рассчитывается через самую |быструю из имеющихся |арифметических операций: |1/[3 x (время операции ФЗ)] | |см. примечания X и Z | только ПЗ |МАХ {1/(время сложения ПЗ), (Rпз) | 1/(время умножения ПЗ)} | |см. примечания X и Y | | и ФЗ, и ПЗ |вычисляется как Rфз, так и Rпз (R) | Для простых логических |1/[3 x (время логической процессоров, не выполняющих |операции)] указанные арифметические | операции |здесь время логической операции - |это время выполнения операции |"исключающее ИЛИ", а если ее нет, |то берется самая быстрая простая |логическая операция |см. примечания X и Z | Для специализированных |R = R' x ДС/64, логических процессоров, не |где R' - число результатов выполняющих указанные | в секунду арифметические и логические | ДС - число битов, над которым операции | выполняется логическая | операция | 64 - коэффициент, | нормализующий под | 64-разрядную операцию ------------------------------------------------------------------
Примечание. Каждый ВЭ должен оцениваться независимо.
Примечание W. После полного выполнения конвейерной обработки данных в каждом машинном цикле может быть определена скорость обработки вычислительных элементов, способных выполнять одну арифметическую или логическую операцию. Эффективная скорость вычислений (R) для таких ВЭ при конвейерной обработке данных выше, чем без ее использования.
Примечание X. Для вычислительных элементов, которые выполняют многократные арифметические операции за один цикл (например, два сложения за цикл), время решения t вычисляется как:
время цикла t = _____________________________________ число арифметических операций в цикле
Вычислительный элемент, который выполняет разные типы арифметических или логических операций в одном машинном цикле, должен рассматриваться как множество раздельных ВЭ, работающих одновременно (например, ВЭ, выполняющий в одном цикле операции сложения и умножения, должен рассматриваться как два ВЭ, один из которых выполняет сложение за один цикл, а другой - умножение за один цикл). Если в одном ВЭ реализуются как скалярные, так и векторные функции, то используют значение самого короткого времени исполнения.
Примечание Y. Если в ВЭ не реализуется ни сложение ПЗ, ни умножение ПЗ, а выполняется деление ПЗ, то
Rпз = 1/(время деления ПЗ)
Если в ВЭ реализуется обратная величина П3, но не сложение П3, умножение П3 или деление П3, тогда
Rпз = 1/(время обратной величины ПЗ)
Если нет и деления, то используется эквивалентная операция. Если ни одна из указанных команд не используется, то Rпз = 0.
Примечание Z. Простая логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняется одно логическое действие не более чем над двумя операндами заданной длины. Сложная логическая операция - это операция, в которой в одной команде выполняются многократные логические действия над двумя или более операндами и выдается один или несколько результатов. Скорости вычислений рассчитываются для всех аппаратно поддерживаемых длин операндов, рассматривая обе последовательные операции (если поддерживаются) и непоследовательные операции, использующие самые короткие операции для каждой длины операнда, с учетом следующего:
1. Последовательные, или операции регистр - регистр. Исключаются чрезвычайно короткие операции, генерируемые для операций на заранее определенном операнде или операндах (например, умножение на 0 или 1). Если операций типа регистр - регистр нет, следует руководствоваться пунктом 2. 2. Самая быстрая операция регистр - память или память - регистр. Если и таких нет, следует руководствоваться пунктом 3. 3. Память - память.
В любом случае из вышеперечисленных используйте самые короткие операции, указанные в паспортных данных изготовителем.
Этап 2: ТП для каждой поддерживаемой длины операнда ДС
Пересчитайте эффективную скорость вычислений R (или R') с учетом корректировки длины слова L:
ТП = R x L, где L = (1/3 + ДС/96)
Примечание. Длина слова ДС, используемая в этих расчетах, это длина операнда в битах. (Если в операции задействованы операнды разной длины, пользуйтесь максимальной ДС.) Комбинация мантиссы АЛУ и экспоненты АЛУ в процессоре с плавающей запятой или функциональном устройстве считается одним вычислительным элементом с длиной слова (ДС), эквивалентной количеству битов в представлении данных (32 или 64 разряда) при вычислении СТП.
Данный пересчет не применяется к специализированным логическим процессорам, в которых операция "исключающее ИЛИ" не используется. В этом случае ТП = R.
Выбор максимального результирующего значения ТП для: Каждого ВЭ, использующего только ФЗ (Rфз); Каждого ВЭ, использующего только ПЗ (Rпз); Каждого ВЭ, использующего комбинацию ПЗ и ФЗ ВЭ (R); Каждого простого логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических операций; и Каждого специализированного логического процессора, не использующего ни одной из указанных арифметических или логических операций.
Этап 3: Расчет СТП для конфигураций ВЭ, включая ЦП
Для ЦП с одним ВЭ СТП = ТП (Для ВЭ, выполняющих операции как с ФЗ, так и с ПЗ, ТП = max (ТПфз, ТПпз)
Для конфигураций всех ВЭ, работающих одновременно, СТП вычисляется следующим образом: Примечания. 1. Для конфигураций, в которых все ВЭ одновременно не работают, из возможных конфигураций ВЭ выбирается конфигурация с наибольшей СТП. Значение ТП для каждого ВЭ возможной конфигурации, используемое при подсчете СТП, выбирается как максимально возможное теоретическое значение.
Особое примечание. Возможные конфигурации, в которых ВЭ работают одновременно, определяются по результатам работы всех ВЭ, начиная с самого медленного ВЭ (он нуждается в большем количестве циклов для завершения операций) и заканчивая самым быстрым ВЭ. Конфигурация вычислительных элементов, которая устанавливается в течение машинного цикла, и является возможной конфигурацией. При определении результата должны приниматься в расчет все технические средства и (или) схема ограничения целостности перекрывающихся операций.
2. Один кристалл интегральной схемы или одна печатная плата может содержать множество ВЭ. 3. Считается, что одновременная работа ВЭ имеет место, если изготовитель вычислительной системы в инструкции или брошюре по эксплуатации этой системы заявил о наличии совмещенных, параллельных или одновременных операций или действий. 4. Значения СТП не суммируются для конфигураций ВЭ, взаимосвязанных в локальные вычислительные сети, вычислительные сети, объединенные устройствами ввода - вывода, контроллерами ввода - вывода и любыми другими взаимосвязанными системами передачи, реализованными программными средствами.
5. Значение СТП должно суммироваться для множества ВЭ, специально разработанных для повышения их характеристик за счет объединения ВЭ, их одновременной работы с общей или коллективной памятью, в случае объединения ВЭ в единую конфигурацию путем использования специально разработанных технических средств. Это не относится к электронным сборкам, указанным в пункте 4.1.3.4
СТП = ТП1 + C2 x ТП2 +... + Cn x ТПn,
где ТП упорядочиваются согласно их значению, начиная с ТП1, имеющей наибольшую величину, затем ТП2 и, наконец, ТПn, имеющая наименьшую величину. Ci - коэффициент, определяемый силой взаимосвязей между ВЭ следующим образом: Для случая множества ВЭ, работающих одновременно и имеющих общую память: C2 = C3 = C4 =... = Cn = 0,75.
Примечания. 1. Когда СТП вычислена вышеуказанным методом и величина ее не превышает 194 Мтопс, Ci может быть определена дробью, числитель которой равен 0,75, а знаменатель - корню квадратному из m, где m - количество ВЭ или групп ВЭ общего доступа при условии: а) ТПi каждого ВЭ или группы ВЭ не превышает 30 Мтопс; б) общий доступ ВЭ или группы ВЭ к основной памяти (исключая кэш - память) осуществляется по общему каналу; и в) только один ВЭ или группа ВЭ может использовать канал в любое данное время.
Особое примечание. Сказанное выше не относится к пунктам, контролируемым по категории 3.
2. Считается, что ВЭ имеют общую память, если они адресуются к общему блоку твердотельной памяти. Эта память может включать в себя кэш - память, оперативную память или иную внутреннюю память. Внешняя память типа дисководов, лентопротяжек или дисков с произвольным доступом сюда не входит.
Для случая множества ВЭ или групп ВЭ, не имеющих общей памяти, взаимосвязанных одним или более каналами передачи данных:
Ci = 0,75 x ki (i = 2,..., 32) (см. примечание ниже) = 0,60 x ki (i = 33,..., 64) = 0,45 x ki (i = 65,..., 256) = 0,30 x ki (i > 256)
Величина Ci основывается на номере ВЭ, но не на номере узла, где ki = min (Si/Kr , 1); и Kr - нормализующий фактор, равный 20 Мбайт/с; Si - сумма максимальных скоростей передачи данных (в Мбайт/сек) для всех информационных каналов, связывающих i-ый ВЭ или группу ВЭ, имеющих общую память. Когда вычисляется Ci для группы ВЭ, номер первого ВЭ в группе определяет собственный предел для Ci. Например, в конфигурации групп, состоящих из трех ВЭ каждая, 22 группа будет содержать ВЭ64, ВЭ65 и ВЭ66. Собственный предел для Ci для этих групп - 0,60. Конфигурация ВЭ или групп ВЭ может быть определена от самого быстрого к самому медленному, то есть:
ТП1 >= ТП2 >= ........ >= ТПn, и в случае, когда ТПi = ТПi + 1, от самого большого к самому маленькому, т.е. Ci >= Ci + 1
Примечание. ki-фактор не относится к ВЭ от 2 до 12, если ТП1 ВЭ или группы ВЭ больше 50 Мтопс, т.е. Ci для ВЭ от 2 до 12 равен 0,75.
------------------------------------------------------------------ N | Наименование |Код товар - позиции | |ной номен - | |клатуры | |внешнеэко - | |номической | |деятель - | |ности -------------+----------------------------------------+----------- | Категория 5 | | | | Часть 1. Телекоммуникации | | | | Примечания. 1. В части 1 категории | |5 определяется контрольный статус | |компонентов, лазерного, испытательного | |и производственного оборудования, | |материалов и программного обеспечения, | |специально разработанных для | |телекоммуникационного оборудования или | |систем. | | 2. В тех случаях, когда для | |функционирования или поддержки | |телекоммуникационного оборудования, | |указанного в этой категории, и его | |обеспечения важное значение имеют | |цифровые ЭВМ, связанное с ними | |оборудование или программное | |обеспечение, которые рассматриваются в | |качестве специально спроектированных | |компонентов при условии, что они | |являются стандартными моделями, обычно | |поставляемыми производителем. Имеются в | |виду функционирование, | |администрирование, эксплуатация, | |проектирование или правовые вопросы | |компьютерных систем. | | | 5.1.1. |Системы, оборудование и компоненты | | | 5.1.1.1. |Телекоммуникационное оборудование, | |имеющее любые из следующих | |характеристик, свойств или качеств: | |а) специально разработанное для защиты |8517; |от транзисторных электронных эффектов |852520910; |или электромагнитных импульсных |852520990; |эффектов, возникающих при ядерном |852790990; |взрыве; |854389900 | | |б) специально повышенной стойкости к |8517; |гамма-, нейтронному или ионному |852520910; |излучению; или |852520990; | |852790990; | |854389900 | | |в) специально разработанное для |8517; |функционирования за пределами интервала |852520910; |температур от 218 K (-55 град. C) до |852520990; |397 K (124 град. C) |852790990; | Примечание. В пункте 5.1.1.1 |854389900 |подпункт "в" применяется только к | |электронной аппаратуре, подпункты "б" и | |"в" не применяются к бортовой | |аппаратуре спутников. | | |
5.1.1.2. |Телекоммуникационные передающие системы | |и аппаратура и специально разработанные | |компоненты и принадлежности, имеющие | |любые из следующих характеристик, | |свойств или качеств: | | Примечание. Телекоммуникационная | |передающая аппаратура: | |а) по одной из категорий или их | |комбинаций: | |1) радиоаппаратура (например, | |передатчики, приемники и | |приемопередатчики); | |2) оконечная аппаратура линий; | |3) аппаратура промежуточных усилителей; | |4) ретрансляционная аппаратура; | |5) аппаратура ретрансляции с | |восстановлением сигнала; | |6) трансляционные кодеры (транскодеры); | |7) аппаратура уплотнения (включая | |статистическое уплотнение); | |8) модуляторы / демодуляторы (модемы); | |9) трансмультиплексная аппаратура (см. | |рекомендации Международного | |консультативного комитета по телеграфии | |и телефонии - МККТТ, раздел G 701); | |10) цифровая коммутационная аппаратура, | |управляемая встроенной программой; | |11) шлюзы и мосты; | |12) устройства доступа к | |телекоммуникационной среде; и | |б) разработанная для использования в | |одноканальных или многоканальных линиях | |связи через любое из следующего: | |1) провода (линии); | |2) коаксиальный кабель; | |3) оптоволоконный кабель; | |4) электромагнитное излучение; или | |5) подводное распространение | |акустических волн. | | | 5.1.1.2.1. |Использующие цифровые методы, включая |852520910; |цифровую обработку аналоговых сигналов, |852520990 |и разработанные для функционирования | |при скорости цифровой передачи на | |верхнем пределе уплотнения более | |45 Мбит/с. или общей скорости цифровой | |передачи более 90 Мбит/с | | Примечание. По пункту 5.1.1.2.1 не | |контролируется оборудование, специально | |предназначенное для включения и | |функционирования в составе спутника | |гражданского применения. | | | 5.1.1.2.2. |Наличие систем подводной связи, имеющих |901580910 |любую из следующих характеристик: | |а) акустическую несущую частоту за | |пределами интервала от 20 до 60 кГц; | |б) использующие электромагнитную | |несущую частоту менее 30 кГц; или | |в) использующие методы электронного | |сканирования луча | | | 5.1.1.2.3. |Наличие аппаратуры, содержащей любую из |852520910; |следующих составляющих: |852520990 |а) контроллеры доступа к сети и в | |связанную с ними общую среду со | |скоростью цифровой передачи более | |156 Мбит/с.; или | |б) контроллеры канала связи с цифровым | |выходом, имеющие скорость цифровой | |передачи более 2,1 Мбит/с. на канал | | Примечание. Если любое | |неконтролируемое оборудование содержит | |контроллер доступа к сети, то оно не | |может иметь телекоммуникационный | |интерфейс любого типа, кроме описанных | |в пункте 5.1.1.2.3, но с параметрами, | |не подпадающими под контроль по этому | |пункту. | | | 5.1.1.2.4. |Аппаратура, использующая лазер и |852520910; |имеющая любую из следующих |852520990 |характеристик: | |а) длину волны более 1000 нм; | |б) использующая аналоговые методы и | |полосу частот более 45 МГц | | Примечание. По подпункту "б" пункта | |5.1.1.2.4 не контролируются | |коммерческие телевизионные системы; | |в) использующая когерентную оптическую | |передачу или когерентные методы | |оптического детектирования (также | |называемые оптическими гетеродинными | |или гомодинными методами); | |г) использующая методы уплотнения с | |разделением по длине волны; или | |д) осуществляющая оптическое усиление; | | |
5.1.1.2.5. |Радиоаппаратура, функционирующая на |852520910; |частотах входного или выходного сигнала |852520990 |более 31 ГГц | | Примечание. По пункту 5.1.1.2.5 не | |контролируется оборудование, | |предназначенное или модифицированное | |для работы в диапазоне частот | |Международного союза электросвязи; | | | 5.1.1.2.6. |Радиоаппаратура, имеющая любую из |852520910; |следующих характеристик: |852520990 |а) квадратурную амплитудную модуляцию | |(КАМ) выше четвертого уровня, если | |общая скорость цифровой передачи | |превышает 8,5 Мбит/с.; | |б) КАМ выше 16 уровня, если общая | |скорость цифровой передачи равна или | |меньше 8,5 Мбит/с.; или | |в) другие цифровые методы модуляции и | |имеющая спектральную эффективность | |более 3 бит/с./Гц | | Примечания. 1. По пункту 5.1.1.2.6 | |не контролируется аппаратура, | |специально разработанная для включения | |и работы в любой спутниковой системе | |гражданского назначения. | | 2. По пункту 5.1.1.2.6 не | |контролируется аппаратура радиорелейной | |связи для работы в диапазоне частот | |Международного союза электросвязи: | |а) аппаратура: | |1) работающая в диапазоне, не | |превышающем 960 МГц; или | |2) с общей цифровой передачей частоты, | |не превышающей 8,5 Мбит/с.; и | |б) аппаратура, имеющая спектральную | |эффективность, не превышающую | |4 бит/с./Гц. | | | 5.1.1.2.7. |Наличие радиоаппаратуры, |852520910; |функционирующей в диапазоне частот |852520990 |1,5 - 87,5 МГц и имеющей любую из | |следующих характеристик: | |а) включающая адаптивные методы, | |обеспечивающие более 15 дБ подавления | |помехового сигнала; или | |б) имеющая все следующие составляющие: | |1) автоматически прогнозируемые и | |выбираемые значения частоты и общей | |скорости цифровой передачи для ее | |оптимизации; и | |2) встроенный линейный усилитель | |мощности, способный одновременно | |поддерживать множественные сигналы с | |выходной мощностью 1 кВт или более в | |диапазоне частот 1,5 - 30 МГц или | |250 Вт или более в диапазоне частот | |30 - 87,5 МГц, свыше предельной полосы | |пропускания в одну октаву или более и с | |соотношением гармоник и искажений на | |выходе лучше - 80 дБ; | | | 5.1.1.2.8. |Наличие радиоаппаратуры, использующей |852520910; |расширение спектра или методы |852520990 |перестройки частоты (скачкообразной | |перестройки частоты), имеющей любую из | |следующих характеристик: | |а) коды расширения, программируемые | |пользователем; или | |б) общую ширину полосы передачи частот, | |в 100 или более раз превышающую полосу | |частот любого одного информационного | |канала и составляющую более 50 кГц | | Примечания. 1. По подпункту "б" | |пункта 5.1.1.2.8 не контролируется | |оборудование, которое используется в | |системах сотовой связи для работы на | |гражданских частотах. | | 2. По пункту 5.1.1.2.8 не | |контролируется оборудование, работающее | |с выходной мощностью 1,0 Вт или менее; | | | 5.1.1.2.9. |Наличие радиоприемников с цифровым |852520910; |управлением, имеющих все следующие |852520990 |характеристики: | |а) более 1000 каналов; | |б) время переключения частоты менее | |1 мс; | |в) автоматический поиск или | |сканирование в части электромагнитного | |спектра; и | |г) возможность идентификации принятого | |сигнала или типа передатчика | | Примечание. По пункту 5.1.1.2.9 не | |контролируется оборудование сотовой | |связи, работающее на гражданских | |частотах. | | | 5.1.1.2.10. |Использующие функции цифровой обработки |852520910; |сигнала для обеспечения кодирования |852520990 |речи со скоростью менее 2400 бит/с. | | |
5.1.1.3. |Аппаратура коммутации, управляемая |854389900 |встроенной программой, и связанные | |системы сигналообразования, имеющие | |любые из приведенных ниже | |характеристик, функций или качеств, и | |специально разработанные компоненты и | |принадлежности для этого: | |а) передачу по общему каналу, | |осуществляемую в несогласованном или | |квазисогласованном режимах работы; | |б) динамическую адаптивную | |маршрутизацию; | |в) наличие коммутаторов пакетов, | |коммутаторов каналов и маршрутизаторов | |с портами или каналами, превышающими | |любую из следующих характеристик: | |1) скорость передачи данных 2,1 Мбит/с. | |на канал для контроллера канала связи; | |или | |2) скорость цифровой передачи | |156 Мбит/с. для контроллера доступа к | |сети и связанной с ним общей среды; | |г) оптическую коммутацию; | |д) использующие методы асинхронного | |режима передачи | | Примечания. 1. Статистические | |мультиплексоры с цифровыми входом и | |выходом, обеспечивающие коммутацию, | |рассматриваются как коммутаторы, | |управляемые встроенной программой. | | 2. По подпункту "б" пункта 5.1.1.3 | |не контролируются коммутаторы пакетов | |или маршрутизаторы с портами или | |каналами, не превышающими ограничения, | |установленные в подпункте "в" пункта | |5.1.1.3. | | 3. По подпункту "в" пункта 5.1.1.3 | |не контролируются составные линии связи | |с уплотнением сигналов, которые | |образованы только каналами связи, | |каждый из которых в отдельности не | |контролируется по подпункту "а" пункта | |5.1.1.3. | | | 5.1.1.4. |Волоконно - оптические кабели связи, |900110900; |оптические волокна и принадлежности, |854470000 |такие как: | |а) оптические волокна и кабели длиной | |более 50 м, имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) разработанные для функционирования в | |одномодовом режиме; или | |2) способные выдерживать напряжение | |(механическое) 2 x 10E9 Н/кв. м или | |более в контрольном тесте (для | |оптических кабелей) | | Техническое примечание. Контрольный | |тест - проверка на стадиях изготовления | |или после изготовления, которая | |заключается в приложении заданного | |напряжения к волокну длиной от более | |0,5 до 3 м на скорости хода от 2 до | |5 м/с. при прохождении между ведущими | |валами приблизительно 150 мм в | |диаметре. Окружающая среда имеет | |номинальные значения температуры 293 K | |и относительной влажности 40%. | | | | Особое примечание. Для выполнения | |проверочного теста могут использоваться | |соответствующие национальные стандарты; | |б) волоконно - оптические кабели и | |принадлежности, разработанные для | |использования под водой. | | | | Примечание. По подпункту "б" пункта | |5.1.1.4 не контролируются стандартные | |телекоммуникационные кабели и | |принадлежности для гражданского | |использования. | | | | Особое примечание. Для волоконно - | |оптических корпусных разъемов и | |соединителей см. пункт 8.1.2.3. | | | 5.1.1.5. |Антенные фазированные решетки с |852910900 |электронным сканированием луча, | |функционирующие на частотах свыше | |31 ГГц | | Примечание. По пункту 5.1.1.5 не | |контролируются антенные фазированные | |решетки для систем посадки с | |аппаратурой, удовлетворяющей стандартам | |Международной организации гражданской | |авиации (ИКАО), перекрывающим системы | |посадки СВЧ - диапазона (MLS). | | | 5.2.1. |Испытательное, контрольное и | |производственное оборудование | | |
5.2.1.1. |Оборудование и специально разработанные | |компоненты или принадлежности для него, | |специально предназначенные для | |разработки, производства или | |использования оборудования, материалов, | |функций или свойств, контролируемых по | |части 1 категории 5 | | Примечание. По пункту 5.2.1.1 не | |контролируются оптические волокна и | |волоконно - оптические заготовки для | |оборудования, не использующего | |полупроводниковые лазеры. | | | 5.3.1. |Материалы | | | 5.3.1.1. |Заготовки стекла или любых других |702000900 |материалов, оптимизированных для | |производства оптических волокон, | |контролируемых по пункту 5.1.1.4 | | | 5.4.1. |Программное обеспечение | | | 5.4.1.1. |Программное обеспечение, специально | |созданное или модифицированное для | |разработки, производства или | |использования оборудования, операций | |или устройств, контролируемых по части | |1 категории 5 | | | 5.4.1.2. |Программное обеспечение, специально | |разработанное или модифицированное для | |поддержки технологий, контролируемых по | |пункту 5.5.1 | | | 5.4.1.3. |Специальное программное обеспечение, | |такое как: | | | 5.4.1.3.1. |Программное обеспечение в отличной от | |машиноисполняемой форме, специально | |разработанное или модифицированное для | |использования оборудования или систем | |цифрового сотового радио; | | | 5.4.1.3.2. |Программное обеспечение, специально | |разработанное или модифицированное для | |обеспечения характеристик, функций или | |свойств аппаратуры, контролируемой по | |пункту 5.1.1 или 5.2.1; | | | 5.4.1.3.3. |Программное обеспечение, обеспечивающее | |способность восстановления исходного | |текста телекоммуникационного | |программного обеспечения, | |контролируемого по части 1 категории 5; | | | 5.4.1.3.4. |Программное обеспечение в отличной от | |машиноисполняемой форме, специально | |разработанное для динамической | |адаптивной маршрутизации | | Особое примечание. Для программного | |обеспечения обработки сигналов см. | |также пункты 4.4 и 6.4. | | | 5.5.1. |Технология | | | 5.5.1.1. |Технологии, в соответствии с общим | |технологическим примечанием | |предназначенные для разработки, | |производства или использования | |(исключая функционирование) | |оборудования, операций или устройств, | |материалов или программного | |обеспечения, контролируемых по части 1 | |категории 5; | | | 5.5.1.2. |Отдельные виды технологий, такие как: | | | 5.5.1.2.1. |Технология, требуемая для разработки | |или производства телекоммуникационного | |оборудования, специально разработанного | |для использования на борту спутников; | | | 5.5.1.2.2. |Технология для разработки или | |использования методов лазерной связи со | |способностью автоматического захвата и | |слежения сигнала и поддержания связи | |через внешнюю атмосферу или через слой | |жидкости (воды); | | | 5.5.1.2.3. |Технология для обработки и применения | |покрытий оптических волокон, специально | |разработанная для использования под | |водой; | | | 5.5.1.2.4. |Технология для разработки аппаратуры, | |использующей методы иерархии синхронной | |цифровой передачи (ИСЦП) или синхронной | |оптической сети (СОС); | | | 5.5.1.2.5. |Технология для разработки | |коммутирующего устройства со скоростью | |передачи свыше 64000 бит/с. на | |информационный канал, отличного от | |цифровых кросс - соединителей, | |встроенных в коммутатор; | | | 5.5.1.2.6. |Технология для разработки | |централизованного управления сетью или | |динамической адаптивной маршрутизации; | | | 5.5.1.2.7. |Технология для разработки цифровых | |сотовых радиосистем; | | |
5.5.1.2.8. |Технология для разработки | |широкополосных цифровых сетей | |интегрального обслуживания (ЦСИО); | | | 5.5.1.2.9. |Технология для разработки | |радиоаппаратуры, использующей КАМ выше | |уровня 4; | | | 5.5.1.2.10. |Технология для разработки аппаратуры, | |использующей методы расширения спектра | |или перестройки частоты (скачкообразной | |перестройки частоты) | | | | Часть 2. Защита информации | | | | Примечание. Контрольный статус | |защиты информации оборудования, | |программного обеспечения, систем, | |электронных сборок специального | |применения, модулей, интегральных схем, | |компонентов или функций определяется по | |части 2 категории 5, даже если они | |являются компонентами или электронными | |сборками другой аппаратуры. | | | 5.1.2. |Системы, оборудование и компоненты | | | 5.1.2.1. |Системы, аппаратура, специальные | |сборки, модули или интегральные схемы, | |применяемые для защиты информации, и | |другие специально разработанные для | |этого компоненты: | | Особое примечание. Для контроля | |глобальных навигационных спутниковых | |систем, содержащих приемную аппаратуру | |или использующих дешифровку (Глобальной | |спутниковой системы радиоопределения - | |GPS или Глобальной навигационной | |спутниковой системы - ГЛОНАСС), см. | |пункт 7.1.5. | | | 5.1.2.1.1. |Разработанные или модифицированные для |854389900 |использования криптографии с | |применением цифровых методов для | |обеспечения защиты информации; | | | 5.1.2.1.2. |Разработанные или модифицированные для |854389900 |выполнения криптоаналитических функций; | | | 5.1.2.1.3. |Разработанные или модифицированные для |854389900 |использования криптографии с | |применением аналоговых методов | |обеспечения защиты информации | | Примечание. По пункту 5.1.2.1.3 не | |контролируется следующее оборудование: | |а) аппаратура с использованием | |постоянного полосового скремблирования, | |с числом полос не более 8, в которой | |транспозиции происходят не чаще одного | |раза в секунду; | |б) аппаратура с использованием | |постоянного полосового скремблирования | |с числом полос более 8, в которой | |транспозиции происходят не чаще одного | |раза в 10 секунд; | |в) аппаратура с использованием | |фиксированной частотной инверсии, в | |которой транспозиции происходят не чаще | |одного раза в секунду; | |г) факсимильная аппаратура; | |д) аппаратура вещания в ограниченной | |аудитории; | |е) аппаратура гражданского телевидения. | | | 5.1.2.1.4. |Разработанные или модифицированные для |854389900 |подавления нежелательной утечки | |сигналов, содержащих информацию | | Примечание. По пункту 5.1.2.1.4 не | |контролируется аппаратура, специально | |созданная для подавления утечки | |сигналов, вредных для здоровья или | |безопасности окружающих; | | | 5.1.2.1.5. |Разработанные или модифицированные для |854389900 |применения криптографических методов | |генерации расширяющегося кода для | |расширения спектра или скачкообразного | |кода для систем перестройки частоты; | | | 5.1.2.1.6. |Разработанные или модифицированные для |854389900 |обеспечения сертифицированной или | |подлежащей сертификации многоуровневой | |защиты или изоляции пользователя на | |уровне, превышающем класс В2 критерия | |оценки надежности компьютерных систем | |или эквивалентном; | | |
5.1.2.1.7. |Кабельные системы связи, разработанные |854389900 |или модифицированные с использованием | |механических, электрических или | |электронных средств для обнаружения | |несанкционированного доступа | | Примечание. По пункту 5.1.2 не | |контролируются: | |а) персональные карточки со встроенной | |ЭВМ или специально разработанные для | |них компоненты с любой из следующих | |характеристик: | |1) не обладающие способностью | |зашифровывать сообщения или информацию | |абонента либо соответствующими | |функциями управления ключом для этого; | |или | |2) ограниченные использованием в | |аппаратуре или системах, не | |контролируемых по пунктам "а" - "е" | |примечания к пункту 5.1.2.1.3 или по | |пунктам "б" - "з" данного примечания | |б) аппаратура, содержащая постоянные | |методы сжатия или кодирования; | |в) приемная аппаратура радиовещания, | |платного телевидения или подобного | |телевещания на ограниченную аудиторию | |без цифрового шифрования и где | |шифрование ограничено функциями | |управления, видео- или аудиоканалов; | |г) портативные или мобильные | |радиотелефоны гражданского назначения | |(например, для использования в | |коммерческих гражданских системах | |сотовой радиосвязи), которые не | |содержат функции шифрования для | |абонентов; | |д) методы дешифровки, специально | |разработанные для выполнения | |программного обеспечения, защищенного | |от копирования, при условии, что | |функция дешифровки не доступна | |абоненту; | |е) оборудование доступа, такое как | |речевые синтезаторы, принтеры с | |самодиагностикой или терминалы | |единичной продажи (банкоматы), которое | |защищено паролем или персональным | |идентификационным номером (ПИН) либо | |другими подобными мерами, | |предотвращающими несанкционированный | |доступ, но непригодно для шифрования | |файлов или текстов, кроме установки | |защитного пароля или ПИН-защиты; | |ж) оборудование для определения | |достоверности данных в соответствии с | |кодами МАС или подобное, позволяющее | |установить достоверность текста или | |пользователей, но непригодное для | |шифрования данных, текста или другой | |информации, отличных от нуждающихся в | |установлении подлинности; | |з) специально разработанное | |шифровальное оборудование, | |предназначенное для использования | |только в устройствах для банковских или | |денежных операций, таких как речевые | |синтезаторы, принтеры с | |самодиагностикой или терминалы | |единичной продажи (банкоматы). | | | 5.2.2. |Испытательное, контрольное и | |производственное оборудование | | | 5.2.2.1. |Оборудование, специально разработанное |854389900 |для: | |а) разработки аппаратуры или функций, | |контролируемых по части 2 категории 5, | |включая аппаратуру для измерений или | |испытаний; | |б) производства аппаратуры или функций, | |контролируемых по части 2 категории 5, | |включая аппаратуру для измерений, | |испытаний, ремонта или производства | | | 5.2.2.2. |Измерительная аппаратура, специально |854389900 |разработанная для оценки и | |подтверждения функций защиты | |информации, контролируемых по пункту | |5.1.2 или 5.4.2 | | | 5.3.2. |Материалы - нет | | | 5.4.2. |Программное обеспечение | | | 5.4.2.1. |Программное обеспечение, специально | |созданное или модифицированное для | |разработки, производства или | |использования оборудования или | |программного обеспечения, | |контролируемых по части 2 категории 5; | | | 5.4.2.2. |Программное обеспечение, специально | |созданное или модифицированное для | |поддержки технологии, контролируемой по | |пункту 5.5.2; | | |
5.4.2.3. |Специальные виды программного | |обеспечения, такие как: | | | 5.4.2.3.1. |Программное обеспечение, имеющее | |характеристики или выполняющее, или | |воспроизводящее функции аппаратуры, | |контролируемой по пункту 5.1.2 или | |5.2.2; | | | 5.4.2.3.2. |Программное обеспечение для | |сертификации программного обеспечения, | |контролируемого по пункту 5.4.2.3.1 | | Примечание. По пункту 5.4.2 не | |контролируются: | |а) программное обеспечение, требуемое | |для использования в аппаратуре, не | |контролируемой примечанием к пункту | |5.1.2; | |б) программное обеспечение, реализующее | |любую функцию аппаратуры, не | |контролируемой примечанием к пункту | |5.1.2. | | | 5.5.2. |Технология | | | 5.5.2.1. |Технологии, в соответствии с общим | |технологическим примечанием | |предназначенные для разработки, | |производства или использования | |оборудования либо программного | |обеспечения, контролируемых по части 2 | |категории 5 | | | | Категория 6. Датчики и лазеры | | | 6.1. |Системы, оборудование и компоненты | | | 6.1.1. |Акустика | | | 6.1.1.1. |Морские акустические системы, | |оборудование и специально разработанные | |для них компоненты, такие как: | | | 6.1.1.1.1. |Нижеперечисленные активные (передающие | |и приемопередающие) системы, | |оборудование и специально разработанные | |компоненты для этого: | | Примечание. По пункту 6.1.1.1.1 не | |контролируются: | |а) гидролокаторы глубины вертикального | |действия, не обладающие функцией | |сканирования луча свыше +/- 20 град., и | |ограниченного применения для измерения | |глубины воды, расстояния до погруженных | |или заглубленных объектов или косяков | |рыбы; | |б) следующие акустические буи: | |1) аварийные акустические буи; | |2) излучатели ультразвуковых импульсов, | |специально разработанные для | |перемещения или возвращения в подводное | |положение. | | | 6.1.1.1.1.1. |Измеряющие глубину широкообзорные |901580910 |системы, предназначенные для | |картографирования морского дна, имеющие | |все следующие характеристики: | |а) предназначенные для измерения при | |углах отклонения от вертикали более | |20 град.; | |б) предназначенные для измерения | |глубины более 600 м от поверхности | |воды; и | |в) предназначенные для обеспечения | |любой из следующих характеристик: | |1) объединения нескольких лучей, любой | |из которых уже 1,9 град.; или | |2) точности измерений лучше 0,3% от | |глубины воды, полученных путем | |усреднения отдельных измерений в | |пределах полосы; | | | 6.1.1.1.1.2. |Системы обнаружения или определения |901580910 |местоположения, имеющие любую из | |следующих характеристик: | |а) частоту передачи ниже 10 кГц; | |б) уровень звукового давления выше | |224 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования | |с рабочей частотой в диапазоне от | |10 кГц до 24 кГц включительно; | |в) уровень звукового давления выше | |235 дБ (1 мкПа на 1 м) для оборудования | |с рабочей частотой в диапазоне между | |24 кГц и 30 кГц; | |г) формирование лучей уже 1 град. по | |любой оси и рабочую частоту ниже | |100 кГц; | |д) предназначенные для работы с | |дальностью разрешения целей более | |5120 м; или | |е) предназначенные для нормального | |функционирования на глубинах свыше | |1000 м и имеющие датчики с любыми из | |следующих характеристик: | |1) динамически подстраиваемые под | |давление; или | |2) содержащие другие преобразующие | |элементы, нежели изготовленные из | |свинцового титанат цирконата; | | |
6.1.1.1.1.3. |Акустические прожекторы, включающие |901580910 |преобразователи, объединяющие | |пьезоэлектрические, | |магнитострикционные, | |электрострикционные, | |электродинамические или гидравлические | |элементы, действующие индивидуально или | |в определенной комбинации, имеющие | |любую из следующих характеристик: | |а) плотность мгновенной излучаемой | |акустической мощности, превышающую | |0,01 мВт/кв. мм/Гц для приборов, | |действующих на частотах ниже 10 кГц; | |б) плотность непрерывно излучаемой | |акустической мощности, превышающую | |0,001 мВт/кв.мм/Гц для приборов, | |действующих на частотах ниже 10 кГц | | Техническое примечание. Плотность | |акустической мощности получается в | |результате деления выходной | |акустической мощности на произведение | |площади излучающей поверхности и | |рабочей частоты. | | | |в) разработанные для сопротивления | |давлению в течение нормального | |функционирования на глубинах более | |1000 м; или | |г) подавление боковых лепестков более | |22 дБ | | | | Примечания. 1. Контрольный статус | |акустических прожекторов, включающих | |преобразователи, специально | |разработанные для другого оборудования, | |определяется контрольным статусом этого | |другого оборудования. | | 2. По пункту 6.1.1.1.1.3 не | |контролируются электронные источники, | |осуществляющие только вертикальное | |зондирование, механические (например, | |пневматические ружья или пароударные | |ружья) или химические (например, | |взрывные) источники. | | | 6.1.1.1.1.4. |Акустические системы, оборудование и |901580110 |специально разработанные компоненты для | |определения положения надводных судов и | |подводных аппаратов, имеющие любую из | |следующих характеристик: | |а) предназначенные для работы на | |дистанции более 1000 м с точностью | |позиционирования менее 10 м | |(среднеквадратичное отклонение - СКО) | |при измерении на расстояниях до 1000 м; | |или | |б) предназначенные для работы на | |глубинах более 1000 м | | Примечание. Пункт 6.1.1.1.1.4 | |включает: | |а) оборудование, использующее | |когерентную обработку сигналов между | |двумя или более буями и гидрофонное | |устройство надводных судов и подводных | |аппаратов; | |б) оборудование, обладающее | |способностью автокоррекции погрешности | |скорости распространения звука для | |вычислений местоположения. | | | 6.1.1.1.2. |Пассивные (принимающие в штатном режиме | |независимо от связи с активной | |аппаратурой) системы, оборудование и | |специально разработанные для них | |компоненты, такие как: | | |
6.1.1.1.2.1. |Гидрофоны (преобразователи) с любой из | |следующих характеристик: | |а) включающие гибкие датчики |901580110; |непрерывного действия или сборки |901580930 |датчиков дискретного действия с | |диаметром или длиной менее 20 мм и с | |расстоянием между элементами менее | |20 мм; | |б) имеющие любой из следующих |901580930 |чувствительных элементов: | |1) волоконно - оптический; | |2) пьезоэлектрический полимерный; или | |3) гибкий пьезоэлектрический из | |керамических материалов; | |в) имеющие гидрофонную чувствительность |901580930 |лучше -180 дБ на любой глубине без | |компенсации ускорения; | |г) разработанные для действия на |901580930 |глубинах, не превышающих 35 м, с | |гидрофонной чувствительностью лучше | |-186 дБ с компенсацией ускорения; | |д) разработанные для нормальной работы |901580930 |на глубинах более 35 м с гидрофонной | |чувствительностью лучше -192 дБ с | |компенсацией ускорения; | |е) разработанные для нормальной работы |901580930 |на глубинах более 100 м с гидрофонной | |чувствительностью лучше -204 дБ; или | |ж) созданные для работы на глубинах |901580930 |более 1000 м | | Техническое примечание. Гидрофонная | |чувствительность определяется как | |двадцатикратный десятичный логарифм | |отношения среднеквадратичного выходного | |напряжения к опорному напряжению 1 В | |(СКО), когда гидрофонный датчик без | |предусилителя помещен в акустическое | |поле плоской волны со | |среднеквадратичным давлением 1 мкПа. | |Например: гидрофон c -160 дБ (опорное | |напряжение 1 В на мкПа) даст выходное | |напряжение 10E-8 В в таком поле, в то | |время как другой, с чувствительностью | |-180 дБ, даст только 10E-9 В на | |выходе. Таким образом, -160 дБ лучше, | |чем -180 дБ; | | | 6.1.1.1.2.2. |Буксируемые акустические гидрофонные |901580930; |решетки, имеющие любую из следующих |901580990 |характеристик: | |а) гидрофонные группы, расположенные с | |шагом 12,5 м и менее; | |б) гидрофонные группы, расположенные с | |шагом от 12,5 м до 25 м и разработанные | |или способные быть модифицированными | |для работы на глубинах более 35 м | | Техническое примечание. Способность | |к модификации, указанная в подпункте | |"б" пункта 6.1.1.1.2.2, означает | |наличие возможности изменения обмотки | |или внутренних соединений для изменения | |расположения гидрофонной группы или | |пределов рабочих глубин. Такими | |возможностями являются наличие запасных | |витков обмотки более 10% от числа | |рабочих витков, блоков настройки | |конфигурации гидрофонной группы или | |устройств ограничения глубины | |погружения, обеспечивающих регулировку | |или контроль более чем одной | |гидрофонной группы; | |в) гидрофонные группы в решетке, | |расположенные с шагом 25 м и более и | |разработанные для работы на глубинах | |свыше 100 м; | |г) имеющие управляемые датчики, | |контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4; | |д) имеющие продольно укрепленные | |соединительные кабели решеток; | |е) имеющие собранные решетки диаметром | |менее 40 мм; | |ж) мультиплексированные сигналы | |гидрофонных групп, разработанных для | |работы на глубинах более 35 м или | |имеющих регулируемое либо сменное | |глубинное чувствительное устройство, | |предназначенное для работы на глубинах, | |превышающих 35 м; или | |з) характеристики гидрофонов, указанные | |в пункте 6.1.1.1.2.1; | | |
6.1.1.1.2.3. |Аппаратура обработки данных, специально |901580930; |разработанная для применения в |901580990 |буксируемых акустических гидрофонных | |решетках, обладающая программируемостью | |пользователем, обработкой во временной | |или частотной области и корреляцией, | |включая спектральный анализ, цифровую | |фильтрацию и формирование луча с | |использованием быстрого преобразования | |Фурье или других преобразований или | |процессов; | | | 6.1.1.1.2.4. |Управляемые датчики, имеющие все |901580110; |следующие характеристики: |901580930 |а) точность лучше +/- 0,5 град.; и | |б) любую из следующих характеристик: | |1) разработанные для объединения в | |соединительный кабель решетки и | |работающие на глубинах, превышающих | |35 м, либо имеющие регулируемое или | |сменное глубинное чувствительное | |устройство, предназначенное для работы | |на глубинах, превышающих 35 м; или | |2) разработанные для внешнего крепления | |к соединительному кабелю решетки и | |имеющие чувствительное устройство, | |способное работать с вращением на | |360 град. на глубинах, превышающих | |35 м; | | | 6.1.1.1.2.5. |Донные или притопленные кабельные |901580930; |системы, имеющие любую из следующих |901580990 |составляющих: | |а) объединяющие гидрофоны, указанные в | |пункте 6.1.1.1.2.1; или | |б) объединяющие мультиплексированные | |сигналы гидрофонных групп, | |разработанных для работы на глубинах, | |превышающих 35 м, либо имеющих | |регулируемое или сменное глубинное | |чувствительное устройство, | |предназначенное для работы на глубинах, | |превышающих 35 м; или | |в) аппаратуру обработки данных, | |специально разработанную для донных или | |притопленных кабельных систем, | |обладающую программируемостью | |пользователем и обработкой во временной | |или частотной области и корреляцией, | |включая спектральный анализ, цифровую | |фильтрацию и формирование луча с | |использованием быстрого преобразования | |Фурье или других преобразований либо | |процессов | | | 6.1.1.2. |Аппаратура на лагах для корреляционного |901580930; |измерения горизонтальной составляющей |901580990 |скорости носителя аппаратуры | |относительно морского дна на | |расстояниях между носителем и дном моря | |более 500 м | | | 6.1.2. |Оптические датчики | | | 6.1.2.1. |Оптические детекторы, такие как: | | Примечание. По пункту 6.1.2.1 не | |контролируются германиевые или | |кремниевые фотоустройства. | | | 6.1.2.1.1. |Нижеперечисленные твердотельные | |детекторы, годные для применения в | |космосе: | | | 6.1.2.1.1.1. |Твердотельные детекторы, годные для |854140990 |применения в космосе, имеющие все | |следующие характеристики: | |а) максимальную чувствительность в | |диапазоне длин волн от 10 нм до 300 нм; | |и | |б) чувствительность на длине волны | |более 400 нм менее 0,1% относительно | |максимальной чувствительности; | | | 6.1.2.1.1.2. |Твердотельные детекторы, годные для |854140990 |применения в космосе, имеющие все | |следующие характеристики: | |а) максимальную чувствительность в | |диапазоне длин волн от 900 нм до | |1200 нм; и | |б) постоянную времени отклика 95 нс или | |менее; | | | 6.1.2.1.1.3. |Твердотельные детекторы, годные для |854140990 |применения в космосе, имеющие | |максимальную чувствительность в | |диапазоне длин волн от 1200 нм до | |30000 нм | | | 6.1.2.1.2. |Электронно - оптические усилители | |яркости и специально разработанные для | |них компоненты, такие как: | | |
6.1.2.1.2.1. |Электронно - оптические усилители |854140990; |яркости, имеющие все нижеперечисленное: |901380900 |а) максимальную чувствительность в | |диапазоне длин волн от 400 нм до | |1050 нм; | |б) микроканальный анод для электронного | |усиления изображения с шагом отверстий | |(расстоянием между центрами) 15 мкм или | |менее; и | |в) следующие фотокатоды: | |1) фотокатоды S-20, S-25 или | |многощелевые фотокатоды со | |светочувствительностью более | |240 мкА/лм; | |2) фотокатоды на GaAs или GaInAs; | |3) другие полупроводниковые фотокатоды | |на соединениях групп III - V | | Примечание. По последнему подпункту | |пункта 6.1.2.1.2.1 не контролируются | |фотокатоды на полупроводниковых | |соединениях с максимальной | |излучательной чувствительностью | |10 мА/Вт или менее; | | | 6.1.2.1.2.2. |Специально разработанные компоненты: | |а) микроканальные платы, с шагом |854140990 |отверстий (расстояние между центрами) | |15 мкм или менее; | |б) фотокатоды на GaAs или GaInAs; |854140990 |в) другие полупроводниковые фотокатоды |854140990 |на соединениях групп III - V | | Примечание. По подпункту "в" пункта | |6.1.2.1.2.2 не контролируются | |фотокатоды на полупроводниковых | |соединениях с максимальной | |излучательной чувствительностью | |10 мА/Вт или менее. | | | 6.1.2.1.3. |Решетки фокальной плоскости, | |непригодные для применения в космосе, | |такие как: | | Техническое примечание. Линейные | |или двухмерные многоэлементные | |детекторные решетки относятся к | |решеткам фокальной плоскости. | | | | Примечания. 1. Пункт 6.1.2.1.3 | |включает фотопроводящие и | |фотогальванические решетки. | | 2. По пункту 6.1.2.1.3 не | |контролируются кремниевые решетки | |фокальной плоскости, многоэлементные | |(не более 16 элементов) | |герметизированные фотопроводящие | |элементы или пироэлектрические | |детекторы на основе любого из следующих | |материалов: | |а) сульфида свинца; | |б) триглицинсульфата и его производных; | |в) титаната свинца - лантана - циркония | |и его производных; | |г) танталата лития; | |д) поливинилиденфторида и его | |производных; | |е) ниобата бария - стронция и его | |производных; или | |ж) селенида свинца. | | | 6.1.2.1.3.1. |Решетки фокальной плоскости, |854140910; |непригодные для применения в космосе, |854140990 |имеющие все следующие составляющие: | |а) отдельные элементы с максимальной | |чувствительностью в диапазоне длин волн | |от 900 нм до 1050 нм; и | |б) постоянную времени отклика менее | |0,5 нс; | | | 6.1.2.1.3.2. |Решетки фокальной плоскости, |854140910; |непригодные для применения в космосе, |854140990 |имеющие все следующие характеристики: | |а) отдельные элементы с максимальной | |чувствительностью в диапазоне длин волн | |от 1050 нм до 1200 нм; и | |б) постоянную времени отклика 95 нс или | |менее; | | | 6.1.2.1.3.3. |Решетки фокальной плоскости, |854140910; |непригодные для применения в космосе, |854140990 |имеющие отдельные элементы с | |максимальной чувствительностью в | |диапазоне длин волн от 1200 нм до | |30000 нм | | |
6.1.2.2. |Моноспектральные датчики изображения и |854089900 |многоспектральные датчики изображения, | |предназначенные для применения при | |дистанционном зондировании и имеющие | |любую из следующих характеристик: | |а) мгновенное поле обзора (МПО) менее | |200 мкрад; или | |б) предназначенные для работы в | |диапазоне длин волн от 400 нм до | |30000 нм и имеющие все следующие | |составляющие: | |1) обеспечивающие выходные данные | |изображения в цифровом формате; и | |2) являющиеся годными для применения в | |космосе или разработанными для работы | |на борту летательного аппарата при | |использовании некремниевых детекторов, | |имеющие МПО менее 2,5 мрад; | | | 6.1.2.3. |Оборудование прямого наблюдения | |изображения, работающее в видимом или | |ИК диапазонах и содержащее любую из | |следующих составляющих: | | | 6.1.2.3.1. |Электронно - оптические |854020300; |преобразователи, имеющие |854099000 |характеристики, указанные в | |пункте 6.1.2.1.2.1; или | | | 6.1.2.3.2. |Решетки фокальной плоскости, имеющие |854099000 |характеристики, указанные в пункте | |6.1.2.1.3. | | Техническое примечание. Прямое | |наблюдение относится к оборудованию для | |получения изображения, работающему в | |видимом или ИК диапазонах, которое | |представляет визуальное изображение | |человеку - наблюдателю без | |преобразования изображения в | |электронный сигнал для телевизионного | |дисплея и которое не может | |регистрировать или сохранять | |изображение фотографически, а также | |электронным или другим способом. | | | | Примечание. По пункту 6.1.2.3 не | |контролируется следующее оборудование, | |содержащее фотокатоды на материалах, | |отличных от GaAs или GaInAs: | |а) производственные или гражданские | |сигнальные устройства, системы | |управления движением транспорта или | |производственным движением либо системы | |счета; | |б) медицинское оборудование; | |в) технологическое оборудование, | |используемое для инспекции, сортировки | |или анализа свойств материала; | |г) сигнализаторы пожара для | |производственных печей; | |д) оборудование, специально | |разработанное для лабораторного | |использования. | | | 6.1.2.4. |Специальные компоненты обеспечения для | |оптических датчиков, такие как: | | | 6.1.2.4.1. |Криоохладители, годные для применения в |841869990 |космосе; | | | 6.1.2.4.2. |Нижеперечисленные криоохладители, |841869990 |непригодные для применения в космосе, с | |температурой охлаждения источника ниже | |218 K (-55 град. C): | | | 6.1.2.4.2.1. |Замкнутого цикла с определенным средним |841869990 |временем наработки на отказ или средним | |временем наработки между отказами более | |2500 ч; | | | 6.1.2.4.2.2. |Саморегулирующиеся миниохладители |841869990 |Джоуля - Томсона с наружными диаметрами | |канала менее 8 мм; | | | 6.1.2.4.3. |Оптические чувствительные волокна, |900110900 |специально изготовленные композиционно | |или структурно либо модифицированные с | |помощью покрытия, чтобы стать | |акустически, термически, инерциально, | |электромагнитно чувствительными или | |чувствительными к ядерному излучению; | | | 6.1.2.5. |Решетки фокальной плоскости, годные для |901380900 |применения в космосе, имеющие более | |2048 элементов на решетку и | |максимальную чувствительность в | |диапазоне длин волн от 300 нм до 900 нм | | | 6.1.3. |Камеры | | Особое примечание. Для камер, | |специально разработанных или | |модифицированных для подводного | |использования, см. пункты 8.1.2.4 и | |8.1.2.5. | | | 6.1.3.1. |Камеры контрольно - измерительных | |приборов, такие как: | | |
6.1.3.1.1. |Высокоскоростные записывающие |900711000; |кинокамеры, использующие любой формат |900719000 |пленки от 8 до 16 мм, в которых пленка | |непрерывно движется вперед в течение | |всего периода записи и которые способны | |записывать при скорости кадрирования | |более 13150 кадров/с. | | Примечание. По пункту 6.1.3.1.1 не | |контролируются записывающие кинокамеры | |для обычных гражданских целей. | | | 6.1.3.1.2. |Механические высокоскоростные камеры, в |900719000 |которых пленка не движется и которые | |способны записывать при скорости более | |1000000 кадров/с. для полной высоты | |кадрирования 35-мм пленки или при | |пропорционально более высокой скорости | |для меньшей высоты кадров, или при | |пропорционально меньшей скорости для | |большей высоты кадров; | | | 6.1.3.1.3. |Механические или электронные |900719000 |фотохронографы, имеющие скорость записи | |более 10 мм/мкс; | | | 6.1.3.1.4. |Электронные передающие камеры с |900719000 |кадровой синхронизацией, имеющие | |скорость более 1000000 кадров/с.; | | | 6.1.3.1.5. |Электронные передающие камеры, имеющие |900719000 |все следующие характеристики: | |а) скорость электронного затвора | |(способность стробирования) менее 1 мкс | |за полный кадр; и | |б) время считывания, обеспечивающее | |скорость кадрирования более 125 полных | |кадров в секунду | | | 6.1.3.2. |Камеры формирования изображения, такие | |как: | | Примечание. По пункту 6.1.3.2 не | |контролируются телевизионные или | |видеокамеры, специально предназначенные | |для телевизионного вещания. | | | 6.1.3.2.1. |Видеокамеры, включающие твердотельные |852190000 |датчики и имеющие любую из следующих | |характеристик: | |а) более 4 x 10E6 активных пикселов на | |твердотельную решетку для монохромных | |(черно - белых) камер; | |б) более 4 x 10E6 активных пикселов на | |твердотельную решетку для цветных | |камер, включающих три твердотельные | |решетки; или | |в) более 12 x 10E6 активных пикселов | |для цветных камер на основе одной | |твердотельной решетки; | | | 6.1.3.2.2. |Сканирующие камеры и системы на основе |852190000 |сканирующих камер, имеющие все | |следующие характеристики: | |а) линейные детекторные решетки с более | |чем 8192 элементами на решетку; и | |б) механическое сканирование в одном | |направлении; | | | 6.1.3.2.3. |Камеры формирования изображений, |852190000 |содержащие электронно - оптические | |преобразователи, имеющие | |характеристики, указанные в пункте | |6.1.2.1.2.1; | | | 6.1.3.2.4. |Камеры формирования изображений, |852190000 |включающие решетки фокальной плоскости, | |имеющие характеристики, указанные в | |пункте 6.1.2.1.3 | | | 6.1.4. |Оптика | | | 6.1.4.1. |Оптические зеркала (рефлекторы), такие | |как: | | | 6.1.4.1.1. |Деформируемые зеркала, имеющие сплошные |900190900 |или многоэлементные поверхности, и | |специально разработанные для них | |компоненты, которые способны | |динамически осуществлять | |перерегулировку положения частей | |поверхности зеркала при скорости более | |100 Гц; | | | 6.1.4.1.2. |Легкие монолитные зеркала, имеющие |900190900 |среднюю эквивалентную плотность менее | |30 кг/кв. м и общую массу более 10 кг; | | | 6.1.4.1.3. |Зеркала из легких композиционных или |900190900 |пенообразных материалов, имеющие | |среднюю эквивалентную плотность менее | |30 кг/кв. м и общую массу более 2 кг; | | | 6.1.4.1.4. |Зеркала для управления лучом с |900190900 |диаметром или длиной главной оси более | |100 мм, имеющие плоскостность 1/2 длины | |волны или лучше (длина волны равна | |633 нм) и ширину полосы управления | |более 100 Гц; | | |
6.1.4.2. |Оптические компоненты, изготовленные из |900190900 |селенида цинка (ZnSe) или сульфида | |цинка (ZnS), со спектром пропускания от | |3000 нм до 25000 нм, имеющие любую из | |следующих характеристик: | |а) объем более 100 куб. см; или | |б) диаметр или длину главной оси более | |80 мм и толщину (глубину) более 20 мм; | | | 6.1.4.3. |Компоненты для оптических систем, | |годные для применения в космосе, такие | |как: | | | 6.1.4.3.1. |Оптические элементы облегченного типа с |900190900 |эквивалентной плотностью менее 20% по | |сравнению с твердотельными пластинами с | |той же самой апертурой и толщиной; | | | 6.1.4.3.2. |Подложки, подложки с поверхностным |900190900 |покрытием (однослойным или | |многослойным, металлическим или | |диэлектрическим, проводящим, | |полупроводящим или изолирующим) или | |подложки с защитными пленками; | | | 6.1.4.3.3. |Сегменты или узлы зеркал, |900290990 |предназначенные для сборки в космосе в | |оптическую систему с приемной | |апертурой, равной или более одного | |оптического метра в диаметре; | | | 6.1.4.3.4. |Изготовленные из композиционных |900390000 |материалов, имеющих коэффициент | |линейного термического расширения, | |равный или менее 5 x 10E-6 в любом | |направлении координат | | | 6.1.4.4. |Оборудование оптического контроля, | |такое как: | | | 6.1.4.4.1. |Специально предназначенное для |903149900; |поддержания профиля поверхности или |903289900 |ориентации оптических компонентов, | |годных для применения в космосе, | |контролируемых по пунктам 6.1.4.3.1 или | |6.1.4.3.3; | | | 6.1.4.4.2. |Имеющее управление, слежение, |903149900; |стабилизацию или юстировку резонатора в |903289900 |полосе частот, равной или более 100 Гц, | |и погрешность 10 мкрад или менее; | | | 6.1.4.4.3. |Кардановые подвесы, имеющие все |903289900 |следующие характеристики: | |а) максимальный угол поворота более | |5 град.; | |б) ширину полосы, равную или более | |100 Гц; | |в) ошибки угловой наводки, равные или | |менее 200 мкрад; и | |г) имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) диаметр или длину главной оси более | |0,15 м, но не более 1 м и угловое | |ускорение более 2 рад/с2; или | |2) диаметр или длину главной оси более | |1 м и угловое ускорение более | |0,5 рад/с2; | | | 6.1.4.4.4. |Специально разработанное для |903289900 |поддержания юстировки фазированной | |решетки или систем зеркал с | |фазированными сегментами, содержащее | |зеркала с диаметром сегмента или длиной | |главной оси 1 м или более | | | |Лазеры | | | 6.1.5. |Лазеры, компоненты и оптическое | |оборудование: | | Примечания. 1. Импульсные лазеры | |включают лазеры, работающие в | |квазинепрерывном режиме с импульсным | |перекрытием. | | 2. Лазеры с импульсной накачкой | |включают лазеры, работающие в | |непрерывном режиме при импульсной | |накачке. | | 3. Контрольный статус рамановских | |лазеров определяется параметрами | |лазерного источника накачки. Лазерным | |источником накачки может быть любой | |лазер, рассматриваемый ниже. | | | 6.1.5.1. |Газовые лазеры, такие как: | | |
6.1.5.1.1. |Эксимерные лазеры, имеющие любую из |901320000 |следующих характеристик: | |а) выходную длину волны не более 150 нм | |и имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |50 мДж; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт; | |б) выходную длину волны в диапазоне от | |150 нм до 190 нм и имеющие любую из | |следующих характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |1,5 Дж; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 120 Вт; | |в) выходную длину волны в диапазоне от | |190 нм до 360 нм и имеющие любую из | |следующих характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |10 Дж; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 500 Вт; или | |г) выходную длину волны более 360 нм и | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |1,5 Дж; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 30 Вт; | | | 6.1.5.1.2. |Лазеры на парах металла, такие как: | | | 6.1.5.1.2.1. |Медные (Cu) лазеры, имеющие среднюю или |901320000 |выходную мощность в непрерывном режиме | |более 20 Вт; | | | 6.1.5.1.2.2. |Золотые (Au) лазеры, имеющие среднюю |901320000 |или выходную мощность в непрерывном | |режиме более 5 Вт; | | | 6.1.5.1.2.3. |Натриевые (Na) лазеры, имеющие выходную |901320000 |мощность более 5 Вт; | | | 6.1.5.1.2.4. |Бариевые (Ba) лазеры, имеющие среднюю |901320000 |или выходную мощность в непрерывном | |режиме более 2 Вт | | | 6.1.5.1.3. |Лазеры на оксиде углерода (CO), имеющие |901320000 |любую из следующих характеристик: | |а) выходную энергию в импульсе более | |2 Дж и пиковую мощность более 5 кВт; | |или | |б) среднюю мощность или выходную | |мощность в непрерывном режиме более | |5 кВт; | | | 6.1.5.1.4. |Лазеры на диоксиде углерода (CO2), |901320000 |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |а) выходную мощность в непрерывном | |режиме более 15 кВт; | |б) длительность импульсов в импульсном | |режиме более 10 мкс и имеющие любую из | |следующих характеристик: | |1) среднюю выходную мощность более | |10 кВт; или | |2) пиковую мощность более 100 кВт; или | |в) длительность импульсов в импульсном | |режиме, равную или менее 10 мкс и | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) импульсную энергию более 5 Дж; или | |2) среднюю выходную мощность более | |2,5 кВт; | | | 6.1.5.1.5. |Химические лазеры, такие как: | | | 6.1.5.1.5.1. |Водородно - фторовые (HF) лазеры; |901320000 | | 6.1.5.1.5.2. |Дейтерий - фторовые (DF) лазеры; |901320000 | | 6.1.5.1.5.3. |Переходные лазеры, такие как: |901320000 |а) лазеры на оксиде йода (O2-I); | |б) дейтерий - фторовые - диоксид - |901320000 |углеродные (DF-CO2) лазеры | | | 6.1.5.1.6. |Газоразрядные и ионные лазеры |901320000 |(например, лазеры на ионах аргона (Ar) | |или криптона (Kr)), имеющие любую из | |следующих характеристик: | |а) выходную энергию в импульсе более | |1,5 Дж и пиковую мощность более 50 Вт; | |или | |б) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 50 Вт; | | |
6.1.5.1.7. |Другие газовые лазеры, имеющие любую из |901320000 |следующих характеристик: | |а) выходную длину волны не более 150 нм | |и имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |50 мДж и пиковую мощность более 1 Вт; | |или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт; | |б) выходную длину волны в диапазоне от | |150 нм до 800 нм и имеющие любую из | |следующих характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; | |или; | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 30 Вт; | |в) выходную длину волны от 800 нм до | |1400 нм и имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |0,25 Дж и пиковую мощность более 10 Вт; | |или; | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 10 Вт; или | |г) выходную длину волны более 1400 нм и | |среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт | | Примечание. По пункту 5.1.5.1.7 не | |контролируются азотные лазеры. | | | 6.1.5.2. |Отдельные с многократно поперечной |854140110 |модой полупроводниковые лазеры и | |решетки отдельных полупроводниковых | |лазеров, имеющие любую из следующих | |характеристик: | |а) выходную энергию в импульсе более | |500 мкДж и импульсную пиковую мощность | |более 10 Вт; или | |б) среднюю мощность или выходную | |мощность в непрерывном режиме более | |10 Вт | | Техническое примечание. | |Полупроводниковые лазеры обычно | |называются лазерными диодами. | | | | Примечания. 1. Пункт 6.1.5.2 | |включает полупроводниковые лазеры, | |имеющие оптические выходные соединители | |(например, волоконно - оптические | |гибкие проводники). | | 2. Статус контроля | |полупроводниковых лазеров, специально | |предназначенных для другого | |оборудования, определяется статусом | |контроля другого оборудования. | | | 6.1.5.3. |Твердотельные лазеры, такие как: | | | 6.1.5.3.1. |Перестраиваемые лазеры, имеющие любую |901320000 |из следующих характеристик: | | Примечание. Пункт 6.1.5.3.1 | |включает титано - сапфирные Ti:Al2O3, | |тулий-YAG (Tm:YAG), тулий-YSGG | |(Tm:YSGG) лазеры, лазеры на | |александрите (Cr:BeAl2O4) и лазеры с | |окрашенным центром. | | | |а) выходную длину волны менее 600 нм и | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |50 мДж и импульсную пиковую мощность | |более 1 Вт; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт; | |б) выходную длину волны 600 нм или | |более, но не более 1400 нм и имеющие | |любую из следующих характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |1 Дж и импульсную пиковую мощность | |более 20 Вт; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 20 Вт; или | |в) выходную длину волны более 1400 нм и | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |50 мДж и импульсную пиковую мощность | |более 1 Вт; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт; | | | 6.1.5.3.2. |Неперестраиваемые лазеры, такие как: | | Примечание. Пункт 6.1.5.3.2 | |включает твердотельные лазеры на | |атомных переходах. | | |
6.1.5.3.2.1. |Лазеры на неодимовом стекле, такие |901320000 |как: | |а) лазеры с модуляцией добротности, | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |20 Дж, но не более 50 Дж и среднюю | |выходную мощность более 10 Вт; или | |2) выходную энергию в импульсе более | |50 Дж; | |б) лазеры без модуляции добротности, | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |50 Дж, но не более 100 Дж и среднюю | |выходную мощность более 20 Вт; или | |2) выходную энергию в импульсе более | |100 Дж; | | | 6.1.5.3.2.2. |Лазеры с растворенным неодимом (другие, |901320000 |нежели на стекле), имеющие выходную | |длину волны более 1000 нм, но не более | |1100 нм: | | Особое примечание. Для лазеров с | |растворенным неодимом (других, нежели | |на стекле), имеющих выходную длину | |волны менее 1000 нм или более 1100 нм, | |см. пункт 6.1.5.3.2.3. | | | |а) лазеры с модуляцией добротности, | |импульсным возбуждением и | |синхронизацией мод, длительностью | |импульса менее 1 нс и имеющие любую из | |следующих характеристик: | |1) пиковую мощность более 5 ГВт; | |2) среднюю выходную мощность более | |10 Вт; или | |3) импульсную энергию более 0,1 Дж; | |б) лазеры с модуляцией добротности и | |импульсным возбуждением с длительностью | |импульса, равной или больше 1 нс, и | |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) одномодовое излучение поперечной | |моды, имеющее: | |пиковую мощность более 100 МВт; | |среднюю выходную мощность более 20 Вт; | |или | |импульсную энергию более 2 Дж; или | |2) многомодовое излучение поперечной | |моды, имеющее: | |пиковую мощность более 400 МВт; | |среднюю выходную мощность более 2 кВт; | |или | |импульсную энергию более 2 Дж; | |в) лазеры с импульсным возбуждением без | |модуляции добротности, имеющие: | |1) одномодовое излучение поперечной | |моды, имеющее: | |пиковую мощность более 500 кВт; или | |среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 150 Вт; или | |2) многомодовое излучение поперечной | |моды, имеющее: | |пиковую мощность более 1 МВт; или | |среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 2 кВт; | |г) лазеры с непрерывным возбуждением, | |имеющие: | |1) одномодовое излучение поперечной | |моды, имеющее: | |пиковую мощность более 500 кВт; или | |среднюю мощность или выходную мощность | |в непрерывном режиме более 150 Вт; или | |2) многомодовое излучение поперечной | |моды, имеющее: | |пиковую мощность более 1 МВт; или | |среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 2 кВт; | | |
6.1.5.3.2.3. |Другие неперестраиваемые лазеры, |901320000 |имеющие любую из следующих | |характеристик: | |а) длину волны менее 150 нм и: | |1) выходную энергию в импульсе более | |50 мДж и импульсную пиковую мощность | |более 1 Вт; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт; | |б) длину волны не менее 150 нм, но не | |более 800 нм и: | |1) выходную энергию в импульсе более | |1,5 Дж и пиковую мощность более 30 Вт; | |или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 30 Вт; | |в) длину волны более 800 нм, но не | |более 1400 нм, такие как: | |1) лазеры с модуляцией добротности, | |имеющие: | |выходную энергию в импульсе более | |0,5 Дж и импульсную пиковую мощность | |более 50 Вт; или | |среднюю выходную мощность, превышающую: | |10 Вт для одномодовых лазеров; | |30 Вт для многомодовых лазеров; | |2) лазеры без модуляции добротности, | |имеющие: | |выходную энергию в импульсе более 2 Дж | |и импульсную пиковую мощность более | |50 Вт; или | |среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 50 Вт; или | |г) длину волны более 1400 нм и: | |1) выходную энергию в импульсе более | |100 мДж и импульсную пиковую мощность | |более 1 Вт; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт | | | 6.1.5.4. |Лазеры на красителях и других |901320000 |жидкостях, имеющие любую из следующих | |характеристик: | |а) длину волны менее 150 нм и имеющие | |любую из следующих характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |50 мДж и импульсную пиковую мощность | |более 1 Вт; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт; | |б) длину волны 150 нм или более, но не | |более 800 нм и имеющие любую из | |следующих характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |1,5 Дж и импульсную пиковую мощность | |более 20 Вт; | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 20 Вт; или | |3) импульсный генератор, работающий на | |одной продольной моде со средней | |выходной мощностью более 1 Вт и | |частотой повторения импульсов более | |1 кГц, если длительность импульса менее | |100 нс | |в) длину волны более 800 нм, но не | |свыше 1400 нм и имеющие любую из | |следующих характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |0,5 Дж и импульсную пиковую мощность | |более 10 Вт; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме не более 10 Вт; или | |г) длину волны более 1400 нм и имеющие | |любую из следующих характеристик: | |1) выходную энергию в импульсе более | |100 мДж и импульсную пиковую мощность | |более 1 Вт; или | |2) среднюю или выходную мощность в | |непрерывном режиме более 1 Вт; | | | 6.1.5.5. |Компоненты, такие как: | | | 6.1.5.5.1. |Зеркала, охлаждаемые либо активным |900290990 |методом, либо трубчатой охладительной | |системой | | Техническое примечание. Активным | |охлаждением является метод охлаждения | |оптических компонентов, в котором | |используется течение жидкости по | |субповерхности (расположенной обычно | |менее чем в 1 мм ниже от оптической | |поверхности) оптического компонента для | |отвода тепла от оптики; | | | 6.1.5.5.2. |Оптические зеркала или прозрачные или |900290990 |частично прозрачные оптические или | |электрооптические компоненты, | |специально разработанные для | |использования с контролируемыми | |лазерами | | | 6.1.5.6. |Оптическое оборудование, такое как: | | |
6.1.5.6.1. |Оборудование, измеряющее динамический |903149900 |волновой фронт (фазу), использующее по | |крайней мере 50 позиций на волновом | |фронте луча, имеющее все следующие | |характеристики: | |а) частоту кадров, равную или более | |100 Гц, и фазовую дискриминацию, | |составляющую по крайней мере 5% от | |длины волны луча; или | |б) частоту кадров, равную или более | |1000 Гц, и фазовую дискриминацию, | |составляющую по крайней мере 20% от | |длины волны луча; | | | 6.1.5.6.2. |Оборудование лазерной диагностики, |903149900 |способное измерять погрешности углового | |управления положением луча лазера | |сверхвысокой мощности, равные или менее | |10 мкрад; | | | 6.1.5.6.3. |Оптическое оборудование и компоненты, |901390900 |специально предназначенные для | |использования с системой лазера | |сверхвысокой мощности с фазированными | |решетками для суммирования когерентных | |лучей с точностью 1/10 длины волны или | |0,1 мкм, в зависимости от того, какая | |из величин меньше; | | | 6.1.5.6.4. |Защищенные объективы, специально |900219000 |предназначенные для использования с | |системами лазеров сверхвысокой мощности | | | |Магнитометры | | | 6.1.6. |Магнитометры, магнитные градиентометры, | |внутренние магнитные градиентометры и | |компенсационные системы и специально | |разработанные для них компоненты, | |такие как: | | Примечание. По пункту 6.1.6 не | |контролируются инструменты, специально | |разработанные для биомагнитных | |измерений медицинской диагностики. | | | 6.1.6.1. |Магнитометры, использующие технологию |901580930 |на основе эффекта сверхпроводимости с | |оптической накачкой или ядерной | |прецессией (протонной / Оверхаузера), | |имеющей среднеквадратичный уровень шума | |(чувствительность) менее (лучше) | |0,05 нТ, деленные на корень квадратный | |из частоты в герцах; | | | 6.1.6.2. |Магнитометры с катушкой индуктивности, |901580930 |имеющие среднеквадратичное значение | |уровня шума (чувствительности) менее | |(лучше), чем любой из следующих | |показателей: | |а) 0,05 нТ, деленные на корень | |квадратный из частоты в герцах, на | |частоте менее 1 Гц; | |б) 1 x 10E-3 нТ, деленные на корень | |квадратный из частоты в герцах, на | |частоте 1 Гц или более, но не более | |10 Гц; или | |в) 1 x 10E-4 нТ, деленные на корень | |квадратный из частоты в герцах, на | |частотах более 10 Гц; | | | 6.1.6.3. |Волоконно - оптические магнитометры со |901580930 |среднеквадратичным уровнем шума | |(чувствительностью) менее (лучше) 1 нТ, | |деленной на корень квадратный из | |частоты в герцах; | | | 6.1.6.4. |Магнитные градиентометры, использующие |901580930 |наборы магнитометров, контролируемых по | |пунктам 6.1.6.1, 6.1.6.2 или 6.1.6.3; | | | 6.1.6.5. |Волоконно - оптические внутренние |901580930 |магнитные градиентометры со | |среднеквадратичным уровнем шума | |(чувствительностью) градиента | |магнитного поля менее (лучше) 0,3 нТ/м, | |деленные на корень квадратный из | |частоты в герцах; | | | 6.1.6.6. |Внутренние магнитные градиентометры, |901580930 |использующие технологию, отличную от | |волоконно - оптической, со | |среднеквадратичным уровнем шума | |(чувствительностью) градиента | |магнитного поля менее (лучше) | |0,015 нТ/м, деленные на корень | |квадратный из частоты в герцах; | | | 6.1.6.7. |Магнитокомпенсационные системы для |901580930 |магнитных датчиков, предназначенных для | |работы на подвижных платформах; | | |
6.1.6.8. |Сверхпроводящие электромагнитные |901580930 |датчики, содержащие компоненты, | |изготовленные из сверхпроводящих | |материалов: | |а) разработанные для работы при | |температурах ниже критической | |температуры по меньшей мере одного из | |компонентов сверхпроводников (включая | |устройства на эффекте Джефферсона или | |сверхпроводящие устройства квантовой | |интерференции (СКВИДы); | |б) разработанные для измерений вариаций | |электромагнитного поля на частотах | |1 кГц или менее; и | |в) имеющие любую из следующих | |характеристик: | |1) включающие тонкопленочные СКВИДы с | |минимальным характерным размером менее | |2 мкм и с соответствующими схемами | |соединения входа и выхода; | |2) разработанные для функционирования | |при максимальной скорости нарастания | |магнитного поля более 10E6 квантов | |магнитного потока в секунду; | |3) разработанные для функционирования | |без магнитного экрана в окружающем | |земном магнитном поле; или | |4) имеющие температурный коэффициент | |менее 0,1 кванта магнитного потока, | |деленного на кельвин | | | |Гравиметры | | | 6.1.7. |Гравиметры и гравитационные | |градиентометры: | | | 6.1.7.1. |Гравиметры для наземного использования |901580930 |со статистической точностью менее | |(лучше) 10 микрогалей | | Примечание. По пункту 6.1.7.1 не | |контролируются наземные гравиметры типа | |кварцевых элементов (Уордена). | | | 6.1.7.2. |Гравиметры для подвижных платформ для |901580930 |наземных, морских, погруженных, | |воздушных и космических применений, | |имеющие все следующие характеристики: | |а) статистическую точность менее | |(лучше) 0,7 миллигалей; и | |б) рабочую точность менее (лучше) 0,7 | |миллигалей со временем регистрации в | |состоянии готовности менее 2 мин. в | |любой комбинации корректирующих | |компенсаций и влияния движения; | | | 6.1.7.3. |Гравитационные градиентометры | | | |Радиолокаторы | | | 6.1.8. |Локационные системы, оборудование и | |узлы, имеющие любую из следующих | |характеристик, и специально | |предназначенные для них компоненты: | | Примечание. По пункту 6.1.8 не | |контролируются: | |а) РЛС с активным ответом; | |б) автомобильные РЛС, предназначенные | |для предотвращения столкновений; | |в) дисплеи или мониторы, используемые | |для управления воздушным движением | |(УВД), имеющие разрешение не более | |12 элементов на 1 мм; | |г) метеорологические (погодные) | |локаторы. | | | 6.1.8.1. |Работающие на частотах от 40 ГГц до |852610900 |230 ГГц и имеющие среднюю выходную | |мощность более 100 мВт; | | | 6.1.8.2. |РЛС, рабочая частота которых может |852610900 |перестраиваться в пределах более чем | |+/- 6,25% от центральной рабочей | |частоты | | Техническое примечание. Центральная | |рабочая частота равна половине суммы | |наибольшей и наименьшей несущих частот. | | | 6.1.8.3. |Способные работать одновременно на двух |852610900 |или более несущих частотах; | | | 6.1.8.4. |Имеющие возможность функционирования в |852610900 |режимах синтезированной апертуры или в | |обратной синтезированной апертуры | |локатора, или в режиме локатора | |бокового обзора воздушного базирования; | | | 6.1.8.5. |Включающие фазированные антенные |852610900 |решетки с электронным сканированием | |луча; | | | 6.1.8.6. |Обладающие способностью нахождения |852610900 |высотных одиночных целей | | Примечание. По пункту 6.1.8.6 не | |контролируется прецизионное | |радиолокационное оборудование для | |контроля захода на посадку, | |соответствующее стандартам ИКАО. | | |
6.1.8.7. |Специально разработанные для воздушного |852610900 |базирования (устанавливаются на | |воздушном шаре или корпусе летательного | |аппарата) и имеющие допплеровскую | |обработку сигнала для обнаружения | |движущихся целей; | | | 6.1.8.8. |РЛС, использующие обработку сигналов |852610900 |локатора с применением любой из | |следующих составляющих: | |а) методов расширения спектра РЛС; или | |б) методов РЛС с частотной ажильностью; | | | 6.1.8.9. |РЛС, обеспечивающие наземное |852610900 |функционирование с максимальной | |инструментальной дальностью действия | |более 185 км | | Примечание. По пункту 6.1.8.9 не | |контролируются: | |а) наземные РЛС для наблюдения рыбных | |косяков; | |б) наземные РЛС, специально | |разработанные для управления воздушным | |движением в случае, когда они | |удовлетворяют всем следующим условиям: | |1) имеют максимальную инструментальную | |дальность действия 500 км или менее; | |2) спроектированы так, что данные с РЛС | |о цели могут быть переданы только одним | |путем от места нахождения локатора к | |одному или нескольким гражданским | |центрам УВД на маршруте; | |3) не содержат средств для | |дистанционного управления скоростью | |сканирования локатора из центра УВД на | |маршруте; и | |4) должны устанавливаться надолго; | |в) локаторы для метеорологического | |наблюдения с воздушного шара. | | | 6.1.8.10. |Являющиеся лазерными локационными |901510900; |станциями или лазерными дальномерами |903180590 |(ЛИДАРы), имеющими любую из следующих | |характеристик: | |а) годные для применения в космосе; или | |б) использующие методы когерентного | |гетеродинного или гомодинного | |детектирования и имеющие угловое | |разрешение менее (лучше) 20 мкрад | | Примечание. По пункту 6.1.8.10 не | |контролируются ЛИДАРы, специально | |спроектированные для съемки или | |метеорологического наблюдения. | | | 6.1.8.11. |Имеющие подсистемы обработки сигнала в |852610900 |виде сжатия импульса с любой из | |следующих характеристик: | |а) коэффициентом сжатия импульса более | |150; или | |б) шириной импульса менее 200 нс; или | | | 6.1.8.12. |Имеющие подсистемы обработки данных с |852610900 |любой из следующих характеристик: | |а) автоматическое сопровождение цели, | |обеспечивающее при любом вращении | |антенны определение предполагаемого | |положения цели за время до следующего | |прохождения луча антенны; | |б) вычисление скорости цели от активной | |РЛС, имеющей непериодическое | |(переменное) сканирование; | |в) обработка для автоматического | |распознавания образов (выделение | |признаков) и сравнения с базами данных | |характеристик цели (сигналов или | |образов) для идентификации или | |классификации целей; или | |г) наложение и корреляция или слияние | |данных о цели от двух или более | |пространственно распределенных и | |взаимосвязанных измерительных РЛС для | |усиления и различения целей | | Примечания. 1. По подпункту "а" | |пункта 6.1.8.12 не контролируются | |средства выдачи сигнала для | |предупреждения столкновений в системах | |контроля воздушного движения, морских | |или прибрежных РЛС. | | 2. По подпункту "г" пункта 6.1.8.12 | |не контролируются системы, оборудование | |и узлы, используемые для контроля | |морского движения. | | | 6.2. |Испытательное, контрольное и | |производственное оборудование | | | 6.2.1. |Акустика - нет | | | 6.2.2. |Оптические датчики - нет | | | 6.2.3. |Камеры - нет | | | |Оптика | | | 6.2.4. |Следующее оптическое оборудование: | | |
6.2.4.1. |Оборудование для измерения абсолютного |903149900 |значения отражательной способности с | |погрешностью +/- 0,1% от значения | |отражательной способности; | | | 6.2.4.2. |Оборудование, отличное от оборудования |903149900 |для измерения рассеяния оптической | |поверхностью, имеющее незатемненную | |апертуру с диаметром более 10 см, | |специально предназначенное для | |бесконтактного оптического измерения | |неплоской фигуры (профиля) оптической | |поверхности с точностью 2 нм или менее | |(лучше) от требуемого профиля | | Примечание. По пункту 6.2.4 не | |контролируются микроскопы. | | | 6.2.5. |Лазеры - нет | | | 6.2.6. |Магнитометры - нет | | | |Гравиметры | | | 6.2.7. |Оборудование для производства, |903180390 |юстировки и калибровки гравиметров | |наземного базирования со статической | |точностью лучше 0,1 миллигала | | | |Радиолокаторы | | | 6.2.8. |Импульсные локационные системы для |852610900 |измерения поперечного сечения, имеющие | |длительность передаваемых импульсов | |100 нс или менее, и специально | |предназначенные для них компоненты | | | 6.3. |Материалы | | | 6.3.1. |Акустика - нет | | | |Оптические датчики | | | 6.3.2. |Материалы для оптических датчиков, | |такие как: | | | 6.3.2.1. |Химически чистый элементарный теллур |280450900 |(Te) с уровнями чистоты 99,9995% или | |более; | | | 6.3.2.2. |Монокристаллы теллурида кадмия (CdTe), |381800900; |цинкового теллурида кадмия (CdZnTe) или |810790000 |ртутного теллурида кадмия (HgCdTe) | |любого уровня чистоты, включая | |эпитаксиальные пластины из этих | |материалов | | | 6.3.3. |Камеры - нет | | | |Оптика | | | 6.3.4. |Оптические материалы, такие как: | | | 6.3.4.1. |Заготовки из селенида цинка (ZnSe) и |284290100; |сульфида цинка (ZnS), полученные |283020000 |химическим осаждением паров, имеющие | |любую из следующих характеристик: | |а) объем более 100 куб. см; или | |б) диаметр более 80 мм и толщину 20 мм | |или более; | | | 6.3.4.2. |Слитки следующих электрооптических | |материалов: | | | 6.3.4.2.1. |Арсенид титаната калия (KTA); |284290900 | | 6.3.4.2.2. |Серебряный селенид галлия (AgGaSe2); |284290100 | | 6.3.4.2.3. |Таллиевый селенид мышьяка (Tl3AsSe3, |284290100 |известный также как TAS); | | | 6.3.4.3. |Нелинейные оптические материалы, |702000900 |имеющие все следующие характеристики: | |а) восприимчивость третьего порядка | |(хи 3) 10E-6 кв. м/В2 или более; и | |б) время отклика менее 1 мс; | | | 6.3.4.4. |Заготовки карбида кремнезема или |284920000; |осажденных материалов бериллия - |811219000 |бериллия (Be/Be) с диаметром или длиной | |главной оси более 300 мм; | | | 6.3.4.5. |Стекло, содержащее расплавы кремния, |700100910; |фосфатное стекло, фторофосфатное |700100990; |стекло, фторид циркония (ZrF4) и фторид |702000900 |гафния (HfF4), имеющее все следующие | |характеристики: | |а) концентрацию гидроксильных ионов | |(OH-) менее 5 частей на миллион; | |б) интегральные уровни чистоты металлов | |менее 1 части на миллион; и | |в) высокую однородность (вариацию | |показателя коэффициента преломления) | |менее 5 x 10E-6; | | | 6.3.4.6. |Синтетический алмазный материал с |710490000; |поглощением менее 10E-5 смЕ-1 на длине |710510000 |волны от 200 нм до 14000 нм | | | |Лазеры | | | 6.3.5. |Синтетические кристаллические материалы | |(основа) лазера в необработанном виде, | |такие как: | | | 6.3.5.1. |Корунд с титаном; |710310000 | | 6.3.5.2. |Александрит |710310000 | | 6.3.6. |Магнитометры - нет | | | 6.3.7. |Гравиметры - нет | | | 6.3.8. |Радиолокаторы - нет | | | 6.4. |Программное обеспечение | | |
6.4.1. |Программное обеспечение, специально | |созданное для разработки или | |производства оборудования, | |контролируемого по пунктам 6.1.4, | |6.1.5, 6.1.8 или 6.2.8 | | | 6.4.2. |Программное обеспечение, специально | |разработанное для использования | |оборудования, контролируемого по | |пунктам 6.1.2.2, 6.1.8 или 6.2.8 | | | 6.4.3. |Другое программное обеспечение, такое | |как: | | | |Акустика | | | 6.4.3.1. |Следующее программное обеспечение: | |а) программное обеспечение, специально | |разработанное для формирования | |акустического луча для обработки в | |реальном масштабе времени акустических | |данных для пассивного приема с | |использованием буксируемых гидрофонных | |решеток; | |б) текст программы для обработки в | |реальном масштабе времени акустических | |данных для пассивного приема с | |использованием буксируемых гидрофонных | |решеток; | |в) программное обеспечение, специально | |разработанное для надводных или | |погруженных систем и имеющее | |формирование луча или текст программы | |для обработки в реальном масштабе | |времени акустических данных для | |пассивного приема; | | | 6.4.3.2. |Оптические датчики - нет; | | | 6.4.3.3. |Камеры - нет; | | | 6.4.3.4. |Оптика - нет; | | | 6.4.3.5. |Лазеры - нет; | | | |Магнитометры | | | 6.4.3.6. |Программное обеспечение, такое как: | | | 6.4.3.6.1. |Программное обеспечение, специально | |разработанное для | |магнитокомпенсационных систем для | |магнитных датчиков, предназначенных для | |работы на подвижных платформах; | | | 6.4.3.6.2. |Программное обеспечение, специально | |разработанное для обнаружения магнитных | |аномалий на подвижных платформах | | | |Гравиметры | | | 6.4.3.7. |Программное обеспечение, специально | |разработанное для коррекции влияния | |движения гравиметров или гравитационных | |градиометров; | | | |Радиолокаторы | | | 6.4.3.8. |Программное обеспечение, такое как: | | | 6.4.3.8.1. |Программы для применения программного | |обеспечения для управления воздушным | |движением на компьютерах общего | |назначения, находящихся в центрах | |управления воздушным движением и | |обладающих любой из следующих | |возможностей: | |а) одновременной обработкой и | |отображением более 150 траекторий | |систем; или | |б) приемом информации о целях РЛС от | |более чем четырех первичных РЛС; | | | 6.4.3.8.2. |Программное обеспечение для разработки | |или производства обтекателей антенн | |радиолокаторов, которые: | |а) специально разработаны для защиты | |фазированных антенных решеток с | |электронным сканированием луча, | |контролируемых по пункту 6.1.8.5; и | |б) имеют результирующий средний уровень | |боковых лепестков более чем на 40 дБ | |ниже максимального уровня главного луча | | Техническое примечание. Средний | |уровень боковых лепестков, указанный в | |подпункте "б" пункта 6.4.3.8.2 | |измеряется целиком для всей решетки, за | |исключением диапазона углов, в который | |входят главный луч и первые два боковых | |лепестка по обе стороны главного луча. | | | 6.5. |Технология | | | 6.5.1. |Технологии, в соответствии с общим | |технологическим примечанием | |предназначенные для разработки | |оборудования, материалов или | |программного обеспечения, | |контролируемых по пунктам 6.1, 6.2, 6.3 | |или 6.4 | | | 6.5.2. |Технологии, в соответствии с общим | |технологическим примечанием | |предназначенные для производства | |оборудования или материалов, | |контролируемых по пунктам 6.1, 6.2 или | |6.3 | | | 6.5.3. |Другие технологии: | | | 6.5.3.1. |Акустика - нет; | | | 6.5.3.2. |Оптические датчики - нет; | | | 6.5.3.3. |Камеры - нет; | | | |Оптика | | |
6.5.3.4. |Технологии, такие как: | | | 6.5.3.4.1. |Технология обработки и покрытия | |оптических поверхностей, требуемая для | |достижения однородности 99,5% или | |лучше, для оптических покрытий | |диаметром или длиной главной оси более | |500 мм и с общими потерями (поглощение | |и рассеяние) менее 5 x 10E-3 | | Особое примечание. Смотрите также | |пункт 2.5.3.4. | | | 6.5.3.4.2. |Оптические технологии изготовления, | |использующие методы одноточечного | |вращения алмазов с получением конечных | |среднеквадратичных точностей обработки | |поверхности лучше, чем корень | |квадратный из 10 нм на неплоских | |поверхностях площадью более 0,5 кв. м | | | |Лазеры | | | 6.5.3.5. |Технология, требуемая для разработки, | |производства или использования | |специализированных диагностических | |инструментов или мишеней в | |испытательных установках для испытаний | |лазеров сверхвысокой мощности или | |испытаний, или оценки стойкости | |материалов, облучаемых лучами лазеров | |сверхвысокой мощности; | | | |Магнитометры | | | 6.5.3.6. |Технология, требуемая для разработки | |или производства феррозондовых | |магнитометров или систем феррозондовых | |магнитометров, имеющих любую из | |следующих характеристик: | |а) уровень шума менее 0,05 нТ, деленные | |на корень квадратный из частоты в | |герцах, на частотах менее 1 Гц | |(среднеквадратичное); или | |б) уровень шума 1 x 10E-3 нТ, деленные | |на корень квадратный из частоты в | |герцах, на частотах 1 Гц или более | |(среднеквадратичное); | | | 6.5.3.7. |Гравиметры - нет; | | | 6.5.3.8. |Радиолокаторы - нет | | | | Категория 7. Навигация и авиационная | | электроника | | | 7.1. |Системы, оборудование и компоненты | | | | Примечание. Для автопилотов | |подводных аппаратов смотрите категорию | |8, для РЛС смотрите категорию 6. | | | 7.1.1. |Акселерометры, предназначенные для |901420900; |использования в инерциальных системах |903289 |навигации или наведения и имеющие любую | |из следующих характеристик, и | |специально разработанные для них | |компоненты: | |а) стабильность смещения менее (лучше) | |130 микро g относительно фиксированной | |калиброванной величины на протяжении | |периода в 1 год; | |б) стабильность масштабного | |коэффициента менее (лучше) 130 долей на | |миллион относительно фиксированной | |калиброванной величины на протяжении | |периода в 1 год; или | |в) специфицируемые для функционирования | |при уровнях линейных ускорений, | |превышающих 100 g | | | 7.1.2. |Гироскопы, имеющие любую из следующих |901420130; |характеристик, и специально |903289 |разработанные для них компоненты: | |а) стабильность скорости дрейфа, | |измеренную в условиях воздействия 1 g | |на протяжении периода в 3 месяца | |относительно фиксированной | |калиброванной величины: | |1) менее (лучше) 0,1 град. в час, когда | |паспортные (номинальные) данные | |приведены для функционирования при | |уровнях линейных ускорений ниже 10 g; | |или | |2) менее (лучше) 0,5 град. в час, когда | |приведены паспортные (номинальные) | |данные для функционирования при уровнях | |линейных ускорений от 10 до 100 g | |включительно; или | |б) специфицируемые для функционирования | |при линейных ускорениях с уровнем, | |превышающем 100 g | | |
7.1.3. |Инерциальные навигационные системы | 901410900; |(платформенные карданные и | 901420900 |бесплатформенные бескарданные) и | |инерциальное оборудование, | |разработанное для летательных | |аппаратов, наземных средств | |передвижения или космических аппаратов | |для определения местоположения, | |наведения или управления, имеющие любую | |из следующих характеристик, и | |специально разработанные для них | |компоненты: | |а) навигационную ошибку (чисто | |инерциальную) после нормальной выставки | |от 0,8 морской мили в час | |(50-процентная круговая вероятная | |ошибка -КВО) или менее (лучше); или | |б) специфицируемые для функционирования | |при уровнях линейных ускорений свыше | |10 g | | Примечания. 1. Параметры, указанные | |в подпункте "а" пункта 7.1.3, применимы | |для любого из следующих условий среды: | |а) входная случайная вибрация на | |предельном уровне величиной корень | |квадратный из 7,7 g в первые полчаса и | |общие испытания в течение полутора | |часов вдоль каждой из осей по трем | |перпендикулярным направлениям, когда | |может иметь место следующая случайная | |вибрация: | |1) постоянная спектральная плотность | |мощности от 0,04 g2/Гц в частотном | |интервале от 15 до 1000 Гц; и | |2) спектральная плотность мощности | |спадает в зависимости от частоты от | |0,04 g2/Гц до 0,01 g2/Гц в частотном | |интервале от 1000 до 2000 Гц; или | |б) вращение и рыскание равны или более | |+2,62 рад/с (150 град./с); или | |в) условий, указанных в национальных | |стандартах, положения которых | |эквивалентны пунктам "а" и "б" | |настоящего примечания. | | 2. По пункту 7.1.3 не | |контролируются инерциальные | |навигационные системы, | |сертифицированные для применения на | |гражданских летательных аппаратах | |гражданской администрацией | |государства - участника соглашений. | | | 7.1.4. |Гироастрокомпасы и другие устройства, |901420900; |которые обеспечивают определение |901480000 |местоположения или ориентацию | |посредством автоматического слежения | |небесных тел или спутников с точностью | |по азимуту, равной или менее (лучше) | |5 угловых секунд | | | 7.1.5. |Приемная аппаратура глобальных |901420900; |навигационных спутниковых систем (GPS |901480000 |или ГЛОНАСС), имеющая одну из следующих | |характеристик, и специально | |разработанные для нее компоненты: | |а) использующая дешифровку; или | |б) использующая антенны с управляемой | |диаграммой направленности ("провал" в | |диаграмме направленности) | | | 7.1.6. |Бортовые альтиметры, действующие на |852610900; |частотах, отличных от 4,2 до 4,4 ГГц |852691900 |включительно, имеющие одну из следующих | |характеристик: | |а) управление мощностью; или | |б) использующие амплитудную модуляцию с | |переменной фазой | | | 7.1.7. |Радиопеленгаторное оборудование, |852691900 |действующее на частотах свыше 30 МГц и | |имеющее все следующие характеристики, и | |специально разработанные для него | |компоненты: | |а) мгновенное значение ширины полосы | |пропускания 1 МГц или более; | |б) параллельную работу на более чем 100 | |частотных каналах; и | |в) производительность более 1000 | |пеленгований в секунду на частотный | |канал | | | 7.2. |Испытательное, контрольное и | |производственное оборудование | | |